存儲器的讀取

① 計算機不同存儲器讀取的速度大小是什麼 誰最快誰有最慢 排一下序

你好！
級CACHE最快，二級CACHE次之，然後是內存，最後是硬碟和移動存儲設備
如果對你有幫助，望採納。

② 4. 存儲器的讀寫操作是怎樣的

1.存儲器通過加法處理器對CS:IP進行處理,得到一個物理地址;
2.通過地址匯流排在內存中找到物理地址,在物理地址內存中找到對應的機器碼即匯編指令
3.機器碼通過數據匯流排到達指令緩沖器
4.執行機器碼
至於是讀還是寫就要看匯編指令是怎麼的了

③ 計算機如何對存儲器進行讀寫操作

計算機先把存儲器地址寫到地址匯流排上，在把數據放到數據匯流排上，這樣就可以把數據寫到正確的存儲單元。

計算機先把存儲器地址寫到地址匯流排上，存儲器在把數據放到數據匯流排上，這樣計算機就可以從數據匯流排上讀取數據了。

④ 存儲器讀寫速度的排列

Cache、內存、光碟、硬碟。

首先，CACHE是CPU的緩存，和CPU速度一致，用於平衡CPU和內存的速度差，是速度最快的；其次是RAM。因為內存儲存的是電腦的緩存，需要快速調用，速度必須快。比如ddr3 1333mhz內存的速度約是10.664GB/s.

ROM和硬碟是一個東西。u盤和硬碟也是同一類東西。而且速度也不好比。例如，硬碟分為機械硬碟和固態硬碟，固態硬碟比機械硬碟快很多。

(4)存儲器的讀取擴展閱讀：

數據存儲器用於存放可隨時修改的數據。數據存儲器擴展使用隨機存儲器晶元，隨機存儲器簡稱RAM。對RAM可以進行讀/寫兩種操作，但RAM是易失性存儲器，斷電後所存信息消失。

按其工作方式，RAM又分為靜態和動態兩種。靜態RAM只要電源加電信息就能保存；而動態RAM使用的是動態存儲單元，需要不斷進行刷新以便周期性的再生才能保存信息。

⑤ 什麼是存儲器的讀操作什麼是存儲器的寫操作

是把值存在寄存器里吧，然後可以從寄存器里讀，類似於使用變數

⑥ 單片機裡面CPU讀寫存儲器的步驟過程

1)存儲器的讀操作。例如，若要將存儲器40H中的內容50H讀出，其過程如下：

①CPU將地址碼40H送到地址匯流排上，經存儲器地址解碼器選通地址為40H的存儲單元：
②CPU發出「瀆」信號，存儲器讀/寫控制開關將數據傳輸方向撥向「讀」；

③存儲器將地址為40H的存儲單元中的內容50H送到數據匯流排上；

④CPU將數據匯流排上的數據50H讀人指定的某一寄存器。
對存儲單元的讀操作，不會破壞其原來的內容。相當於復制。

2)存儲器的寫操作。例如，若要將數據ABH寫入存儲器地址為CDH的存儲單元中，其過程如下： 內容來自單片機之家www.dpj100.com
①CPU將地址碼CDH送到地址匯流排上，經存儲器地址解碼器選通地址為CDH的存儲單元；
②CPU將數據ABH送到數據匯流排上；

③CPU發出「寫」信號，存儲器讀／寫控制開關將數據傳送方向撥向「寫」；
④存儲器將數據匯流排上的數據ABH送人已被選中的地址為CDH的存儲單元中。

⑦ 存儲器信息讀取

搞不通你想編程呢還是只是告訴分析
以位元組讀出30022H和30024H單元的內容，就是它們對應的那個地址內的內容：（30022h）=ABH、（30024）=EFH；因為在存儲器中內容都是以位元組存放的
以字讀30021H和30022H單元的內容，因為在存儲器中讀內容時先讀高地址再讀低地址。所以：（30021h）=AB34H、（30022h）=CDABH

