安全柵存儲

A. 固態硬碟slc mlc tlc怎麼區分

SLC、MLC和TLC
X3(3-bit-per-cell)架構的TLC晶元技術是MLC和TLC技術的延伸,最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell),原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料,直到MLC(Multi-Level Cell)技術接棒後,架構演進為1個存儲器儲存單元存放2位元.
2009年TLC架構正式問世,代表1個存儲器儲存單元可存放3位元,成本進一步大幅降低.
如同上一波SLC技術轉MLC技術趨勢般,這次也是由NAND Flash大廠東芝(Toshiba)引發戰火,之後三星電子(Samsung Electronics)也趕緊加入戰局,使得整個TLC技術大量被量產且應用在終端產品上.
TLC晶元雖然儲存容量變大,成本低廉許多,但因為效能也大打折扣,因此僅能用在低階的NAND Flash相關產品上,象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等.
象是內嵌世紀液體應用、智能型手機(Smartphone)、固態硬碟(SSD)等技術門檻高,對於NAND Flash效能講求高速且不出錯等應用產品,則一定要使用SLC或MLC晶元.
2010年NAND Flash市場的主要成長驅動力是來自於智能型手機和平板計算機,都必須要使用SLC或MLC晶元,因此這兩種晶元都處於缺貨狀態,而TLC晶元卻是持續供過於求,且將整個產業的平均價格往下拉,使得市調機構iSuppli在統計2010年第2季全球NAND Flash產值時,出現罕見的市場規模縮小情況發生,從2010年第1季43億美元下降至41億美元,減少6.5%.
U盤MP3中使用的SLC、MLC、TLC快閃記憶體晶元的區別：
SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快壽命長,價格超貴（約MLC 3倍以上的價格）,約10萬次擦寫壽命
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般壽命一般,價格一般,約3000---10000次擦寫壽命
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash廠家叫8LC,速度慢壽命短,價格便宜,約500次擦寫壽命,目前還沒有廠家能做到1000次.
目前,安德旺科技生產的指紋U盤產品中採用的快閃記憶體晶元都是三星MLC中的原裝A級晶元.讀寫速度：採用H2testw v1.4測試,三星MLC寫入速度: 4.28-5.59 MByte/s,讀取速度: 12.2-12.9 MByte/s.三星SLC寫入速度: 8.5MByte/s,讀取速度: 14.3MByte/s.
需要說明的快閃記憶體的壽命指的是寫入(擦寫)的次數,不是讀出的次數,因為讀取對晶元的壽命影響不大.
面是SLC、MLC、TLC三代快閃記憶體的壽命差異
SLC 利用正、負兩種電荷 一個浮動柵存儲1個bit的信息,約10萬次擦寫壽命.
MLC 利用不同電位的電荷,一個浮動柵存儲2個bit的信息,約一萬次擦寫壽命,SLC-MLC【容量大了一倍,壽命縮短為1/10】.
TLC 利用不同電位的電荷,一個浮動柵存儲3個bit的信息,約500-1000次擦寫壽命,MLC-TLC【容量大了1/2倍,壽命縮短為1/20】.
快閃記憶體產品壽命越來越短,現在市場上已經有TLC快閃記憶體做的產品了
鑒於SLC和MLC或TLC快閃記憶體壽命差異太大
強烈要求數碼產品的生產商在其使用快閃記憶體的產品上標明是SLC和MLC或TLC快閃記憶體產品
許多人對快閃記憶體的SLC和MLC區分不清.就拿目前熱銷的MP3隨身聽來說,是買SLC還是MLC快閃記憶體晶元的呢?在這里先告訴大家,如果你對容量要求不高,但是對機器質量、數據的安全性、機器壽命等方面要求較高,那麼SLC快閃記憶體晶元的首選.但是大容量的SLC快閃記憶體晶元成本要比MLC快閃記憶體晶元高很多,所以目前2G以上的大容量,低價格的MP3多是採用MLC快閃記憶體晶元.大容量、低價格的MLC快閃記憶體自然是受大家的青睞,但是其固有的缺點,也不得不讓我們考慮一番.
什麼是SLC?
SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存 .主要由三星、海力士、美光、東芝等使用.
SLC技術特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄,在寫入數據時通過對浮置閘極的電荷加電壓,然後透過源極,即可將所儲存的電荷消除,通過這樣的方式,便可儲存1個信息單元,這種技術能提供快速的程序編程與讀取,不過此技術受限於Silicon efficiency的問題,必須要由較先進的流程強化技術(Process enhancements),才能向上提升SLC製程技術.
什麼是MLC?
MLC英文全稱（Multi Level Cell——MLC)即多層式儲存.主要由東芝、Renesas、三星使用.
英特爾（Intel）在1997年9月最先開發成功MLC,其作用是將兩個單位的信息存入一個Floating
Gate（快閃記憶體存儲單元中存放電荷的部分）,然後利用不同電位（Level）的電荷,通過內存儲存的電壓控制精準讀寫.MLC通過使用大量的電壓等級,每個單元儲存兩位數據,數據密度比較大.SLC架構是0和1兩個值,而MLC架構可以一次儲存4個以上的值,因此,MLC架構可以有比較好的儲存密度.
與SLC比較MLC的優勢：
簽於目前市場主要以SLC和MLC儲存為主,我們多了解下SLC和MLC儲存.SLC架構是0和1兩個值,而MLC架構可以一次儲存4個以上的值,因此MLC架構的儲存密度較高,並且可以利用老舊的生產程備來提高產品的容量,無須額外投資生產設備,擁有成本與良率的優勢.
與SLC相比較,MLC生產成本較低,容量大.如果經過改進,MLC的讀寫性能應該還可以進一步提升.
與SLC比較MLC的缺點：
MLC架構有許多缺點,首先是使用壽命較短,SLC架構可以寫入10萬次,而MLC架構只能承受約1萬次的寫入.
其次就是存取速度慢,在目前技術條件下,MLC晶元理論速度只能達到6MB左右.SLC架構比MLC架構要快速三倍以上.
再者,MLC能耗比SLC高,在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗.
雖然與SLC相比,MLC缺點很多,但在單顆晶元容量方面,目前MLC還是佔了絕對的優勢.由於MLC架構和成本都具有絕對優勢,能滿足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市場需求.

