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GBS存儲

發布時間: 2022-08-02 12:55:45

⑴ 光模塊的分類

包括光接收模塊,光發送模塊,光收發一體模塊和光轉發模塊等。
光收發一體化模塊主要功能是實現光電/電光變換,包括光功率控制、調制發送,信號探測、IV 轉換以及限幅放大判決再生功能,此外還有防偽信息查詢、TX-disable 等功能,常見的有:SFP、SFF、SFP+、GBIC、XFP 、1x9等。
光轉發模塊除了具有光電變換功能外,還集成了很多的信號處理功能,如:MUX/DEMUX、CDR、功能控制、性能量採集及監控等功能。常見的光轉發模塊 有:200/300pin,XENPAK,以及X2/XPAK 等。
光收發一體模塊,英文名稱transceivertransceiver,簡稱光模塊或者光纖模塊,是光纖通信系統中重要的器件。 可插拔性:熱插拔和非熱插拔
封裝形式:SFP、GBIC、XFP、Xenpak、X2、1X9、SFF、200/3000pin、XPAK
傳輸速率: 傳輸速率指每秒傳輸比特數,單位Mb/s 或Gb/s。光模塊產品涵蓋了以下主要速率:低速率、百兆、千兆、2.5G、4.25G,4.9G,6G,8G,10G和40G。 1.XFP(10 Gigabit Small Form Factor Pluggable)是一種可熱交換的,獨立於通信協議的光學收發器,用於10G bps的乙太網,SONET/SDH,光纖通道。
2.小型可插拔收發光模塊(SFP),目前應用最廣闊。
3.GigacBiDi系列單纖雙向光模塊利用的是WDM技術實現一根光纖傳輸雙向信息號(點到點的傳輸。尤其是光纖資源不足,需要1根光纖傳雙向信號)。GigacBiDi包括SFP單纖雙向(BiDi),GBIC單纖雙向(BiDi),SFP+單纖雙向(BiDi),XFP單纖雙向(BiDi),SFF單纖雙向(BiDi)等等。
4.RJ45電口小型可插拔模塊,又稱電模塊或者電口模塊.
5.SFF根據其管腳又分為2x5,2x10等
6.千兆乙太網介面轉換器(GBIC)模塊
7.無源光網PON( A-PON,G-PON, GE-PON)光模塊
8.40Gbs高速光模塊。
9.SDH傳輸模塊(OC3,OC12,OC48)
10.存儲模塊,如4G,8G等

⑵ 大神們,我家的寬頻以前是100mgbs 現在顯示的是4.2gpbs.是怎麼了嗎

【解決寬頻網速慢的常用方法】
1、避開上網高峰時段或嘗試連接其它站點使用(聯通寬頻用戶訪問電信伺服器站點比電信寬頻用戶慢;電信用戶訪問聯通伺服器站點比聯通寬頻用戶慢)。
2、登錄網路游戲客戶端或股票軟體時,優先選擇聯通伺服器;在線看電影時優先選擇主流觀看網站,如:土豆網、優酷網等。
3、拔除路由器單機連接,並重啟電腦。
4、使用查毒軟體,查殺木馬、病毒。
5、定期清理存儲空間。
如仍無法解決,可以撥打聯通寬頻服務熱線96868,湖北聯通手機用戶在歸屬地直撥免費哦!

⑶ 光纖模塊是什麼

光模塊又可叫做光纖模塊,翻譯過來應該是transceiver mole。光模塊的作用就是光電轉換,發送端把電信號轉換成光信號,通過光纖傳送後,接收端再把光信號轉換成電信號。SFP是光模塊的一種。

光纖模塊分類:按功能分:包括光接收模塊,光發送模塊,光收發一體模塊和光轉發模塊等。

按參數分:可插拔性:熱插拔和非熱插拔。

封裝形式:SFP、GBIC、XFP、Xenpak、X2、1X9、SFF、200/3000pin、XPAK。

傳輸速率: 傳輸速率指每秒傳輸比特數,單位Mb/s 或Gb/s。光模塊產品涵蓋了以下主要速率:低速率、百兆、千兆、2.5G、4.25G,4.9G,6G,8G,10G和40G。

按封裝分:

1.XFP(10 Gigabit Small Form Factor Pluggable)是一種可熱交換的,獨立於通信協議的光學收發器,用於10G bps的乙太網,SONET/SDH,光纖通道。

2.小型可插拔收發光模塊(SFP),目前應用最廣闊。

3.GigacBiDi系列單纖雙向光模塊利用的是WDM技術實現一根光纖傳輸雙向信息號(點到點的傳輸。尤其是光纖資源不足,需要1根光纖傳雙向信號)。GigacBiDi包括SFP單纖雙向(BiDi),GBIC單纖雙向(BiDi),SFP+單纖雙向(BiDi),XFP單纖雙向(BiDi),SFF單纖雙向(BiDi)等等。

4.RJ45電口小型可插拔模塊,又稱電模塊或者電口模塊。

5.SFF根據其管腳又分為2x5,2x10等。

6.千兆乙太網介面轉換器(GBIC)模塊。

7.無源光網PON( A-PON,G-PON, GE-PON)光模塊。

8.40Gbs高速光模塊。

9.SDH傳輸模塊(OC3,OC12,OC48)

10.存儲模塊,如4G,8G等。

⑷ gbps與GB有什麼區別啊

有以下幾種區別:

1、代表含義不同

Gbps乙太網是IEEE802.3乙太網標準的擴展,傳輸速度為每秒1000兆位(即1Gbps)。

GB 吉位元組(GB、Gigabyte,在中國又被稱為吉咖位元組或京位元組或十億位元組或戟),常簡寫為G,是一種十進制的信息計量單位。吉位元組(Gigabyte)常容易和二進位制的信息計量單位Gibibyte混淆。常使用在標示硬碟、存儲器等具有較大容量的儲存媒介之儲存容量。