⑧ 存儲器的分類及它們的讀取順序

★ 按存儲介質分

半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。

磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。

★ 按存儲方式分

隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。

順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。

★ 按存儲器的讀寫功能分

只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。

隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。

★ 按信息的可保存性分

非永久記憶的存儲器：斷電後信息即消失的存儲器。

永久記憶性存儲器：斷電後仍能保存信息的存儲器。

★ 按在計算機系統中的作用分

根據存儲器在計算機系統中所起的作用，可分為主存儲器、輔助存儲器、高速緩沖存儲

器、控制存儲器等。

⑨ 存儲器的讀寫過程是什麼樣的

首頁 采購專區 供應專區 技術資料 環保電子 商情資訊 我的B2BIC

5.1 存儲器系統基本知識

作者： 時間： 2008-04-10 來源：

5.1.1存儲器的分類

按照存儲介質不同，可以將存儲器分為半導體存儲器、磁存儲器、激光存儲器。

這里我們只討論構成內存的半導體存儲器。

按照存儲器的存取功能不同，半導體存儲器可分為只讀存儲器（Read Only Memory簡稱ROM）和隨機存儲器（Random Access Memory簡稱RAM）

1.只讀存儲器（ROM）

ROM的特點是把信息寫入存儲器以後，能長期保存，不會因電源斷電而丟失信息。計算機在運行過程中，只能讀出只讀存儲器中的信息，不能再寫入信息。一般地，只讀存儲器用來存放固定的程序和數據，如微機的監控程序、匯編程序、用戶程序、數據表格等。根據編程方式的不同，ROM共分為以下5種：

(1)掩模工藝ROM

這種ROM是晶元製造廠根據ROM要存貯的信息，設計固定的半導體掩模版進行生產的。一旦制出成品之後，其存貯的信息即可讀出使用，但不能改變。這種ROM常用於批量生產，生產成本比較低。微型機中一些固定不變的程序或數據常採用這種ROM存貯。

(2)可一次性編程ROM（PROM）

為了使用戶能夠根據自己的需要來寫ROM，廠家生產了一種PROM。允許用戶對其進行一次編程──寫入數據或程序。一旦編程之後，信息就永久性地固定下來。用戶可以讀出和使用，但再也無法改變其內容。

(3)紫外線擦除可改寫ROM（EPROM）

可改寫ROM晶元的內容也由用戶寫入，但允許反復擦除重新寫入。EPROM是用電信號編程而用紫外線擦除的只讀存儲器晶元。在晶元外殼上方的中央有一個圓形窗口，通過這個窗口照射紫外線就可以擦除原有的信息。由於陽光中有紫外線的成分，所以程序寫好後要用不透明的標簽封窗口，以避免因陽光照射而破壞程序。EPROM的典型晶元是Intel公司的27系列產品，按存儲容量不同有多種型號，例如2716（2KB′8）、2732（4KB′8）、2764（8KB′8）、27128（16KB′8）、27256（32KB′8）等，型號名稱後的數字表示其存儲容量。

(4)電擦除可改寫ROM（EEPROM或E2PROM）

這是一種用電信號編程也用電信號擦除的ROM晶元，它可以通過讀寫操作進行逐個存儲單元讀出和寫入，且讀寫操作與RAM存儲器幾乎沒有什麼差別，所不同的只是寫入速度慢一些。但斷電後卻能保存信息。典型E2PROM晶元有28C16、28C17、2817A等。

(5)快擦寫ROM（flash ROM）

E2PROM雖然具有既可讀又可寫的特點，但寫入的速度較慢，使用起來不太方便。而flash ROM是在EPROM和E2PROM的基礎上發展起來的一種只讀存儲器，讀寫速度都很快，存取時間可達70ns，存儲容量可達16MB~128MB。這種晶元可改寫次數可從1萬次到100萬次。典型flash ROM晶元有28F256、28F516、AT89等。

2.隨機存儲器RAM（也叫讀寫存儲器）

讀寫存儲器RAM按其製造工藝又可以分為雙極型RAM和金屬氧化物RAM。

(1) 雙極型RAM
雙極型RAM的主要特點是存取時間短，通常為幾到幾十納秒（ns）。與下面提到的MOS型RAM相比，其集成度低、功耗大，而且價格也較高。因此，雙極型RAM主要用於要求存取時間短的微型計算機中。

