存儲密度低

Ⅰ 微型計算機的內部存儲器按其功能特徵可分為幾類 各有什麼特點(5分)

根據存儲器在計算機中處於不同的位置，可以分為主存儲器和輔助存儲器。
在主機內部，直接與CPU交換信息的存儲器稱為內部存儲器（簡稱內存）或主存儲器。
內部存儲器的功能：是提供快速數據存放區域。其作用是在慢速的外部存儲器設備和高速的處理器之間承擔中間角色。

在PC中，內存主要指的是DRAM（動態隨機存儲器），主要作用是：
（1）暫時存放正在執行的程序、原始數據、中間結果和運算結果。
（2）作為CPU運行程序的區域
（3）配合CPU與外設打交道

內部存儲器的分類
按照存儲特性不同可分為以下兩類：
1.隨機存儲器 RAM（Random Access Memory)
（1）主要特性可隨時讀出或寫入數據，但電源一旦中斷則所儲存之數據即消失。
（2）主要用來暫存程序和數據。
（3）RAM又可分動態隨機存儲器（DRAM，Dynamic RAM）和靜態隨機存儲器（SRAM，Static RAM)兩種。
1）DRAM的儲存密度較高，成本低，但需加上更新電路，速度較慢。
2）SRAM的速度快，但儲存密度低、成本高
主板的內存即是動態隨機存儲器，CPU內部與內存之間的緩存即是靜態隨機存儲器。
2.只讀存儲器ROM（Read Only Memory)
（1）只能讀出而不能寫入數據，不會因斷電而消失。
（2）一般用來儲存系統程序。（如：BIOS）
常見的ROM
名稱 特徵
PROM ●用於Modem和低檔顯示卡的BIOS
●一次性寫入，無法更改

EPROM ●用於低檔主板和顯示卡
●晶元上有小窗口，經紫外線照謝可擦除ROM中的數據；利用編程器寫入數據
●常見型號為27×××

EEPROM ●用於主板和顯示卡的BIOS
●利用專用的編程器，可能過提高寫入電壓的方法進行擦除和寫入
Flash ROM ●用於主板和顯示卡的BIOS
●直接利用計算機軟體進行擦除和寫入

Ⅱ 信息資源存儲有哪些主要技術

1.印刷技術。採用各種印刷技術把文字圖像記錄在紙上，便於閱讀流通。存儲密度低，加工難以自動化。
2.光學縮微技術，利用光學縮微技術將文字圖像記錄在感光材料上，存儲密度高，便於收藏，但是閱讀設備投資高。
3.磁錄光錄技術，利用磁錄光錄技術將聲音和圖像記錄在磁性和光學材料，存儲密度高內容直觀。表達力強。
4.計算機存儲技術，將文字圖像音視頻轉為數字化信息，以磁光碟和網路載體等，密度高，讀取快高，速遠距傳輸。
（1）.數據壓縮技術。數據壓縮可以分為無損壓縮和有損壓縮兩大類 。
（2）.資料庫技術。資料庫技術是計算機處理與存儲數據的最有效最成功的技術。
（3）文字、圖像和語音的識別技術
（4）圖像掃描與處理技術
（5）信息數字化技術，將模擬信號形式的音視頻轉化為數字化音視頻的音視頻信息數字化技術

Ⅲ 鏈式存儲結構的存儲密度小，反而空間利用率卻比順序存儲結構的大為什麼

因為鏈式存儲結構的存儲空間在邏輯上是連續的，但是在物理上是離散的；而順序存儲結構的存儲空間在邏輯上是連續的，在物理上也是連續的。

鏈式存儲可以將一些零碎的小空間鏈接起來組成邏輯上連續的空間，因此空間利用率較高；而順序存儲是佔用磁碟上一片連續的物理空間，小於存儲要求的那些空間不能被使用，因此會跳過那些小存儲空間，往後尋找滿足要求的連續的存儲空間，於是空間利用率就變低了。

但是，順序存儲中所有存儲單元存儲的都是數據信息；而鏈式存儲中每個存儲節點除了存儲數據信息外，還需要使用一個鏈域來指向下一個存儲結點，這樣就可以將物理上離散的空間鏈接成邏輯上連續的，因此存儲同樣大小的內容時，鏈式存儲所用空間比順序存儲所用空間要大，所以存儲密度就小些。

