破壞性存儲器

㈠ 主存的存取周期通常大於存取時間，為什麼

因為存儲器取完數據會刷新恢復數據，存取周期比存取時間多了一個恢復時間，所以存取周期大於存取時間（DRAM的三種刷新方式）

㈡ rom是指什麼

ROM一般指的是只讀存儲器（Read-Only Memory，ROM）。

ROM以非破壞性讀出方式工作，只能讀出無法寫入信息。信息一旦寫入後就固定下來，即使切斷電源，所以信息也不會丟失，又稱為固定存儲器。

ROM所存數據通常是裝入整機前寫入的，整機工作過程中只能讀出，不像隨機存儲器能快速方便地改寫存儲內容。ROM所存數據穩定 ，斷電後所存數據也不會改變，並且結構較簡單，使用方便，因而常用於存儲各種固定程序和數據。

(2)破壞性存儲器擴展閱讀：

ROM存儲器的特點：

1、只讀存儲器的特點是只能讀出而不能寫入信息，通常在電腦主板的ROM裡面固化一個基本輸入/輸出系統，稱為BIOS（基本輸入輸出系統）。

2、ROM的主要作用是完成對系統的加電自檢、系統中各功能模塊的初始化、系統的基本輸入/輸出的驅動程序及引導操作系統。

ROM具有斷電後信息不丟失的特性，因而可用於計算機啟動用的BIOS晶元。

ROM有五種類型，即掩膜編程的只讀存儲器MROM、可編程的只讀存儲器PROM、可擦除可編程的只讀存儲器EPROM、可電擦除可編程的只讀存儲器EEPROM和快擦除讀寫存儲器。

參考資料來源：網路-只讀存儲器

㈢ 指出下列存儲器哪些是易失性的哪些是非易失性的哪些是讀出破壞性的哪些是非讀出破壞性的

動態RAM，靜態RAM，cache是易失性的
ROM,磁碟，光碟是非易失性的

㈣ 計算機內存儲器按功分為

1、磁芯存儲器：

是隨機存取計算機存儲器的主要形式。這種存儲器通常被稱為核心存儲器，或者非正式地稱為核心存儲器。

核心使用微小的磁環（環），核心通過線程來寫入和讀取信息。每個核心代表一點信息。 磁芯可以以兩種不同的方式（順時針或逆時針）磁化，存儲在磁芯中的位為零或一，取決於磁芯的磁化方向。

布線被布置成允許單個芯被設置為1或0，並且通過向所選擇的導線發送適當的電流脈沖來改變其磁化。 讀取內核的過程會導致內核重置為零，從而將其擦除。這稱為破壞性讀數。 在不進行讀寫操作時，即使關閉電源，內核也會保持最後的值。 這使它們成為非易失性的。

2、半導體存儲器（semi-conctor memory）：

是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器，內存儲器就是由稱為存儲器晶元的半導體集成電路組成。

按其功能可分為：隨機存取存儲器（簡稱RAM）和只讀存儲器（只讀ROM）。體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路介面容易。

(4)破壞性存儲器擴展閱讀

早期的計算機最常見的存儲器是各種磁芯製成的。這種磁芯存儲器已被微型集成電路塊上的半導體存儲器所取代。磁芯存儲器是華裔王安於1948年發明的(注)。最初的磁芯存儲器只有幾百個位元組的容量。

磁芯的英文名稱就是core，磁芯存儲器就叫作core memory。雖然磁芯存儲器已經被淘汰，但一些人還是出於習慣把內存叫做core。

在鐵氧體磁環里穿進一根導線，導線中流過不同方向的電流時，可使磁環按兩種不同方向磁化，代表「1」或「0」的信息便以磁場形式儲存下來。

最常見的核心存儲器形式，X /Y線重合電流，用於計算機的主存儲器，由大量小環形亞鐵磁陶瓷鐵氧體（磁芯）組成網格結構（組織為「堆疊「稱為平面的層」，電線穿過核心中心的孔。

在早期系統中有四條線：X，Y，Sense和Inhibit，但後來的核心將後兩條線組合成一條Sense/Inhibit線。每個環形線圈存儲一位（0或1）。每個平面中的一個位可以在一個周期內被訪問，因此一個字數組中的每個機器字被分布在一堆「平面」上。