B. 立體車庫防止人員誤入的安全光柵能和PLC連接嗎

可以的，一般安全光柵都提供有介面。不過建議安全光柵還是不要和PLC連接，除非是EN954的安全PLC。讓安全光柵連接到安全繼電器，使用安全繼電器作為整個立體車庫安全控制的核心。這樣系統的可靠性最高。如果要使用PLC連接，請考慮PLC故障失效時的風險。
PLC是可編程邏輯控制器，它採用一類可編程的存儲器，用於其內部存儲程序，執行邏輯運算、順序控制、定時、計數與算術操作等面向用戶的指令，並通過數字或模擬式輸入/輸出控制各種類型的機械或生產過程。

C. 安全光幕怎麼和32單片機連接

安全光柵又稱作安全光幕是通過一組紅外線光束，形成保護光柵，當光柵出現被遮擋時，光電保護裝置發出信號，控制具有潛在危險的機械設備停止工作，以降低作業人員在工作環 境中受到傷害的可能性，有效保護作業人員的人身安全。主要應用於沖壓機械、剪切設備、金屬切削設備、自動化裝配線、自動化焊接線、機械傳送搬運設備等。
 
安全光柵選型簡單，安裝便捷，主要就是接線，常見的線制為三線，五線和五線，七線。如果是街道PLC可以將NPN,PNP線直接接到PLC上，光幕正常通電後即可。一般安全光幕的線序上都會有小標示，可以直觀的表現出來。接線十分方便！
 