2、使用的場景不同

Gbps是衡量交換機總的數據交換能力的單位。

GB計算機存儲單位。

3、換算關系不同

1GB=1000MB=1000000KB=1000000000B

1GB/s=8Gbps=8Gbit/s

(4)GBS存儲擴展閱讀:

mbps與gbps

mbps是Million bits per second的縮寫,是一種傳輸速率單位,指每秒傳輸的位(比特)數量。

輸速率是指集線器的數據交換能力,也叫「帶寬」,單位是Mbps(兆位/秒),主流的集線器帶寬主要有10Mbps、54Mbps/100Mbps自適應型、100Mbps和1GMbps四種。

1Mbps代表每秒傳輸1,000,000位 ,即每秒傳輸1,000,000/8= 125,000 位元組

數據傳輸速率的單位,字母b(bit)代表位,字母 B (Byte)是位元組,相應的MBPS也就有兩個解釋了,

分別是1、每秒百萬個位元組 (MEGABYTE);2.、每秒百萬個位元(MEGABIT)。通常說的Mbps是指第二個每秒百萬個位元,也就是每秒百萬個位。 1Byte=8bit

通常還有kbps 、mbps 、Gbps

換算關系 :1Gbps=10^3mkbps=10^6kbps。

網路-Gbps

網路-gb

⑸ 易燃易爆物的運輸儲存和使用的安全要求

易燃易爆品運輸儲存管理制度

一、 易燃易爆品的的儲存及運輸,必須特別注意防火、防爆、防變質、防污染的原則。
二、 施工現場設置專門的庫房存放易燃易爆品,庫房必須陰涼通風。
三、 庫房內嚴禁吸煙,庫房四周6米內嚴禁明火作業。
四、 油料、油漆及易燃易爆品應定期翻轉堆放,標識一律朝外。
五、 油料、油漆及易燃易爆品在貯存期中,應對其包裝容器經常檢查封口是否嚴密,桶身有無銹蝕、滲漏及變形之處,如有,應及時採取補救措施。
六、 庫房地面必須防潮、防滲,庫房內應保持清潔,注意防火。所有擦過油漆、油料及化學品的棉紗、碎布、紙屑及其他易燃物,均不得隨地亂扔,應及時清掃,集中存放。
七、 油料、油漆及化學品應隨用隨購,盡量減少庫存。化學品的領用需填寫領料單,庫管員按有關規定發放。
八、 建築油漆的稀釋劑、防潮劑、固化劑和油漆組成的溶劑,如汽油、苯類、酮類等在整理包裝、分裝換桶時,應在通風良好處進行,並需戴口罩、手套,並採取防遺撒和遺撒後收集措施。
九、 化學品裝卸時,必須輕拿輕放,嚴禁碰撞或在地上滾動。油料、油漆及化學品的容器和包裝,裝卸時不得有損傷,更不得碰壞或致漏。
十、 由物資部門或專業運輸單位負責運輸、卸貨。如預危險品,則必須由有資格的專業運輸單位負責運輸、卸貨。碰撞、相互接觸容易引起燃燒、爆炸或其它危險的物品,以及化學性質或防護、滅火方法相互抵觸的物品,不得混合裝運。遇熱、遇潮容易引起燃燒、爆炸或產生有毒氣體的物品,在裝運時應當採取隔熱、防潮措施。合成樹脂乳液、內外牆塗料運輸時,應防止雨淋、暴曬、碰撞。
十一、 在運輸、貯存、使用過程中發生滲漏遺撒時,當事人應及時用棉紗擦凈,並將用過的棉紗收集送到危廢存放處。
十二、 項目部對廢舊容器集中回收,桶口朝上碼放,一般的廢舊容器由材料供應方及時回收,屬於盛裝危險化學品的廢舊容器如油漆、稀料的容器,項目部集中回收,報公司統一處理。
十三、 易燃易爆品的使用,應根據產品的特性和保質期,按照工藝和配方要求實施配製。操作時做好通風、防火;並配戴相應的勞保用品。


⑹ 什麼是SATA RAID功能

SATA2介面是用來接SATA2硬碟的

.Raid定義

RAID(Rendant Array of Independent Disk 獨立冗餘磁碟陣列)技術是加州大學伯克利分校1987年提出,最初是為了組合小的廉價磁碟來代替大的昂貴磁碟,同時希望磁碟失效時不會使對數據的訪問受損失而開發出一定水平的數據保護技術。RAID就是一種由多塊廉價磁碟構成的冗餘陣列,在操作系統下是作為一個獨立的大型存儲設備出現。RAID可以充分發揮出多塊硬碟的優勢,可以提升硬碟速度,增大容量,提供容錯功能夠確保數據安全性,易於管理的優點,在任何一塊硬碟出現問題的情況下都可以繼續工作,不會受到損壞硬碟的影響。

二、RAID的幾種工作模式

1、RAID0

即Data Stripping數據分條技術。RAID 0可以把多塊硬碟連成一個容量更大的硬碟群,可以提高磁碟的性能和吞吐量。RAID 0沒有冗餘或錯誤修復能力,成本低,要求至少兩個磁碟,一般只是在那些對數據安全性要求不高的情況下才被使用。

(1)、RAID 0最簡單方式

就是把x塊同樣的硬碟用硬體的形式通過智能磁碟控制器或用操作系統中的磁碟驅動程序以軟體的方式串聯在一起,形成一個獨立的邏輯驅動器,容量是單獨硬碟的x倍,在電腦數據寫時被依次寫入到各磁碟中,當一塊磁碟的空間用盡時,數據就會被自動寫入到下一塊磁碟中,它的好處是可以增加磁碟的容量。速度與其中任何一塊磁碟的速度相同,如果其中的任何一塊磁碟出現故障,整個系統將會受到破壞,可靠性是單獨使用一塊硬碟的1/n。