每個平面將並行操作一個字的一位，允許在一個周期內讀取或寫入完整的字。

㈤ 計算機內存儲器分為哪兩種,談談其主要作用

1、磁芯存儲器：

是隨機存取計算機存儲器的主要形式。這種存儲器通常被稱為核心存儲器，或者非正式地稱為核心存儲器。

核心使用微小的磁環（環），核心通過線程來寫入和讀取信息。
每個核心代表一點信息。 磁芯可以以兩種不同的方式（順時針或逆時針）磁化，存儲在磁芯中的位為零或一，取決於磁芯的磁化方向。

布線被布置成允許單個芯被設置為1或0，並且通過向所選擇的導線發送適當的電流脈沖來改變其磁化。 讀取內核的過程會導致內核重置為零，從而將其擦除。
這稱為破壞性讀數。 在不進行讀寫操作時，即使關閉電源，內核也會保持最後的值。 這使它們成為非易失性的。

2、半導體存儲器（semi-conctor memory）：

是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器，內存儲器就是由稱為存儲器晶元的半導體集成電路組成。

按其功能可分為：隨機存取存儲器（簡稱RAM）和只讀存儲器（只讀ROM）。體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路介面容易。

(5)破壞性存儲器擴展閱讀

早期的計算機最常見的存儲器是各種磁芯製成的。這種磁芯存儲器已被微型集成電路塊上的半導體存儲器所取代。磁芯存儲器是華裔王安於1948年發明的(注)。最初的磁芯存儲器只有幾百個位元組的容量。

磁芯的英文名稱就是core，磁芯存儲器就叫作core memory。雖然磁芯存儲器已經被淘汰，但一些人還是出於習慣把內存叫做core。

在鐵氧體磁環里穿進一根導線，導線中流過不同方向的電流時，可使磁環按兩種不同方向磁化，代表「1」或「0」的信息便以磁場形式儲存下來。

最常見的核心存儲器形式，X /
Y線重合電流，用於計算機的主存儲器，由大量小環形亞鐵磁陶瓷鐵氧體（磁芯）組成網格結構（組織為「堆疊「稱為平面的層」，電線穿過核心中心的孔。

在早期系統中有四條線：X，Y，Sense和Inhibit，但後來的核心將後兩條線組合成一條Sense
/
Inhibit線。每個環形線圈存儲一位（0或1）。每個平面中的一個位可以在一個周期內被訪問，因此一個字數組中的每個機器字被分布在一堆「平面」上。

每個平面將並行操作一個字的一位，允許在一個周期內讀取或寫入完整的字。

㈥ 當今主流行存儲器介紹

儲器技術是一種不斷進步的技術，每一種新技術的出現都會使某種現存的技術走進歷史，這是因為開發新技術的初衷就是為了消除或減輕某種特定存儲器產品的不足之處。

舉例來說，快閃記憶體技術脫胎於EEPROM，它的第1個主要用途就是為了取代用於PC機BIOS的EEPROM晶元，以便方便地對這種計算機中最基本的代碼進行更新。

這樣，隨著各種專門應用不斷提出新的要求，新的存儲器技術也層出不窮，從PC機直到數字相機。本文即著眼於對現有的存儲器技術及其未來走向進行考察。

DRAM

嚴重依賴於PC的DRAM市場總是處於劇烈的振盪之中。對目前處於衰退過程中的供應商們來說，降低每比特DRAM生產成本唯一劃算的方法就是縮小DRAM晶元的尺寸。所以，製造商們就不斷地尋找可以縮小DRAM晶元尺寸的方法。

隨著市場的復甦和邊際效益的增長，供應商們會逐漸轉向使用300mm的大圓片。但現在，大多數DRAM生產商都承擔不起在300mm圓片上生產的費用。

就像石油公司都想多賣高品質汽油以獲取高額利潤一樣，DRAM生產商也正在把產品線從SDRAM換成DDR SDRAM，希望賣個高價。在DDR之後又出來一個DDR II，這是一種更先進的DRAM技術，已經受到英特爾的歡迎。出於同樣的原因，存儲器生產商們很快就會升級到DDR II技術。

同樣像石油公司不斷勘探新油田一樣，DRAM生產商也在不斷地開發新的市場，包括通信和消費電子市場在內。他們希望這樣能降低對PC市場的依存度，平穩渡過市場振盪期。

許多生產商都開始針對這些市場開發專門的DRAM產品。

不幸的是，隨著人們開始對各種模塊和伺服器進行升級，PC市場在未來仍將是DRAM應用最主要的推動力。盡管一些生產商認為通信將成為另一個主要的推動力，但根據iSuppli公司的預測，至少在2002年，通信市場在DRAM銷售中所佔的份額將仍低於2%。