Ⅳ 存儲密度

在數據結構中，存儲密度：結點數據本身所佔的存儲量和整個結點結構所佔的存儲量之比。
存儲密度 = （結點數據本身所佔的存儲量）/（結點結構所佔的存儲總量）

Ⅳ NOR和NAND Flash存儲器的區別

應用程序對NOR晶元操作以「字」為基本單位。為了方便對大容量NOR快閃記憶體的管理，通常將NOR快閃記憶體分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程序對NAND晶元操作是以「塊」為基本單位。NAND快閃記憶體的塊比較小，一般是8KB，然後每塊又分成頁，頁的大小一般是512位元組。要修改NAND晶元中一個位元組，必須重寫整個數據塊。

2）NOR快閃記憶體是隨機存儲介質，用於數據量較小的場合；NAND快閃記憶體是連續存儲介質，適合存放大的數據。

3) 由於NOR地址線和數據線分開，所以NOR晶元可以像SRAM一樣連在數據線上。NOR晶元的使用也類似於通常的內存晶元，它的傳輸效率很高，可執行程序可以在晶元內執行( XI P, eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在flash快閃記憶體內運行，不必再把代碼 讀到系統RAM中。由於NOR的這個特點，嵌入式系統中經常將NOR晶元做啟動晶元使用。而NAND共用地址和數據匯流排，需要額外聯結一些控制的輸入輸出，所以直接將NAND晶元做啟動晶元比較難。

4) N AN D快閃記憶體晶元因為共用地址和數據匯流排的原因，不允許對一個位元組甚至一個塊進行的數據清空，只能對一個固定大小的區域進行清零操作；而NOR晶元可以對字進行操作。所以在處理小數據量的I/O操作的時候的速度要快與NAND的速度。比如一塊NOR晶元通 常寫一個字需要10微秒，那麼在32位匯流排上寫512位元組需要1280毫秒；而NAND快閃記憶體寫512位元組需要的時間包括：512×每位元組50納秒+10微秒的尋頁時間+200微秒的片擦寫時間＝234微秒。

5）NAND快閃記憶體的容量比較大，目前最大容量己經達到8G位元組。為了方便管理，NAND的存儲空間使用了塊和頁兩級存儲體系，也就是說快閃記憶體的存儲空間是二維的，比如K9F5608UOA快閃記憶體塊的大小為16K，每頁的大小是512位元組，每頁還16位元組空閑區用來存放錯誤校驗碼空間(有時也稱為out-of-band，OOB空間)；在進行寫操作的時候NAND快閃記憶體每次將一個位元組的數據放入內部的緩存區，然後再發出「寫指令」進行寫操作。由於對NAND快閃記憶體的操作都是以塊和頁為單位的，所以在向NAND快閃記憶體進行大量數據的讀寫時，NAND的速度要快於NOR快閃記憶體。

6）NOR快閃記憶體的可靠性要高於NAND快閃記憶體，這主要是因為NOR型快閃記憶體的介面簡單，數據操作少，位交換操作少，因此可靠性高，極少出現壞區塊，因而一般用在對可靠性要求高的地方。相反的，NAND型快閃記憶體介面和操作均相對復雜，位交換操作也很多，關鍵性數據更是需安錯誤探測/錯誤更正〔EDC/ECC)演算法來確保數據的完整性，因此出現問題的幾率要大得多，壞區塊也是不可避免的，而且由於壞區塊是隨機分布的，連糾錯也無法做到。

7）NAND Flash一般地址線和數據線共用，對讀寫速度有一定影響；而NOR Flash快閃記憶體數據線和地址線分開，所以相對而言讀寫速度快一些。

NAND和NOR晶元的共性首先表現在向晶元中寫數據必須先將晶元中對應的內容清空，然後再寫入，也就是通常說的「先擦後寫」。只不過NOR晶元只用擦寫一個字，而NAND需要擦寫整個塊。其次，快閃記憶體擦寫的次數都是有限的.當快閃記憶體的使用接近使用壽命的時候，經常會出現寫操作失敗；到達使用壽命時，快閃記憶體內部存放的數據雖然可以讀，但是不能再進行寫操作了所以為了防止上面問題的發生，不能對某個特定的區域反復進行寫操作。通常NAND的可擦寫次數高於NOR晶元，但是由於NAND通常是整塊擦寫，塊內的頁面中如果有一位失效整個塊就會失效，而且由於擦寫過程復雜，失敗的概率相對較高，所以從整體上來說NOR的壽命較長。