(2)、RAID 0的另一方式

是用n塊硬碟選擇合理的帶區大小創建帶區集,最好是為每一塊硬碟都配備一個專門的磁碟控制器,在電腦數據讀寫時同時向n塊磁碟讀寫數據,速度提升n倍。提高系統的性能。

2、RAID 1

RAID 1稱為磁碟鏡像:把一個磁碟的數據鏡像到另一個磁碟上,在不影響性能情況下最大限度的保證系統的可靠性和可修復性上,具有很高的數據冗餘能力,但磁碟利用率為50%,故成本最高,多用在保存關鍵性的重要數據的場合。RAID 1有以下特點:

(1)、RAID 1的每一個磁碟都具有一個對應的鏡像盤,任何時候數據都同步鏡像,系統可以從一組鏡像盤中的任何一個磁碟讀取數據。

(2)、磁碟所能使用的空間只有磁碟容量總和的一半,系統成本高。

(3)、只要系統中任何一對鏡像盤中至少有一塊磁碟可以使用,甚至可以在一半數量的硬碟出現問題時系統都可以正常運行。

(4)、出現硬碟故障的RAID系統不再可靠,應當及時的更換損壞的硬碟,否則剩餘的鏡像盤也出現問題,那麼整個系統就會崩潰。

(5)、更換新盤後原有數據會需要很長時間同步鏡像,外界對數據的訪問不會受到影響,只是這時整個系統的性能有所下降。

(6)、RAID 1磁碟控制器的負載相當大,用多個磁碟控制器可以提高數據的安全性和可用性。
3、RAID0+1

把RAID0和RAID1技術結合起來,數據除分布在多個盤上外,每個盤都有其物理鏡像盤,提供全冗餘能力,允許一個以下磁碟故障,而不影響數據可用性,並具有快速讀/寫能力。RAID0+1要在磁碟鏡像中建立帶區集至少4個硬碟。

4、RAID2

電腦在寫入數據時在一個磁碟上保存數據的各個位,同時把一個數據不同的位運算得到的海明校驗碼保存另一組磁碟上,由於海明碼可以在數據發生錯誤的情況下將錯誤校正,以保證輸出的正確。但海明碼使用數據冗餘技術,使得輸出數據的速率取決於驅動器組中速度最慢的磁碟。RAID2控制器的設計簡單。

5、RAID3:帶奇偶校驗碼的並行傳送

RAID 3使用一個專門的磁碟存放所有的校驗數據,而在剩餘的磁碟中創建帶區集分散數據的讀寫操作。當一個完好的RAID 3系統中讀取數據,只需要在數據存儲盤中找到相應的數據塊進行讀取操作即可。但當向RAID 3寫入數據時,必須計算與該數據塊同處一個帶區的所有數據塊的校驗值,並將新值重新寫入到校驗塊中,這樣無形雖增加系統開銷。當一塊磁碟失效時,該磁碟上的所有數據塊必須使用校驗信息重新建立,如果所要讀取的數據塊正好位於已經損壞的磁碟,則必須同時讀取同一帶區中的所有其它數據塊,並根據校驗值重建丟失的數據,這使系統減慢。當更換了損壞的磁碟後,系統必須一個數據塊一個數據塊的重建壞盤中的數據,整個系統的性能會受到嚴重的影響。RAID 3最大不足是校驗盤很容易成為整個系統的瓶頸,對於經常大量寫入操作的應用會導致整個RAID系統性能的下降。RAID 3適合用於資料庫和WEB伺服器等。

6、 RAID4

RAID4即帶奇偶校驗碼的獨立磁碟結構,RAID4和RAID3很象,它對數據的訪問是按數據塊進行的,也就是按磁碟進行的,每次是一個盤,RAID4的特點和RAID3也挺象,不過在失敗恢復時,它的難度可要比RAID3大得多了,控制器的設計難度也要大許多,而且訪問數據的效率不怎麼好。
7、 RAID5

RAID 5把校驗塊分散到所有的數據盤中。RAID 5使用了一種特殊的演算法,可以計算出任何一個帶區校驗塊的存放位置。這樣就可以確保任何對校驗塊進行的讀寫操作都會在所有的RAID磁碟中進行均衡,從而消除了產生瓶頸的可能。RAID5的讀出效率很高,寫入效率一般,塊式的集體訪問效率不錯。RAID 5提高了系統可靠性,但對數據傳輸的並行性解決不好,而且控制器的設計也相當困難。

8、RAID6

RAID6即帶有兩種分布存儲的奇偶校驗碼的獨立磁碟結構,它是對RAID5的擴展,主要是用於要求數據絕對不能出錯的場合,使用了二種奇偶校驗值,所以需要N+2個磁碟,同時對控制器的設計變得十分復雜,寫入速度也不好,用於計算奇偶校驗值和驗證數據正確性所花費的時間比較多,造成了不必須的負載,很少人用。

9、 RAID7

RAID7即優化的高速數據傳送磁碟結構,它所有的I/O傳送均是同步進行的,可以分別控制,這樣提高了系統的並行性和系統訪問數據的速度;每個磁碟都帶有高速緩沖存儲器,實時操作系統可以使用任何實時操作晶元,達到不同實時系統的需要。允許使用SNMP協議進行管理和監視,可以對校驗區指定獨立的傳送信道以提高效率。可以連接多台主機,當多用戶訪問系統時,訪問時間幾乎接近於0。但如果系統斷電,在高速緩沖存儲器內的數據就會全部丟失,因此需要和UPS一起工作,RAID7系統成本很高。