生產商對消費電子市場的期望值更高。網路設備和數字電視是DRAM應用增長最迅速的領域，但與PC市場相比，其份額仍然太小了。

但是，不論是消費電子市場還是PC市場，DRAM面臨的最大挑戰都是以下需求：更高的密度、更大的帶寬、更低的功耗、更少的延遲時間以及更低的價格。因此，對DRAM生產商和用戶來說，在消費電子領域中性價比還是最主要的考慮因素。

現在已經有許多公司在開始或已經開始提供專門為各種非PC應用設計的DRAM，包括短延遲DRAM（RL-DRAM）以及各種Rambus DRAM（RDRAM）。這些專用DRAM的產量都很小，單位售價很高。因此，iSuppli相信在非PC領域內，這些專用存儲器永遠不會取代普通的SDRAM和DDR存儲器。所以，對DRAM來說，其未來屬於低價、標准、大量生產的、面向其占最大份額的PC市場的技術。

快閃記憶體和其他非易失性存儲器

目前，非易失性存儲器技術的最高水平是快閃記憶體。如同DRAM依賴於PC市場一樣，快閃記憶體也依賴於手機和機頂盒市場。由於這些設備的需求一直不夠強勁，所以快閃記憶體目前良好的銷售情況只是季節性的，今年下半年就會降下來。

但到明年上半年，手機、數字消費產品以及數字介質的需求會比較強勁，所以快閃記憶體的前景也會變得光明一些。

盡管目前非易失性存儲器中最先進的就是快閃記憶體，但技術卻並未就此停步。生產商們正在開發多種新技術，以便使快閃記憶體也擁有像DRAM和SDRAM那樣的高速、低價、壽命長等特點。

非易失性存儲器包括鐵電介質存儲器（FRAM或FeRAM）、磁介質存儲器（MRAM）、奧弗辛斯基效應一致性存儲器（OUM）以及聚合物存儲器（PFRAM），對數據處理來說，它們都很有前途，因為它們突破了SRAM、DRAM以及快閃記憶體的局限性。

每種技術都有自己的目標市場，iSuppli公司將在下面逐一進行分析。

FRAM

FRAM是下一代的非易失性存儲器技術，運行能耗低，在斷電後能長期保存數據。它綜合了RAM高速讀寫和ROM長期保存數據的特點。

這項技術利用了鐵電材料可保存信息的特點，使用工業標準的CMOS半導體存儲器製造工藝來生產，直到近日才研發成功。但是，FRAM的壽命是有限的，而其讀取是破壞性的，就是說一旦進行讀取，FRAM中存儲的數據就消失了。

MRAM

MRAM是非易失性的存儲器，速度比DRAM還快。在實驗室中，MRAM的寫入時間可低至2.3ns。

MRAM擁有無限次的讀寫能力，並且功耗極低，可實現瞬間開關機並能延長便攜機的電池使用時間。而且，MRAM的電路比普通存儲器還簡單，整個晶元只需一條讀出電路。

但就生產成本來看，MRAM比SRAM、DRAM及快閃記憶體都高得多。

OUM

OUM是一種非易失性存儲器，可以替代低功耗的快閃記憶體。它擁有很長的讀寫操作壽命，並且比快閃記憶體更易集成。OUM存儲單元的密度極高，讀取操作完全安全，只需極低的電壓和功率即可工作，同現有邏輯電路的集成也相當簡單。用OUM單元製作的存儲器大約可寫入10億次，這使它成為便攜設備中大容量存儲器的理想替代品。

但是，OUM有一定的使用壽命，長期使用會出一些可靠性問題。

PFRAM

PFRAM是一種塑料的、基於聚合物的非易失性存儲器，通過三維堆疊技術可以得到很高的密度，但它的讀寫操作壽命有限。

PFRAM可能會替代快閃記憶體，並且其成本只有NOR型快閃記憶體的10%左右。塑料存儲器的存儲潛力也相當巨大。

今後，生產聚合物存儲器可能會變得像印照片一樣簡單，但今年才剛剛開始對這種存儲器的生產工藝進行研發。PFRAM的讀寫次數也有限，並且其讀取也是破壞性的，就像FRAM一樣。

總之，存儲器技術將會繼續發展，以滿足不同的應用需求。就PC市場來說，更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時間、更低成本的主流DRAM技術將是不二之選。