另一個共性是快閃記憶體的讀寫操作不僅僅是一個物理操作，實際上在快閃記憶體上存放數據必須使用演算法實現，這個模塊一般在驅動程序的MTD' (Memory Technology Drivers)模塊中或者在FTLZ (Flash Translation Layer)層內實現，具體演算法和晶元的生產廠商以及晶元型號有關系。
從使用角度來看，NOR快閃記憶體與NAND快閃記憶體是各有特點的：（1）NOR的存儲密度低，所以存儲一個位元組的成本也較高，而NAND快閃記憶體的存儲密度和存儲容量均比較高；（2）NAND型快閃記憶體在擦、寫文件（特別是連續的大文件）時速度非常快，非常適用於順序讀取的場合，而NOR的讀取速度很快，在隨機存取的應用中有良好的表現。 NOR與NAND各有所長，但兩種優勢無法在一個晶元上得到體現。所以，設計人員在選用晶元時，只能趨其利而避其害，依照使用目的和主要功能在兩者之間進行適當的選擇。

Ⅵ 在順序存儲結構與鏈式存儲結構中,獲取第i個元素的操作有何不同哪種更快

順序存儲是一種隨機存取的結構,而鏈表則是一種順序存取結構,因此它們對各種操作有完全不同的演算法和時間復雜度。
一：順序表的特點是邏輯上相鄰的數據元素，物理存儲位置也相鄰，並且，順序表的存儲空間需要預先分配。

它的優點是：

（1）方法簡單，各種高級語言中都有數組，容易實現。

（2）不用為表示節點間的邏輯關系而增加額外的存儲開銷。

（3）順序表具有按元素序號隨機訪問的特點。

缺點：

（1）在順序表中做插入、刪除操作時，平均移動表中的一半元素，因此對n較大的順序表效率低。

（2）需要預先分配足夠大的存儲空間，估計過大，可能會導致順序表後部大量閑置；預先分配過小，又會造成溢出。

二、在鏈表中邏輯上相鄰的數據元素，物理存儲位置不一定相鄰，它使用指針（引用）實現元素之間的邏輯關系。並且，鏈表的存儲空間是動態分配的。

鏈表的最大特點是：

插入、刪除運算方便。

缺點：

（1）要佔用額外的存儲空間存儲元素之間的關系，存儲密度降低。存儲密度是指一個節點中數據元素所佔的存儲單元和整個節點所佔的存儲單元之比。

（2）鏈表不是一種隨機存儲結構，不能隨機存取元素。

Ⅶ 存儲密度，什麼是存儲密度

在數據結構中，存儲密度:結點數據本身所佔的存儲量和整個結點結構所佔的存儲量之比。
存儲密度 = (結點數據本身所佔的存儲量)/(結點結構所佔的存儲總量)
在數據結構中，數據元素是數據的基本單位，一般將數據元素定義為一個結點，在結點中包含的有數據部分和非數據部分，比如鏈表中的指針，存儲密度是衡量數據對存儲空間利用率的指標，即一個數據元素存儲單元中數據所佔空間與這個數據元素存儲空間的百分比。

Ⅷ 磁碟存儲器的技術指標有哪些

存儲器的主要技術指標有：
1、存儲器容量：存儲器容量是指存儲器存放信息的總量。以Byte為單位，讀作「位元組」。習慣上使用KB(1KB=1024B)、MB(1MB=1024KB)和GB(1GB=1024MB)。
2、存儲密度：外存儲器軟磁碟按存儲密度不同分為低密度盤(48TPI)和高密度盤(96TPI)。尺寸為5.25英寸的軟盤：低密度盤容量為360KB，高密度盤容量為1.2MB；尺寸為3.5英寸的軟盤：低密度盤容量為720KB，高密度盤容量為1.44MB。
3、存取周期：存取周期是指從存儲器中取出(或存入)一個字到再能取出(或存入)下一個字所需要的時間。以毫微秒(ns)為單位。

Ⅸ 單鏈表存儲密度小於1是怎麼回事

存儲密度=單鏈表數據項所佔空間/結點所佔空間
結點所佔空間由數據項所佔空間和存放後繼結點地址的鏈域，所以，存儲密度小於1