10、 RAID10

RAID10即高可靠性與高效磁碟結構它是一個帶區結構加一個鏡象結構,可以達到既高效又高速的目的。這種新結構的價格高,可擴充性不好。

11、 RAID53

RAID7即高效數據傳送磁碟結構,是RAID3和帶區結構的統一,因此它速度比較快,也有容錯功能。但價格十分高,不易於實現。

個人使用磁碟RAID主要是用RAID0、 RAID1或RAID0+1工作模式。
參考資料:http://www.yesky.com/Hardware/72624946416713728/20030607/1705974.shtml

⑺ 小米手機8的雙屏在哪裡設置小米8的雙屏gbs在哪裡設置

小米8手機進入雙屏,點擊菜單鍵,點擊左上角的分配模式,長拖應用到分屏模式即可打開雙屏。至於雙頻GPS指的是硬體,同時支持雙頻段的GPS信號,無法進行設置,使用時下拉菜單,啟用雙頻GPS即可。

⑻ 諾基亞n78 使用gbs 要錢不

gps是完全免費的,它只是一個定位系統,所有費用都在你買時交在了那個接收晶元上,但是使用這個系統來工作的一些導航軟體在一些功能上是收費的,一般都會有收費的提示,只要注意一點就行,還有一些軟體使用在線地圖,會產生流量費用,你可以下載完整的地圖文件,避免在流量上花錢,這當然需要很大的存儲空間,r66都快1.3個G了,還有最重要一點,其實我從沒用過正版軟體,哈哈,絕對免費,當然建議你也去下載個破解版的吧

⑼ PC中的問題

內存方面的東西,自己看吧

AGP(Accelerated Graphics Port) -圖形加速介面
Intel開發的用於提高圖形處理速度的介面。它可以讓圖形的數據流直接在顯卡主控晶元和內存之間通信,不必經過顯存。

Access Time-存取時間
RAM 完成一次數據存取所用的平均時間(以納秒為單位)。存取時間等於地址設置時間加延遲時間(初始化數據請求的時間和訪問准備時間)。

Address-地址
就是內存每個位元組的編號。目的是按照該編號准確地到該編號的內存去存取數據。

ANSI (American National Standards Institute)
美國國家標准協會 - 一個專門開發非官方標準的非贏利機構,其目的在於提高美國工業企業的生產率和國際競爭力。

ASCII (American Standard Code for Information Interchange)
美國信息互換標准代碼--將文本編碼為二進制數的一種方法。 ASCII 編碼體系採用了8位二進制數的256種組合,來映射鍵盤的所有按鍵。用於數據處理系統,數據通訊系統及相應設備中進行信息交換。ASCII字元集由控制字元和圖形字元組成。

Async SRAM-非同步靜態內存
一種較為陳舊的SRAM,通常用來做電腦上的Level 2 Cache。

BSB (Backside Bus)
後端匯流排- CPU 和 L2 cache 之間的數據通道。

Bandwidth-帶寬
1、 傳輸數據信息的能力。信息交換的形式多種多樣,可以通過但根電線,也可以通過匯流排或信道的並行線。一言以蔽之,就是單位時間內數據的移動量,通常用位/ 秒、位元組/秒或赫茲(周/秒)表示。
2、 內存的數據帶寬:一般指內存一次能處理的數據寬度,也就是一次能處理若干位的數據。30線內存條的數據帶寬是8位,72線為32位,168線可達到64位。

Bank (參照memory bank)-內存庫
在內存行業里,Bank至少有三種意思,所以一定要注意。
1、 在SDRAM內存模組上,"bank 數"表示該內存的物理存儲體的數量。(等同於"行"/Row)
2、 Bank還表示一個SDRAM設備內部的邏輯存儲庫的數量。(現在通常是4個bank)。
3、 它還表示DIMM 或 SIMM連接插槽或插槽組,例如bank 1 或 bank A。這里的BANK是內存插槽的計算單位(也叫內存庫),它是電腦系統與內存之間數據匯流排的基本工作單位。只有插滿一個BANK,電腦才可以正常開機。舉個例子,奔騰系列的主板上,1個168線槽為一個BANK,而2個72線槽才能構成一個BANK,所以72線內存必須成對上。原因是,168線內存的數據寬度是64位,而72線內存是32位的。主板上的BANK編號從BANK0開始,必須插滿BANK0才能開機,BANK1以後的插槽留給日後升級擴充內存用,稱做內存擴充槽。

Bank Schema -存儲體規劃
一種圖解內存配置的方法。存儲體規劃由若干用來表示電腦主板上的內存插槽的行或列組成。行表示獨立的插槽;列代表bank數。

Base Rambus -初級的Rambus內存
第一代的Rambus內存技術,1995年面市。

Baud -波特
1、 表示通訊速率的一種單位,等於每秒傳輸一個碼元。
2、 在非同步傳輸中,表示調制速率的一種單位,相當於每秒一個單位間隔。

BGA (Ball Grid Array)-球狀引腳柵格陣列封裝技術
這是最近幾年開始流行的高密度表面裝配封裝技術。在封裝的底部,引腳都成球狀並排列成一個類似於格子的圖案,由此命名為BGA。目前的主板控制晶元組多採用此類封裝技術,材料多為陶瓷。

Binary -二進制
把數字或信息表示為若干bit的一種編碼規則。二進制(也叫base 2)中,所有數字都是由1和0這兩個數字的組合來表示。

BIOS (Basic Input-Output System) -基本輸入/輸出系統
啟動時自動載入的例行程序,用來為計算機的各種操作做准備。

Bit-位、比特
計算機所能處理信息的最小單位。因為是二進制,所以一個bit的值不是1就是0。

BLP-底部引出塑封技術
新一代內存晶元封裝技術,其晶元面積與封裝面積之比大於1:1.1,符合CSP封裝規范。此類內存晶元不但高度和面積小,而且電氣特性也得到了提高。