而在非易失性存儲器領域，供應商們正在研究快閃記憶體之外的各種技術，以便滿足不同應用的需求，而這些技術各有優劣。

㈦ 幾種新型非易失性存儲器

關鍵詞： 非易失性存儲器；FeRAM；MRAM；OUM引言更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時問、更低成本和更高可靠性是存儲器設計和製造者追求的永恆目標。根據這一目標，人們研究各種存儲技術，以滿足應用的需求。本文對目前幾種比較有競爭力和發展潛力的新型非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。
圖1 MTJ元件結構示意圖鐵電存儲器(FeRAM)
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點。
當前應用於存儲器的鐵電材料主要有鈣鈦礦結構系列，包括PbZr1-xTixO3，SrBi2Ti2O9和Bi4-xLaxTi3O12等。鐵電存儲器的存儲原理是基於鐵電材料的高介電常數和鐵電極化特性，按工作模式可以分為破壞性讀出(DRO)和非破壞性讀出(NDRO)。DRO模式是利用鐵電薄膜的電容效應，以鐵電薄膜電容取代常規的存儲電荷的電容，利用鐵電薄膜的極化反轉來實現數據的寫入與讀取。鐵電隨機存取存儲器(FeRAM)就是基於DRO工作模式。這種破壞性的讀出後需重新寫入數據，所以FeRAM在信息讀取過程中伴隨著大量的擦除/重寫的操作。隨著不斷地極化反轉，此類FeRAM會發生疲勞失效等可靠性問題。目前，市場上的鐵電存儲器全部都是採用這種工作模式。

