存儲顆粒區分

㈠ 內存顆粒、快閃記憶體顆粒的區別

快閃記憶體是利用了快閃記憶體技術的非易失性存儲顆粒，一般用於sd卡，tf卡，u盤等小型存儲設備。內存是系統運行時暫時保存文件的隨機存儲驅動器，是易失性的，也就是只有通電狀況下才能保存，完全是兩種技術。

㈡ 內存顆粒打字區分

內存條上的黑色小方塊也就是內存顆粒，越多內存的容量越大。
在內存容量一定的情況下，單面雙面也就是方塊的多少並沒有性能優異的區別，只是單面的集成度高而已。
內存顆粒是內存條重要的組成部分，內存顆粒將直接關繫到內存容量的大小和內存體制的好壞。

㈢ SSD中快閃記憶體顆粒TLC和MLC有什麼區別它們分別能寫多少數據

slc、mlc、tlc快閃記憶體晶元顆粒區別介紹

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命；

MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命

TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500-1000次擦寫壽命。

㈣ 內存條如何分辨多少顆粒

您好，內存條顆粒直接就能看出來的。內存條所謂顆粒就是內存的晶元，內存條有幾個晶元，肉眼就能看出來。
這條內存是8顆粒的。
看背面，背面如果也有8顆，就是16顆粒的。背面如果沒有顆粒就是8顆粒的。
一般，16顆粒雙面的，比8顆粒的兼容性好。而8顆粒的，因為結構簡單，通常比16顆粒的穩定。
16顆粒的內存條比8位的內存條穩定，但是價錢也會上浮。

㈤ 內存顆粒怎麼看

金士頓可以說是世界第一大內存生產廠商，其使用的內存顆粒，既有金士頓自己研發的產品顆粒，更多的則是採用其他廠商生產的內存顆粒，如今市面上營銷最多用到的就是海力士顆粒和鎂光顆粒的。

3. 雖然金士頓和KingMax、Apacer這類品牌內存都使用的自己生產的顆粒，假冒產品較少。但是還有手段高超的奸商「造」出了假貨，最近在市場就上出現了仿冒的金士頓內存，其使用的是三星的原廠內存進行仿冒的。不過假冒內存條的識別方法也很簡單，只需要注意在PCB板上印有SUNSAMG的字樣（由於工藝問題造假者還不太容易將其去掉）我們在購買的時候也可以看產品是否具有代理商提供的防偽標簽，並且可以撥打防偽電話辨別真偽。

㈥ 如何辨別內存條顆粒。

Samsung內存

具體含義解釋：

例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0

主要含義：

第1位——晶元功能K，代表是內存晶元。

第2位——晶元類型4，代表DRAM。

第3位——晶元的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。

第11位——連線「-」。

第14、15位——晶元的速率，如60為6ns；70為7ns；7B為7.5ns(CL=3)；7C為7.5ns(CL=2)；80為8ns；10為10ns(66MHz)。

知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位「28」代表該顆粒是128Mbits，第6、7位「08」代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存 條的容量是128Mbits（兆數位）×16片/8bits=256MB（兆位元組）。

註：「bit」為「數位」，「B」即位元組「byte」，一個位元組為8位則計算時除以8。關於內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC 內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數 據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判 定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。

Hynix(Hyundai)現代

·「8」是內存條晶元結構，代表改內存由8顆晶元構成。(4=4顆晶元；8=8顆晶元；16=16顆晶元；32=32顆晶元)

·「2」指內存的bank(儲蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)

·「2」代表介面類型為SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)

·「B」是內核代號為第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)

·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，該內存條的能源消耗代碼為空，因此為普通型。

·封裝類型用「T」表示，即TSOP封裝。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)

·封裝堆棧，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述內存為空白，代表是普通封裝堆棧。

·封裝原料，空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素。該內存為普通封裝材料。

·「D43」表示內存的速度為DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)

·工作溫度，一般被省略。I=工業常溫(-40～85度)；E=擴展溫度(-25～85度)

現代內存的含義：

HY5DV641622AT-36

HYXXXXXXXXXXXXXXXX

123456789101112

1、HY代表是現代的產品

2、內存晶元類型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；

3、處理工藝及工作電壓：(空白=5V；V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)

4、晶元容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新

5、代表晶元輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位

6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系

7、I/O界面：1:SSTL_3、 2:SSTL_2

8、晶元內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新

9、代表功耗：L=低功耗晶元，空白=普通晶元

10、內存晶元封裝形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ

11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A

現代的mBGA封裝的顆粒

Infineon（英飛凌）

Infineon 是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為 256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存 顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/4bits，「128」標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如： HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。

Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。

-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；

-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。

例如：

1條Kingston的內存條，採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為：128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆位元組）。

1條Ramaxel的內存條，採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為：128Mbits（兆數位）×8片/8=128MB（兆位元組）。

KINGMAX、kti

KINGMAX內存的說明

Kingmax 內存都是採用TinyBGA封裝（Tinyballgridarray）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用Kingmax顆粒製作的內存條全 是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。

容量備註：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間×4位數據寬度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間×8位數據寬度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間×4位數據寬度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間×8位數據寬度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空間×16位數據寬度。

Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：

-7A——PC133/CL=2；

-7——PC133/CL=3；

-8A——PC100/CL=2；

-8——PC100/CL=3。

例如一條Kingmax內存條，採用16片KSV884T4A0A-7A的內存顆粒製造，其容量計算為：64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆位元組）。

Micron（美光）

以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。

含義：

MT——Micron的廠商名稱。

48——內存的類型。48代表SDRAM；46代表DDR。

LC——供電電壓。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。

16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。

A2——內存內核版本號。

TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。

-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

實例：一條MicronDDR內存條，採用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。

其容量計算為：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆位元組）。

Winbond（華邦）

含義說明：

WXXXXXXXX

12345

1、W代表內存顆粒是由Winbond生產

2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDRRAM

3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H；

4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝

5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ

Mosel（台灣茂矽）

台 灣茂矽科技是台灣一家較大的內存晶元廠商，對大陸供貨不多，因此我們熟悉度不夠。這顆粒編號為V54C365164VDT45，從編號的6、7為65表示 單顆粒為64/8＝8MB，從編號的8、9位16可知單顆粒位寬16bit，從編號的最後3位T45可知顆粒速度為4.5ns

NANYA（南亞）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR

南亞科技是全球第六大內存晶元廠商，也是去年台灣內存晶元商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。這顆顯存編號為NT5SV8M16CT-7K，其中第 4位字母「S」表示是SDRAM顯存，6、7位8M表示單顆粒容量8M，8、9位16表示單顆粒位寬16bit，-7K表示速度為7ns。

AP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLD

M.tec（勤茂）、TwinMOS（勤茂）

V-DATA（香港威剛）、A-DATA（台灣威剛）、VT

內存顆粒編號為VDD8608A8A-6B H0327，是6納秒的顆粒，單面8片顆粒共256M容量，0327代表它的生產日期為2003年第27周

A－DATA

這是A－DATA的DDR500

㈦ 內存條的顆粒數多少有何區別

1、內存條上的黑色小方塊也就是內存顆粒，越多內存的容量越大，如果在內存容量一定的情況下，單面雙面也就是方塊的多少並沒有性能優異的區別，只是單面的集成度高而已。
2、內存顆粒是內存條重要的組成部分，內存顆粒將直接關繫到內存容量的大小和內存體制的好壞。因此,一個好的內存必須有良好的內存顆粒作保證。

㈧ 內存的顆粒是否影響性能有什麼區分

絕對有影響的啊，內存的性能就是取決於顆粒的好壞。現在主要的幾大內存顆粒廠商有像奇夢達（已經破產），英飛凌，億能，三星和海力士。這些都是比較好的顆粒廠商，他們之間的差距非常小。不過就是其中有些批次的顆粒由於一些突出的能力而受到玩家的追捧，像奇夢達以前的一批顆粒由於超頻能力出色而使得使用該顆粒的內存在市場上一度脫銷。一般認為三星的顆粒穩定性比較好，但默認參數較低，所以適合注重默認情況下使用的用戶。而像奇夢達，億能的顆粒由於出廠時的參數比較保守，同時顆粒的「體質」較好，適合喜歡極端的玩家。但這只是一個大概的論述，並不代表該品牌的全部，像三星也有性能「強悍」的系列，關鍵就看你如何選擇了

㈨ 內存8顆粒和16顆粒的區別

8顆粒單面內存和16顆粒雙面內存，它們本身沒有什麼好壞之分，區別也很小，用戶根據個人需要去選用。
以前單顆顆粒容量不高，需要做成大容量內存條的，就得多裝顆粒，所以在內存條兩面都裝上了顆粒。現在新技術單顆顆粒容量提高了，比如說同容量的內存，以前在兩邊要用16顆，現在只在一邊裝8顆就行了。
一、從性能上來說，8顆粒和16顆粒的內存條無太大的性能差異。雙面16顆粒但技術落後，結構復雜，出錯的機率大，但內存兼容性要好些。單面8顆粒內存技術新一些，結構簡單，出錯的機率小，更穩定。
二、從耗電上來說，同一容量同一頻率的內存條16顆粒要比8顆粒的越多耗電多，發熱量大。
三、從成本上來說，8顆粒的內存條相比16顆粒的內存條成本要高一些，售價相對要高些。
四、用戶在使用中注意
1、單雙面內存混用，出現不兼容的機率會高，盡量不要混用。
2、一些老主板支持內存除了容量外，對內存面有一定的限制，盡管主板上有空閑插槽，超過了它的支持范圍，是不支持的，這時就需要改用單面內存。

㈩ MLC與TLC顆粒的差別是什麼

1.在U盤、SSD等固態存儲產品中，快閃記憶體晶元顆粒是核心，其關乎產品成本、壽命以及速度。快閃記憶體晶元顆粒主要有三種類型，分別為SLC、MLC、TLC，三者之間的區別，如下。

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命；

MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命

TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500-1000次擦寫壽命。

2.目前大多數U盤都是採用TCL晶元顆粒，其優點是價格便宜，不過速度一般，壽命相對較短。