Buffer-緩沖區
一個用於存儲速度不同步的設備或優先順序不同的設備之間傳輸數據的區域。通過緩沖區,可以使進程之間的相互等待變少,從而使從速度慢的設備讀入數據時,速度快的設備的操作進程不發生間斷。

Buffered Memory-帶緩沖的內存
帶有緩存的內存條。緩存能夠二次推動信號穿過內存晶元,而且使內存條上能夠放置更多的內存晶元。帶緩存的內存條和不帶緩存的內存條不能混用。電腦的內存控制器結構,決定了該電腦上帶緩存的內存還是上不帶緩存的內存。

BEDO (Burst EDO RAM) -突發模式EDO隨機存儲器
BEDO內存能在一個脈沖下處理四個內存地址。形象地說,它一次可以傳輸一批數據。匯流排的速度范圍從50MHz 到 66MHz (與此相比,EDO內存速度是33MHz,FPM內存的速度是25MHz)。

Burst Mode-突發模式
當處理器向一個獨立的地址發出數據請求時,引發的數據區塊(連續的一系列地址)高速傳輸現象

Bus-匯流排
計算機的數據通道,由各種各樣的並行電線組成。CPU、內存、各種輸入輸出設備都是通過匯流排連接的。

Bus Cycle-匯流排周期
主存和CPU之間的一次數據交流。

Byte-位元組
信息量的單位,每八位構成一個位元組。位元組是一個用於衡量電腦處理信息量的常用的基本單位;幾乎電腦性能和技術規格的各個方面都用位元組數或其若干倍數來衡量(例如KB,MB)。

Cacheability-高速緩存能力
主板晶元組的高速緩存能力,是指主存能夠被L2 Cache所高速緩存的最大值。比方說,TX晶元組的主板由於L2 Cache對主存的映射(Mapping)的上限是64MB,所以當CPU讀取64MB之後的內存時無法使用高速緩存,系統性能就無法提高了。

Cache Memory-高速緩存存儲器
也叫cache RAM,在CPU旁邊或附帶在CPU上的一小塊高速內存(一般少於 1M聯系著CPU和系統內存。Cache memory 為處理器提供最常用的數據和指令。Level 1 cache也叫主高速緩存 (primary cache), 是離CPU最近的高速緩存,容量只有8KB~6KB,但速度相當快。Level 2 cache 也叫次高速緩存(secondary cache),是離CPU第二近的高速緩存,通常焊接在主板上,容量一般為64KB~1MB,速度稍慢。

CAS (Column Address Strobe)-列地址選通脈沖
在內存的定址中,鎖定數據地址需要提供行地址和列地址,行地址的選通由RAS控制,列地址的選通由CAS決定。

CL(CAS Latency )-列地址選通脈沖時間延遲
CL反應時間是衡定內存的另一個標志。CL是CAS Latency的縮寫,指的是內存存取數據所需的延遲時間,簡單的說,就是內存接到CPU的指令後的反應速度。一般的參數值是2和3兩種。數字越小,代表反應所需的時間越短。在早期的PC133內存標准中,這個數值規定為3,而在Intel重新制訂的新規范中,強制要求CL的反應時間必須為2,這樣在一定程度上,對於內存廠商的晶元及PCB的組裝工藝要求相對較高,同時也保證了更優秀的品質。因此在選購品牌內存時,這是一個不可不察的因素。

CDRAM (Cache DRAM)-快取動態隨機存儲器
同EDRAM(Enhanced DRAM)

Checksum-檢驗和,校驗和
在數據處理和數據通信領域中,用於校驗目的的一組數據項的和。這些數據項可以是數字或在計算檢驗和過程中看作數字的其它字元串。
參考Parity(校驗)

Chipset-晶元組
把主存、AGP插槽、PCI插槽、ISA插槽連接到CPU的外部控制邏輯電路,通常是兩個或兩個以上的微晶元,故稱做晶元組。晶元組通常由幾個控制器構成,這些控制器能夠控制信息流在處理器和其他構件之間的流動方式。

Chip-Scale Package (CSP)-晶元級封裝
薄晶元封裝,其電路連接通常是採用BGA(球狀引腳格狀陣列)。這種封裝形式一般用於RDRAM(匯流排式動態內存)和 flash memory(快閃記憶體)。

Compact Flash-緊湊式快閃記憶體
一種結構輕小的存儲器,用於可拆卸的存儲卡。CompactFlash 卡持久耐用,工作電壓低,掉電後數據不丟失。應用范圍包括:數碼相機、行動電話、列印機、掌上電腦、尋呼機,以及錄音設備。

Concurrent Rambus-並發式匯流排式內存
Rambus內存的第二代技術產品。Concurrent Rambus內存一般用於圖形工作站、數碼電視、視頻游戲機。

Continuity RIMM (C-RIMM)-連續性匯流排式內存模組
一種不帶內存晶元的直接匯流排式內存模組(Direct Rambus)。C-RIMM 為信號提供了一個連續的通道。在直接匯流排式內存系統中,開放的連接器必須安裝C-RIMM。

CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semicomctor)-互補金屬氧化物半導體
用於晶體管的一種半導體技術,結合了N型與P型晶體管的優勢,現在主要用於電腦晶元,如存儲器、 處理器等。

CPU (Central Processing Unit)-中央處理單元
計算機晶元的一種,其主要職能是解釋命令和運行程序。CPU也叫處理器(processor)或微處理器(microprocessor)。

Credit Card Memory -信用卡內存
主要用於膝上型電腦和筆記本電腦的一種內存。其外型尺寸猶如一個信用卡,因此而得名。

CSRAM
同Pentium II Xeron匹配的一種高速緩存,容量為512KB。

DDR(Double Data Rate SDRAM)- 雙數據輸出同步動態存儲器。
DDR SDRAM 從理論上來講,可以把RAM的速度提升一倍,它在時鍾的上升沿和下降沿都可以讀出數據。