第一種：不使用控制器時，發射器和接收器的連接圖說明：
 
1、24V正壓電源接入到接收器的24Vdc電壓介面，棕色線
 
2、發射器的test與0vDC接地分別是黃色和藍色線
 
3、接收器的0vdc以及EDM埠接地，分辨是藍色和綠色線
 
4、接收器的os1和os2作為輸出，分辨接黑色和白色線。
 
第二種：帶控制器的光幕感測器接線方法說明：
 
1、安全光幕控制器通過繼電器觸點自檢2、220v交流電接入控制器
 
3、繼電器輸出out兩個，作為控制器信號輸出
 
4、光幕輸出os1和os2分別接入光幕接收器的黑線和白線
 
5、觸點自檢EDM通過綠線接入光幕接收器
 
6、接收器電源正24vdc通過棕線接入控制器，0v負極通過藍線接入控制器
 
7、光幕發射器由黃色線接入控制器的光幕自檢TEST開關點8、光幕發射器的正24Vdc電壓由棕色線接入，0VdC由藍色線接入

D. 1.柵格數據存儲的壓縮編碼有幾種各有什麼優點和缺點

2.1.6 柵格數據存儲的壓縮編碼 1 直接編碼 直接柵格編碼是最簡單最直觀而又非常重要的一種柵格結構編碼方法，通常稱這種編碼為圖像文件或柵格文件。直接編碼就是將柵格數據看作一個數據矩陣，逐行（或逐列）逐個記錄代碼，可以每行都從左到右逐象元記錄，也可奇數行從左到右，而偶數行由右向左記錄，為了特定目的還可採用其它特殊的順序,右圖直接編碼可表示為矩陣： 2 鏈式編碼 鏈式編碼又稱為弗里曼鏈碼（Freeman,1961）或邊界鏈碼。由某一原點開始並按某些基本方向確定的單位矢量鏈。基本方向可定義為：東＝0，南＝3，西＝2，北＝1等。右圖多邊形邊如果確定原點為像元（10，1），則該多邊形界按順時方向的鏈式編碼為：