(2) 金屬氧化物（MOS）RAM
用MOS器件構成的RAM又分為靜態讀寫存儲器（SRAM）和動態讀寫存儲器（DRAM）。

j靜態RAM（SRAM）

靜態RAM的基本存儲單元是MOS雙穩態觸發器。一個觸發器可以存儲一個二進制信息。靜態RAM的主要特點是，其存取時間為幾十到幾百納秒（ns），集成度比較高。目前經常使用的靜態存儲器每片的容量為幾KB到幾十KB。SRAM的功耗比雙極型RAM低，價格也比較便宜。

k動態RAM（DRAM）

動態RAM的存取速度與SRAM的存取速度差不多。其最大的特點是集成度特別高。其功耗比SRAM低，價格也比SRAM便宜。DRAM在使用中需特別注意的是，它是靠晶元內部的電容來存貯信息的。由於存貯在電容上的信息總是要泄漏的，所以，每隔2ms到4ms，DRAM要求對其存貯的信息刷新一次。

l集成RAM（i RAM）

集成RAM――Integrated RAM，縮寫為i RAM，這是一種帶刷新邏輯電路的DRAM。由於它自帶刷新邏輯，因而簡化與微處理器的連接電路，使用它和使用SRAM一樣方便。

m非易失性RAM（NVRAM）

非易失性RAM――Non-Volatile RAM，縮寫為NVRAM，其存儲體由SRAM和EEPROM兩部分組合而成。正常讀寫時，SRAM工作；當要保存信息時（如電源掉電），控制電路將SRAM的內容復制到EEPROM中保存。存入EEPROM中的信息又能夠恢復到SRAM中。

NVRAM既能隨機存取，又具有非易失性，適合用於需要掉電保護的場合。

5.1.2存儲器的主要性能指標
1.存貯容量
不同的存儲器晶元，其容量不一樣。通常用某一晶元有多少個存貯單元，每個存貯單元存貯若干位來表示。例如，靜態RAM6264的容量為8KB′8bit，即它有8K個單元（1K＝1024），每個單元存貯8位（一個位元組）數據。

2.存取時間
存取時間即存取晶元中某一個單元的數據所需要的時間。在計算機工作時，CPU在讀寫RAM時，它所提供的讀寫時間必須比RAM晶元所需要的存取時間長。如果不能滿足這一點，微型機則無法正常工作。

3.可靠性
微型計算機要正確地運行，必然要求存儲器系統具有很高的可靠性。內存的任何錯誤就足以使計算機無法工作。而存儲器的可靠性直接與構成它的晶元有關。目前所用的半導體存儲器晶元的平均故障間隔時間（MTBF）大概是（5′106∽1′108）小時左右。

4.功耗
使用功耗低的存儲器晶元構成存儲器系統，不僅可以減少對電源容量的要求，而且還可以提高存貯系統的可靠性。

關於我們 | 網站地圖 | 推薦給朋友 | 友情鏈接 | 服務介紹 | 配套雜志 | IC庫存
E-mail：[email protected]
Copyright (c) 2003-2008 經營許可證號：冀B2 - 20060071 備案序號：冀ICP備字05001825號
Powered by POAKs 5010375

⑩ 簡述存儲器讀出操作和寫入操作的工作過程（用來提交作業的，想要簡潔點），謝謝了！

進行寫操作時，假定CPU要把數據寄存器（DR）中的內容00100110，即26H寫入寄存器08H單元，即：

①CPU的地址寄存器(AR) 先把地址08H放到數據匯流排上, 經解碼器選中08H 單元；

②CPU把數據寄存器中的內容26H放到數據匯流排上；

③CPU向寄存器發送寫控制信號，在該信號的控制下，將內容08H寫入被定址的08H單元。

讀操作完成後，04H單元中的內容97H仍保持不變這種特點稱為非破壞性讀出。因此他允許多次獨處同一內容。寫入操作將破壞該單元中原來存放的內容，即由新內容26H代替了原內容，原內容被清除。