Desktop-台式機,桌上型電腦

Die-模子,晶元顆粒

DIME (Direct Memory Execution)
直接內存執行功能

DIMM(Dual-In line Memory Mole)-雙邊接觸內存模組
形象的說:內存條正反兩面金手指是不導通的,如常見的有100線、168線、200線內存(long Dimm)和72線、144線(SO-Dimm)。DIMM一般有64位帶寬,並且正反面相同位置的引腳不同;而SIMM一般只有32位帶寬,需要兩條兩條同時使用,一般通過72線金手指與主板相連。

Direct Rambus-直接匯流排式隨機存儲器
Rambus 技術的第三代產品,它為高性能的PC機提供了一種全新的DRAM 結構。現在的SDRAM在64-bit的寬頻匯流排上速度只有100MHz;與此相對照,Direct Rambus在16-bit的窄通道上,其數據傳輸速度可高達800MHz 。

DIP (Dual In-line Package)-雙列直插式封裝,雙入線封裝
DRAM 的一種元件封裝形式。DIP封裝的晶元可以插在插座里,也可以永久地焊接在印刷電路板的小孔上。在內存顆粒直接插在主板上的時代,DIP 封裝形式曾經十分流行。 DIP還有一種派生方式SDIP(Shrink DIP,緊縮雙入線封裝),它比DIP的針腳密度要高6六倍。

Direct RDRAM-直接匯流排式動態隨機存儲器
該設備的控制線和數據線分開,帶有16位介面、帶寬高達800 MHz,效率大於90% 。一條Direct RDRAM 使用兩個8-bit 通道、工作電壓2.5V ,數據傳輸率可達到1.6 GBps 。 它採用一個分離的8位匯流排(用於地址和控制信號),並拓寬了8到16位或9到18位數據通道,時鍾達到400 MHz ,從而在每個針(pin)800Mbps的情況下(共計1.6 GBS)使可用數據帶寬最大化。

DMA (Direct Memory Access)-直接內存存取
通常情況下,硬碟光碟機等設備和內存之間的數據傳輸是由CPU來控制的。但在DMA模式下,CPU只須向DMA控制器下達指令,讓DMA控制器來處理數的傳送,數據傳送完畢再把信息反饋給CPU。這樣,CPU的負擔減輕了,數據傳輸的效率也有所提高。

DRAM (Dynamic Random-Access Memory)-動態隨機存儲器
最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM 必須隔一段時間刷新(refresh)一次。如果存儲單元沒有被刷新,數據就會丟失。

Dual Independent Bus (DI-雙重獨立匯流排
英特爾開發的一種匯流排結構,因為它通過兩個分開的匯流排(前端匯流排和後端匯流排)訪問處理器,所以DIB能提供更大的帶寬。奔騰II電腦就有DIB匯流排。

ECC(Error Correcting Code)-錯誤更正碼,糾錯碼
ECC是用來檢驗存儲在DRAM中的整體數據的一種電子方式。ECC在設計上比parity更精巧,它不僅能檢測出多位數據錯誤,同時還可以指定出錯的數位並改正。通常ECC每個位元組使用3個Bit來糾錯,而parity只使用一個Bit。
ECC另有一種解釋是Error Checking & Correction ,既錯誤檢查與更正。
帶ECC的內存比普通SDRAM內存多1、2個晶元,價格很昂貴,一般用在工作站或伺服器上。

EDO DRAM(Extended Data Out DRAM)-擴展數據輸出動態存儲器
有的也叫Hyper Page Mode DRAM。 EDO的讀取方式取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔,在把數據發送給CPU的同時去訪問下一個頁面,從而提高了工作效率(約比傳統的DRAM快15~30%)。
EDO內存一般為72線(SIMM),也有168線(DIMM),後者多用於蘋果公司的Macintosh電腦上。

EDRAM (Enhanced DRAM)-增強型動態隨機存儲器
動態隨機存儲器的一種,內部集成2 或 8 Kbit靜態隨機存儲器(SRAM,Static Random Access Memmory),用於緩存讀取過的信息。如果下次讀取的數據在SRAM內,則直接輸出以加快讀取速度,否則再到DRAM內尋找。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)
電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電後數據不丟失的存儲晶元。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息,重新編程。一般用在即插即用(Plug & Play)介面卡中,用來存放硬體設置數據;防止軟體非法拷貝的"硬體鎖"上面也能找到它。

EISA (Extended ISA)-擴展工業標准結構
將附加卡(例如視頻卡、內置式MODEM等)連接到PC機主板的一種匯流排標准。EISA有一個32位的數據通道,使用能夠接受ISA卡的連接器。不過,EISA卡只能與EISA系統匹配。EISA匯流排的操作頻率比ISA高得多,並且能夠提供比ISA快得多的數據吞吐率。

EMI (Electron-Magnetic Interference)-電磁干擾
任何產生電磁場的電子設備都會或多或少地產生雜訊場,干擾其附近的電子設備,這種現象就叫做電磁干擾。

EMS(Expanded Memory Specification)-擴充內存規范
這是由AST、Intel、微軟公司共同開發的一種能讓DOS突破640KB定址范圍的規范,可以讓DOS對640KB甚至1M之間的地址進行頁面式的訪問。需要有專用的驅動管理程序支持,如EMM386.EXE

EOS (ECC on SIMM)
IBM公司的一種數據完整性檢測技術,它的一個明顯特徵就是在SIMM(單邊接觸內存模組)上帶有檢測數據完整性的ECC(自動檢錯碼)晶元。

EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)-可擦可編程只讀存儲器
一種可以重復利用的可編程晶元。其內容始終不丟失,除非您用紫外線擦除它。一般給EPROM 編程或擦除內容時,需要用專用的設備。

ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)-增強型同步動態內存
Enhanced Memory Systems, Inc 公司開發的一種SDRAM,帶有一個小型的靜態存儲器。在嵌入式系統中, ESDRAM代替了昂貴的SRAM (靜態隨機存儲器),其速度與SRAM相當,但成本和耗電量卻比後者低得多。

Even Parity-偶校驗
一種來檢測數據完整性的方法。與奇校驗相反,8個數據位與校驗位加起來有偶數個1。具體參考Odd Parity奇校驗。

FCRAM (Fast-Cycle RAM)-快速周期隨機存儲器
東芝(Toshiba)和富士通(Fujitsu)公司正在開發的一種內存技術。開發FCRAM 的目的不是用來做PC機的主存,而是用在某些特殊的設備:例如一些高端伺服器、列印機,還有一些遠程通訊的交換系統。

Fast-Page Mode-快速翻頁模式
一種比較老的DRAM。與比它還早的頁面模式內存技術相比,它的優勢是在訪問同一行的數據時速度比較快。

Firmware-固件,韌件
簡單地說,就是含有程序的存儲器,負責管理所附裝置的底層數據和資源。

Flash Memory-閃爍存儲器,快閃記憶體
閃爍存儲器在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息,但是數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位。區塊大小一般由256K到20MB。FLASH這個詞最初由東芝因為該晶元的瞬間清除能力而提出。源於EPROM,快閃記憶體晶元價格不高,存儲容量大。快閃記憶體正在成為EPROM的替代品,因為它們很容易被升級。快閃記憶體被用於PCMCIA卡,PCMCIA快閃記憶體檔,其它形式硬碟,嵌入式控制器和SMART MEDIA。如果快閃記憶體或其它相關的衍生技術能夠在一定的時間內清除一個位元組,那將導致永久性的(不易失)RAM的到來。

Form Factor-形態特徵
用來描述硬體的一些技術規格,例如尺寸、配置等。比方說,內存的形態特徵有:SIMM(單邊), DIMM(雙邊), RIMM(匯流排式), 30線, 72線, and 168線。

FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)-快速翻頁動態存儲器
一種改良型的DRAM,一般為30線或72線內存。
若CPU所需的地址在同一行內,在送出行地址後,就可以連續送出列地址,而不必再輸出行地址。一般來講,程序或數據在內存中排列的地址是連續的,那麼輸出行地址後連續輸出列地址,就可以得到所需數據。這和以前DRAM存取方式相比要先進一些(必須送出行地址、列地址才可讀寫數據)。

FSB (Frontside Bus)-前端匯流排
在CPU和內存之間的數據通道。

Gigabyte /GB-吉(咖)位元組
約為10億位元組,准確的數值為1,0243 (1,073,741,824) 位元組。

Gigabit /Gb-吉(咖)比特,吉位
約為10億位,准確的數值為1,0243 (1,073,741,824) bit。

Heat Spreader-散熱片
覆蓋在電子設備上的用於散熱的外殼,多為鋁製品。

Heat Sink-散熱片
CPU上常用的散熱部件,一般為鋅合金製造。

HY (Hyundai)-韓國現代電子公司

Hyper Page Mode DRAM
同EDO DRAM

IC (Integrated Circuit)-集成電路
半導體晶元上的電路(有時也被稱為晶元或微晶元)由成千上萬個微小電阻、電容、晶體管組成。半導體晶元通常封裝在塑料或者陶瓷的外殼中,導線引腳露在外面。
特殊的IC 根據其作用可以分為線性晶元和數字晶元。

主要的內存IC廠商代號:

代 號
廠商英文名
廠商中文名
代 號
廠商英文名
廠商中文名

KM
SamSung
三星
TC
Toshiba
東芝

LH
Sharp
夏普
MN
Panasonic
松下

HM
Hitachi
日立
HY
Hyundai
現代

M5M
Mitsubishi
三菱
GM
LG_Semicon
金星

MCM
Motorola
摩托羅拉
MSM
OKI
沖電子

MT
Micron
邁克龍
MB
Fujitsu
富士通

TMS
TI
德州儀器
AAA
NMB
1

uPD
NEC
日電
2
3
4

Interleaving -交叉存取技術
加快內存速度的一種技術。舉例來說,將存儲體的奇數地址和偶數地址部分分開,這樣當前位元組被刷新時,可以不影響下一個位元組的訪問。

IT (Information Technology)-信息技術
IT行業,指與計算機、網路和通信相關的技術。

JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council)
電子元件工業聯合會。JEDEC是由生產廠商們制定的國際性協議,主要為計算機內存制定。工業標準的內存通常指的是符合JEDEC標準的一組內存。

Kilobit -千位
約為一千位,准確數值是 210 (1,024) 位。

Kilobyte-千位元組
約為一千位元組,准確數值是 210 (1,024) 位元組。

KingHorse-香港駿一電子公司
香港駿一電子集團有限公司始創於一九九四年一月,公司草創初期主要從事電腦機箱、電源、顯示器、鍵盤、主機板等電腦配件在大陸的銷售業務。經過幾年的整合,香港駿一以Kinghorse為品牌,專業從事台式計算機、筆記本、伺服器、工作站以及計算機外圍設備特種內存產品的研發、生產、銷售,在香港及大陸均設有OEM廠家,並致力於中國信息產業的發展而努力。

Kingmax-勝創公司
成立於1989年的勝創科技有限公司是一家名列中國台灣省前200強的生產企業(Commonwealth Magazine,May 2000),同時也是內存模組的引領生產廠商。除台灣省內的機構之外,勝創科技在全球四大洲擁有9個辦事處,公司在美國、中國、澳大利亞和荷蘭擁有超過390名員工。