㈧ 存儲器的測試

存儲器測試的目的是確認在存儲設備中的每一個存儲位置都在工作。換一句話說，如果你把數50存儲在一個具體的地址，你希望可以找到存儲在那裡的那個數，直到另一個數寫入。任何存儲器測試的基本方法是，往存儲器寫入一些數據，然後根據內存設備的地址，校驗讀回的數據。如果所有讀回的數據和那些寫入的數據是一樣的，那麼就可以說存儲設備通過了測試。只有通過認真選擇的一組數據你才可以確信通過的結果是有意義的。
當然，像剛才描述的有儲器的測試不可避免地具有破壞性。在內存測試過程中，你必須覆蓋它原先的內容。因為重寫非易失性存儲器內容通常來說是不可行的，這一部分描述的測試通常只適用於RAM 的測試。 一，普通的存儲器問題
在學習具體的測試演算法之前，你應該了解可能遇到的各種存儲器問題。在軟體工程師中一個普遍的誤解是，大部分的存儲器問題發生在晶元的內部。盡管這類問題一度是一個主要的問題，但是它們在日益減少。存儲設備的製造商們對於每一個批量的晶元都進行了各種產品後期測試。因此，即使某一個批量有問題，其中某個壞晶元進人到你的系統的可能性是微乎其微的。
你可能遇到的一種類型的存儲晶元問題是災難性的失效。這通常是在加工好之後晶元受到物理或者是電子損傷造成的。災難性失效是少見的，通常影響晶元中的大部分。因為一大片區域受到影響，所以災難性的失效當然可以被合適的測試演算法檢測到。
存儲器出問題比較普遍的原因是電路板故障。典型的電路板故障有：
（1）在處理器與存儲設備之間的連線問題
（2）無存儲器晶元
（3）存儲器晶元的不正確插人
二，測試策略
最好有三個獨立的測試：數據匯流排的測試、地址匯流排的測試以及設備的測試。前面兩個測試針對電子連線的問題以及晶元的不正確插入；第三個測試更傾向於檢測晶元的有無以及災難性失效。作為一個意外的結果，設備的測試也可以發現控制匯流排的問題，盡管它不能提供關於問題來源的有用信息。
執行這三個測試的順序是重要的。正確的順序是：首先進行數據匯流排測試，接著是地址匯流排測試，最後是設備測試。那是因為地址匯流排測試假設數據匯流排在正常工作，除非數據匯流排和地址匯流排已知是正常的，否則設備測試便毫無意義。如果任何測試失敗，你都應該和一個硬體工程師一起確定問題的來源。通過查看測試失敗處的數據值或者地址，應該能夠迅速地找出電路板上的問題。
1，數據匯流排測試
我們首先要測試的就是數據匯流排。我們需要確定任何由處理器放置在數據匯流排上的值都被另一端的存儲設備正確接收。最明顯的測試方法就是寫人所有可能的數據值並且驗證存儲設備成功地存儲了每一個。然而，那並不是最有效率的測試方法。一個更快的測試方法是一次測試匯流排上的一位。如果每一個數據上可被設置成為 0 和1，而不受其他數據位的影響，那麼數據匯流排就通過了測試。
2，地址匯流排測試
在確認數據匯流排工作正常之後，你應該接著測試地址匯流排。記住地址匯流排的問題將導致存儲器位置的重疊。有很多可能重疊的地址。然而，不必要測試每一個可能的組合。你應該努力在測試過程中分離每一個地址位。你只需要確認每一個地址線的管腳都可以被設置成0和 1，而不影響其他的管腳。
3，設備測試
一旦你知道地址和數據匯流排是正確的，那麼就有必要測試存儲設備本身的完整性。要確認的是設備中的每一位都能夠保持住0和 1。這個測試實現起來十分簡單，但是它花費的時間比執行前面兩項測試花費的總時間還要長。
對於一個完整的設備測試，你必須訪問（讀和寫）每一個存儲位置兩次。你可以自由地選擇任何數據作為第一步測試的數據，只要在進行第二步測試的時候把這個值求反即可。因為存在沒有存儲器晶元的可能性，所以最好選擇一組隨著地址變化（但是不等於地址）的數。優化措施
市場上並不缺少提高數據存儲效率的新技術，然而這些新技術絕大多數都是關注備份和存檔的，而非主存儲。但是，當企業開始進行主存儲數據縮減時，對他們來說，了解主存儲優化所要求的必要條件十分重要。
主存儲，常常被稱為1級存儲，其特徵是存儲活躍數據――即經常被存取並要求高性能、低時延和高可用性的數據。主存儲一般用於支持關鍵任務應用，如資料庫、電子郵件和交易處理。大多數關鍵應用具有隨機的數據取存模式和不同的取存要求，但它們都生成機構用來運營它們的業務的大量的數據。因此，機構製作數據的許多份拷貝，復制數據供分布使用，庫存數據，然後為安全保存備份和存檔數據。
絕大多數數據是起源於主數據。隨著數據存在的時間增加，它們通常被遷移到二級和三級存儲保存。因此，如果機構可以減少主數據存儲佔用空間，將能夠在數據生命期中利用這些節省下來的容量和費用。換句話說，更少的主存儲佔用空間意味著更少的數據復制、庫存、存檔和備份。
試圖減少主存儲佔用空間存儲管理人員可以考慮兩種減少數據的方法：實時壓縮和數據去重。
直到不久前，由於性能問題，數據壓縮一直沒有在主存儲應用中得到廣泛應用。然而，Storwize等廠商提供利用實時、隨機存取壓縮/解壓技術將數據佔用空間壓縮15:1的解決方案。更高的壓縮率和實時性能使壓縮解決方案成為主存儲數據縮減的可行的選擇。
在備份應用中廣泛採用的數據去重技術也在被應用到主存儲。目前為止，數據去重面臨著一大挑戰，即數據去重處理是離線處理。這是因為確定數量可能多達數百萬的文件中的多餘的數據塊需要大量的時間和存儲處理器做大量的工作，因此非常活躍的數據可能受到影響。當前，推出數據去重技術的主要廠商包括NetApp、Data Domain和OcarinaNetworks。 一、零性能影響