鏈式編碼對多邊形的表示具有很強的數據壓縮能力，且具有一定的運算功能，如面積和周長計算等，探測邊界急彎和凹進部分等都比較容易。但是，疊置運算如組合、相交等則很難實施，
3 行程編碼 行程編碼1 只在各行（或列）數據的代碼發生變化時依次記錄該代碼以及相同代碼重復的個數。左圖可沿行方向進行行程編碼： 行程編碼2 逐個記錄各行（或列）代碼發生變化的位置和相應的代碼，左圖可沿列方向進行行程編碼：
1列：（1，3），（3，1）；
2列：（1，3），（4，1）；
3列：（1，3），（5，1）；
4列：（1，4），（2，3），（5，1）；
5列：（1，4），（4，3），（6，2），（7，1）；
6列：（1，4），（4，2）；
7列：（1，4），（4，2）；
8列：（1，4），（3，2）。 行程編碼3 按行（或列）記錄相同代碼的始末象元的列號（或行號）和相應的代碼，左圖可沿行方向進行程編碼：
4 塊式編碼 把多邊形范圍劃分成由象元組成的正方形，然後對各個正方形進行編碼。塊式編碼數據結構中包括3個數字：塊的初始位置（行、列號）和塊的大小（塊包括的象元數），再加上記錄單元的代碼組成。左圖塊式編碼：
5 四叉樹編碼2.1.6 柵格數據存儲的壓縮編碼 1 直接編碼 直接柵格編碼是最簡單最直觀而又非常重要的一種柵格結構編碼方法，通常稱這種編碼為圖像文件或柵格文件。直接編碼就是將柵格數據看作一個數據矩陣，逐行（或逐列）逐個記錄代碼，可以每行都從左到右逐象元記錄，也可奇數行從左到右，而偶數行由右向左記錄，為了特定目的還可採用其它特殊的順序,右圖直接編碼可表示為矩陣： 2 鏈式編碼 鏈式編碼又稱為弗里曼鏈碼（Freeman,1961）或邊界鏈碼。由某一原點開始並按某些基本方向確定的單位矢量鏈。基本方向可定義為：東＝0，南＝3，西＝2，北＝1等。右圖多邊形邊如果確定原點為像元（10，1），則該多邊形界按順時方向的鏈式編碼為： 鏈式編碼對多邊形的表示具有很強的數據壓縮能力，且具有一定的運算功能，如面積和周長計算等，探測邊界急彎和凹進部分等都比較容易。但是，疊置運算如組合、相交等則很難實施， 3 行程編碼 行程編碼1 只在各行（或列）數據的代碼發生變化時依次記錄該代碼以及相同代碼重復的個數。左圖可沿行方向進行行程編碼： 行程編碼2 逐個記錄各行（或列）代碼發生變化的位置和相應的代碼，左圖可沿列方向進行行程編碼：1列：（1，3），（3，1）； 2列：（1，3），（4，1）； 3列：（1，3），（5，1）； 4列：（1，4），（2，3），（5，1）； 5列：（1，4），（4，3），（6，2），（7，1）； 6列：（1，4），（4，2）； 7列：（1，4），（4，2）； 8列：（1，4），（3，2）。 行程編碼3 按行（或列）記錄相同代碼的始末象元的列號（或行號）和相應的代碼，左圖可沿行方向進行程編碼： 4 塊式編碼 把多邊形范圍劃分成由象元組成的正方形，然後對各個正方形進行編碼。塊式編碼數據結構中包括3個數字：塊的初始位置（行、列號）和塊的大小（塊包括的象元數），再加上記錄單元的代碼組成。左圖塊式編碼： 5 四叉樹編碼 四叉樹分割 將圖像區域按四個大小相同的象限四等分，每個象限又可根據一定規則判斷是否繼續等分為次一層的四個象限，無論分割到哪一層象限，只要子象限上僅含一種屬性代碼或符合既定要求的少數幾種屬性時，則停止繼續分割。否則就一直分割到單個象元為止。按照象限遞歸分割的原則所分圖像區域的柵格陣列應為2n×2n（n為分割的層數）的形式。 四叉樹結構 把整個2n×2n象元組成的陣列當作樹的根結點，樹的高度為ｎ級（最多為ｎ級）。每個結點有分別代表南西（SW）、南東（SE）、北西（NW）、北東（NE）四個象限的四個分支。四個分支中要麼是樹葉，要麼是樹叉。樹葉代表不能繼續劃分的結點，該結點代表子象限具有單一的代碼；樹叉不只包含一種代在碼，必須繼續劃分，直到變成樹葉為止。 四叉樹編碼 1 指針四叉樹編碼 通過在子結點與父結點之間設立指針的方式建立起整個結構。按這種方式，四叉樹的每個結點通常存儲6個量，即四個子結點指針、一個父結點指針和該結點的屬性代碼。這種方法除了要記錄葉結點外，還要記錄中間結點，一般要佔用較大存儲空間。 2 線性四叉樹編碼 為美國馬里蘭大學地理信息系統中採用的編碼方法，該方法記錄每個終止結點（或葉結點）的地址和值，值就是子區的屬性代碼，其中地址包括兩部分，共32位（二進制），最右邊4位記錄該葉結點的深度，即處於四叉樹的第幾層上，有了深度可以推知子區大小；左邊的28位記錄路徑，從右邊第五位往左記錄從葉結點到根結點的路徑，0，1，2，3分別表示SW、SE、NW、NE。28位 4位 0 0 0 0 ... ... 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 1 1（路徑0SW,3NE,2NW） 0 3 2 深度3記錄了各個葉子的地址，再記錄相應代碼值，就記錄了整個圖像。 四叉樹優點 1.容易而有效地計算多邊形的數量特徵； 2.陣列各部分的解析度是可變的，邊界復雜部分四叉樹較高，即分級多，解析度也高，而不需要表示許多細節的部分則分級少，解析度低，因而既可精確表示圖形結構又可減少存儲量； 3.柵格到四叉樹及到四叉樹到簡單柵格結構的轉換比其他壓縮方法容易； 4.多邊形中嵌套異類多邊形的表示較方便。 四叉樹分割 將圖像區域按四個大小相同的象限四等分，每個象限又可根據一定規則判斷是否繼續等分為次一層的四個象限，無論分割到哪一層象限，只要子象限上僅含一種屬性代碼或符合既定要求的少數幾種屬性時，則停止繼續分割。否則就一直分割到單個象元為止。按照象限遞歸分割的原則所分圖像區域的柵格陣列應為2n×2n（n為分割的層數）的形式。 四叉樹結構 把整個2n×2n象元組成的陣列當作樹的根結點，樹的高度為ｎ級（最多為ｎ級）。每個結點有分別代表南西（SW）、南東（SE）、北西（NW）、北東（NE）四個象限的四個分支。四個分支中要麼是樹葉，要麼是樹叉。樹葉代表不能繼續劃分的結點，該結點代表子象限具有單一的代碼；樹叉不只包含一種代在碼，必須繼續劃分，直到變成樹葉為止。 四叉樹編碼 1 指針四叉樹編碼 通過在子結點與父結點之間設立指針的方式建立起整個結構。按這種方式，四叉樹的每個結點通常存儲6個量，即四個子結點指針、一個父結點指針和該結點的屬性代碼。這種方法除了要記錄葉結點外，還要記錄中間結點，一般要佔用較大存儲空間。 2 線性四叉樹編碼 為美國馬里蘭大學地理信息系統中採用的編碼方法，該方法記錄每個終止結點（或葉結點）的地址和值，值就是子區的屬性代碼，其中地址包括兩部分，共32位（二進制），最右邊4位記錄該葉結點的深度，即處於四叉樹的第幾層上，有了深度可以推知子區大小；左邊的28位記錄路徑，從右邊第五位往左記錄從葉結點到根結點的路徑，0，1，2，3分別表示SW、SE、NW、NE。
28位 4位
0 0 0 0 ... ... 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 1 1
（路徑0SW,3NE,2NW） 0 3 2 深度3
記錄了各個葉子的地址，再記錄相應代碼值，就記錄了整個圖像。 四叉樹優點 1.容易而有效地計算多邊形的數量特徵； 2.陣列各部分的解析度是可變的，邊界復雜部分四叉樹較高，即分級多，解析度也高，而不需要表示許多細節的部分則分級少，解析度低，因而既可精確表示圖形結構又可減少存儲量； 3.柵格到四叉樹及到四叉樹到簡單柵格結構的轉換比其他壓縮方法容易； 4.多邊形中嵌套異類多邊形的表示較方便。