Kingston-金仕頓科技公司
金仕頓科技公司是一家設計和生產用於PC機、伺服器、工作站、筆記本、路由器、列印機、和其他一些電子設備內存、處理器的公司。該公司於1987年由杜紀川和孫大衛先生創立,現在已經發展成產品超過2000種、年銷售額超過16億美圓的公司。

Latch-鎖存(數據)
鎖存器:電子學中的一種電路,可維持所承擔的位置或狀態,直到由外部手段將其復位到它前一種狀態。SRAM就是用鎖存器製作的。

L1 (Level 1 Cache) -一級高速緩存
也叫 primary cache,L1 Cache是在處理器上或離處理器最近的一小塊高速存儲器。 L1 Cache 為處理器提供最常用的數據和指令。

L2(Level 2 Cache)-二級高速緩存
也叫 secondary cache,L2 Cache 是離處理器較近(通常在主板上)的一小塊高速存儲器。L2 Cache為處理器提供最常用的數據和指令。在主板上的Level 2 cache 可以刷新、升級。

LGS (Goldstar)-金星
主要內存生產廠家

Logic Board-主板
同 Motherboard。

Mask ROM
生產固件時,先製造一顆含有原始數據的ROM作為模板,然後大批生產內容完全相同的ROM。這種方法大批量生產的ROM就叫做Mask ROM

MDRAM (Multibank Dynamic RAM)-多BANK動態內存
MDRAM是MoSys公司開發的一種VRAM(視頻內存),它把內存劃分為32KB的一個個BANK(存儲庫),這些BANK可以單獨訪問,每個儲存庫之間以高於外部的數據速度相互連接。其最大特色是具有"高性能、低價位"特性,最大傳輸率高達666MB/S,一般用於高速顯卡。

Megabit -兆位
約為一百萬位,准確數值是1,0242 (1,048,576)位。

Megabyte-兆位元組
約為一百萬位元組,准確數值是1,0242 (1,048,576)位元組。

Memory -存儲器,記憶體,內存
一般指電腦的RAM(random access memory)隨機存儲器,其主要用途是讀取程序和臨時保存數據;最為常見的內存晶元是DRAM。這一術語有時也用來指所有的用來存儲數據的電子設備。

Memory Bank-存儲體,〔記憶庫〕
由一些地址相鄰的存儲單元組成的一種存儲塊,其大小由所在的計算機決定。比方說,32位的CPU必須使用一次能提供32位信息的memory bank。一個bank可能由一個或多個內存模組構成。

Memory Bus-內存匯流排
從CPU到內存擴展槽的數據匯流排。

Memory Controller Hub (MCH)-內存控制中心
Intel 8xx(例如820或840)晶元組中用於控制AGP、CPU、內存(RDRAM)等組件工作的晶元。

Memory Translator Hub (MTH)-內存轉譯中心
一種內存介面,通過它可以使Intel 820晶元組的主板的Direct Rambus 信道支持SDRAM內存。

Micro BGA (μBGA)-縮微型球狀引腳柵格陣列封裝
Tessera, Inc. 公司開發的的一種BGA 晶元封裝技術,主要用於高頻工作的RDRAM。這種技術能把晶元尺寸做得更小,提高了散熱性,使內存條的數據密度增大了。

MIT (Mitsubishi)-日本三菱公司

Motherboard-主板
也叫logic board、main board或 computer board,是計算機系統的主體部分。電腦的CPU、內存、輸入輸出介面和擴展槽等大部分硬體都安裝在主板上面。

Ms (millisecond) -毫秒
千分之一秒。

Multi-Way Interleaved
多重交錯式內存存取結構,巫毒卡2代所採取的一種技術。

Nanosecond (ns)-納秒,〔末秒,毫微秒〕
十億分之一(10-9)秒。 內存的數據存取時間以納秒為單位。

Nibble -半位元組, 四位位元組

Non-Composite
蘋果電腦的內存術語,表示一種採用了新技術的內存條。該內存條上的晶元顆粒很少,但數據密度卻非常高。Non-composite 內存條比 composite 內存條工作更可靠,但價格也相對很高。

Odd Parity-奇校驗
校核數據完整性的一種方法,一個位元組的8個數據位與校驗位(parity bit )加起來之和有奇數個1。校驗線路在收到數後,通過發生器在校驗位填上0或1,以保證和是奇數個1。因此,校驗位是0時,數據位中應該有奇數個1;而校驗位是1時,數據位應該有偶數個1。如果讀取數據時發現與此規則不符,CPU會下令重新傳輸數據。

Page mode-頁面模式
現在該技術已經被淘汰。在頁面模式下,每次訪問DRAM的同一行的每一列時,都會十分迅速。(參考FPM)

Parity:(Even / Odd)-奇偶校驗
也叫Parity Check,在每個位元組(Byte)上加一個數據位(Data Bit)對數據進行檢查的一種冗餘校驗法。它是根據二進制位元組中的"0"或"1"的數目是奇數還是偶數來進行校驗的。在二進制位元組中增加了一個附加位,用來表示該位元組中的"0"或"1"的數目是奇數還是偶數。經過傳輸或存儲後,再計算一次校驗和(Checksum),如果與附加位一致,證明傳輸或存儲中沒有錯誤。
奇偶校驗位主要用來檢查其它8位(1 Byte)上的錯誤,但是它不象ECC(Error Correcting Code錯誤更正碼),parity只能檢查出錯誤而不能更正錯誤。奇偶校驗的致命弱點是檢查出錯誤後無法斷定錯在哪一位,容易死機,所以現在很少用了。取而代之的是ECC。

PB-SRAM (Pipelined Burst SRAM)-管道突發式靜態內存
屬於Level 2 Cache,多用於486後期及Pentium以上的主板。

PC100
JEDEC 和Intel制定的一種SDRA

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