E. 固態硬碟SSD的SLC與MLC和TLC三者的區別

1、具體含義不同：

SLC即Single Level Cell，速度快壽命長，價格較貴，約10萬次擦寫壽命。

MLC即Multi Level Cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000~10000次擦寫壽命。

TLC即Trinary Level Cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500-1000次擦寫壽命。

2、硬體情況不同：

大多數U盤都是採用TCL晶元顆粒，其優點是價格便宜，不過速度一般，壽命相對較短。而SSD固態硬碟中，MLC顆粒固態硬碟是主流，其價格適中，速度與壽命相對較好，而低價SSD固態硬碟普遍採用的是TLC晶元顆粒。

(5)安全柵存儲擴展閱讀：

固態硬碟特點

1、固態硬碟和機械硬碟相比讀寫速度遠遠勝出，這也是其最主要的功能，還具有低功耗、無噪音、抗震動、低熱量的特點，這些特點可以延長靠電池供電的計算機設備運轉時間。

2、固態硬碟防震抗摔性傳統硬碟都是磁碟型的，數據儲存在磁碟扇區里。而固態硬碟是使用快閃記憶體顆粒（即mp3、U盤等存儲介質）製作而成，所以SSD固態硬碟內部不存在任何機械部件。

F. U盤存儲數據的原理

快閃記憶體(Flash Memory)是非揮發存儲的一種，具有關掉電源仍可保存數據的優點，同時又可重復讀寫且讀寫速度快、單位體積內可儲存最多數據量，以及低功耗特性等優點。 其存儲物理機制實際上為一種新型EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲）。是SCM（半導體存儲器）的一種。

早期的SCM採用典型的晶體管觸發器作為存儲位元，加上選擇、讀寫等電路構成存儲器。現代的SCM採用超大規模集成電路工藝製成存儲晶元，每個晶元中包含相當數量的存儲位元，再由若干晶元構成存儲器。目前SCM廣泛採用的主要材料是金屬氧化物場效應管（MOS），包括PMOS、NMOS、CMOS三類，尤其是NMOS和CMOS應用最廣泛。

RAM（隨機存取存儲），是一種半導體存儲器。必須在通電情況下工作，否則會喪失存儲信息。RAM又分為DRAM（動態）和SRAM（靜態）兩種，我們現在普遍使用的PC機內存即是SDRAM（同步動態RAM），它在運行過程當中需要按一定頻率進行充電（刷新）以維持信息。DDR DDR2內存也屬於SDRAM。而SRAM不需要頻繁刷新，成本比DRAM高，主要用在CPU集成的緩存（cache）上。

PROM（可編程ROM）則只能寫入一次，寫入後不能再更改。

EPROM（可擦除PROM）這種EPROM在通常工作時只能讀取信息，但可以用紫外線擦除已有信息，並在專用設備上高電壓寫入信息。

EEPROM（電可擦除PROM），用戶可以通過程序的控制進行讀寫操作。

快閃記憶體實際上是EEPROM的一種。一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為「浮閘」(floating gate)的物質。拜這層浮閘之賜，使得Flash Memory可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式；就算在不提供電源給存儲的環境下，也能透過此浮閘，來保存數據的完整性。

Flash Memory晶元中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區還原為正常的1。Flash Memory採用內部閉合電路，這樣不僅使電子區能夠作用於整個晶元，還可以預先設定「區塊」(Block)。在設定區塊的同時就將晶元中的目標區域擦除干凈，以備重新寫入。傳統的EEPROM晶元每次只能擦除一個位元組，而Flash Memory每次可擦寫一塊或整個晶元。Flash Memory的工作速度大幅領先於傳統EEPROM晶元。

MSM（磁表面存儲）是用非磁性金屬或塑料作基體，在其表面塗敷、電鍍、沉積或濺射一層很薄的高導磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁層的兩種剩磁狀態記錄信息"0"和"1"。基體和磁層合稱為磁記錄介質。依記錄介質的形狀可分別稱為磁卡存儲器、磁帶存儲器、磁鼓存儲器和磁碟存儲器。計算機中目前廣泛使用的MSM是磁碟和磁帶存儲器。硬碟屬於MSM設備。

ODM（光碟存儲）和MSM類似，也是將用於記錄的薄層塗敷在基體上構成記錄介質。不同的是基體的圓形薄片由熱傳導率很小，耐熱性很強的有機玻璃製成。在記錄薄層的表面再塗敷或沉積保護薄層，以保護記錄面。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種，前者構成光碟介質，後者構成磁光碟介質。
ODM是目前輔存中記錄密度最高的存儲器，存儲容量很大且碟片易於更換。缺點是存儲速度比硬碟低一個數量級。現已生產出與硬碟速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常見的ODM。

G. 內存卡和U盤的存儲原理是什麼和硬碟一樣么

內存卡和U盤是晶元儲存，內部沒有機械裝置。
區別從內容和本質上差距比較大
一、存儲的原理不同
U盤是以半導體材料(晶元)作為存儲單元,又叫固體存儲器,本質上是快閃記憶體EEPROM ，沒有機械部分.
移動硬碟則是以磁性介質作為存儲器,有機械部分.

二、能耗不同
U盤沒有機械部分，需要提供的能量相比小得多，一般不會超過 100mA，而移動硬碟耗能相對較大，有的時間一個USB口提供的電流不能很好的保證其正常運行，因此移動硬碟一般配的數據線都是可以查兩個USB埠，甚至需要配置專門的電源。這也是有的移動硬碟不正常工作的主要原因。
三、體積不同
U盤比移動硬碟明顯的體積小了很多，攜帶更為方便。
四、安全性不同
U盤由於沒有機械部分，因此比移動硬碟具有優異的抗震動、潮濕性能。但要按照規定的程序操作和使用，U盤也要買質量過硬的，萬一出了問題，數據挽救就比移動硬碟難度大多了，數據無價啊！

H. U盤能存儲的原理是什麼

主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵
在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決於在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。
快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸「1」。
寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。
讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。