與備份或存檔存儲不同，活躍數據集的性能比能夠用某種形式的數據縮減技術節省的存儲容量更為關鍵。因此，選擇的數據縮減技術必須不影響到性能。它必須有效和簡單；它必須等價於「撥動一個開關，就消耗更少的存儲」。
活躍存儲縮減解決方案只在需要去重的數據達到非活躍狀態時才為活躍存儲去重。換句話說，這意味著實際上只對不再被存取但仍保存在活躍存儲池中的文件――近活躍存儲級――進行去重。
去重技術通過建議只對輕I/O工作負載去重來避免性能瓶頸。因此，IT基礎設施的關鍵組件的存儲沒有得到優化。資料庫排在關鍵組件清單之首。由於它們是1級存儲和極其活躍的組件並且幾乎始終被排除在輕工作負載之外，去重處理從來不分析它們。因此，它們在主存儲中占據的空間沒有得到優化。
另一方面，實時壓縮系統實時壓縮所有流經壓縮系統的數據。這導致節省存儲容量之外的意外好處：存儲性能的提高。當所有數據都被壓縮時，每個I/O請求提交的數據量都有效地增加，硬碟空間增加了，每次寫和讀操作都變得效率更高。
實際結果是佔用的硬碟容量減少，總體存儲性能顯著提高。
主存儲去重的第二個好處是所有數據都被減少，這實現了包括資料庫在內的所有數據的容量節省。盡管Oracle環境的實時數據壓縮可能造成一些性能問題，但迄今為止的測試表明性能提高了。
另一個問題是對存儲控制器本身的性能影響。人們要求今天的存儲控制器除了做伺服硬碟外，還要做很多事情，包括管理不同的協議，執行復制和管理快照。再向這些功能增加另一個功能可能會超出控制器的承受能力――即使它能夠處理額外的工作負載，它仍增加了一個存儲管理人員必須意識到可能成為潛在I/O瓶頸的過程。將壓縮工作交給外部專用設備去做，從性能問題中消除了一個變數，而且不會給存儲控制器造成一點影響。
二、高可用性
許多關注二級存儲的數據縮減解決方案不是高可用的。這是由於它們必須立即恢復的備份或存檔數據不像一級存儲中那樣關鍵。但是，甚至在二級存儲中，這種概念也逐漸不再時興，高可用性被作為一種選擇添加到許多二級存儲系統中。
可是，高可用性在主存儲中並不是可選的選項。從數據縮減格式(被去重或被壓縮)中讀取數據的能力必須存在。在數據縮減解決方案中(其中去重被集成到存儲陣列中)，冗餘性是幾乎總是高可用的存儲陣列的必然結果。
在配件市場去重系統中，解決方案的一個組件以數據的原始格式向客戶機提供去重的數據。這個組件就叫做讀出器(reader)。讀出器也必須是高可用的，並且是無縫地高可用的。一些解決方案具有在發生故障時在標准伺服器上載入讀出器的能力。這類解決方案經常被用在近活躍的或更合適的存檔數據上;它們不太適合非常活躍的數據集。
多數聯機壓縮系統被插入系統中和網路上，放置(邏輯上)在交換機與存儲之間。因此，它們由於網路基礎設施級上幾乎總是設計具有的高可用性而取得冗餘性。沿著這些路徑插入聯機專用設備實現了不需要IT管理人員付出額外努力的無縫的故障切換；它利用了已經在網路上所做的工作。
三、節省空間
部署這些解決方案之一必須帶來顯著的容量節省。如果減少佔用容量的主存儲導致低於標準的用戶性能，它沒有價值。
主數據不具有備份數據通常具有的高冗餘存儲模式。這直接影響到總體容量節省。這里也有兩種實現主數據縮減的方法：數據去重和壓縮。
數據去重技術尋找近活躍文件中的冗餘數據，而能取得什麼水平的數據縮減將取決於環境。在具有高冗餘水平的環境中，數據去重可以帶來顯著的ROI(投資回報)，而另一些環境只能取得10%到20%的縮減。
壓縮對所有可用數據都有效，並且它在可以為高冗餘數據節省更多的存儲容量的同時，還為主存儲應用常見的更隨機的數據模式始終帶來更高的節省。
實際上，數據模式冗餘度越高，去重帶來的空間節省就越大。數據模式越隨機，壓縮帶來的空間節省就越高。
四、獨立於應用
真正的好處可能來自所有跨數據類型(不管產生這些數據是什麼應用或數據有多活躍)的數據縮減。雖然實際的縮減率根據去重數據的水平或數據的壓縮率的不同而不同，但所有數據都必須合格。
當涉及存檔或備份時，應用特有的數據縮減具有明確的價值，並且有時間為這類數據集定製縮減過程。但是對於活躍數據集，應用的特殊性將造成性能瓶頸，不會帶來顯著的容量縮減的好處。
五、獨立於存儲
在混合的廠商IT基礎設施中，跨所有平台使用同樣的數據縮減工具的能力不僅將進一步增加數據縮減的ROI好處，而且還簡化了部署和管理。每一個存儲平台使用一種不同的數據縮減方法將需要進行大量的培訓，並造成管理級上的混亂。
六、互補
在完成上述所有優化主存儲的工作後，當到了備份主存儲時，最好讓數據保持優化的格式(被壓縮或去重)。如果數據在備份之前必須擴展恢復為原始格式，這將是浪費資源。
為備份擴展數據集將需要：
使用存儲處理器或外部讀出器資源解壓數據;
擴展網路資源以把數據傳送給備份目標；
把額外的資源分配給保存備份數據的備份存儲設備。

㈨ 快閃記憶體和ROM的區別

快閃記憶體，是一個存儲器，是在斷電以後不丟失數據的存儲器，這個存儲器的特點是不能以位元組的方式擦除信息（所以u盤和電腦硬碟類似的存儲介質，不屬於快閃記憶體），只能以區域，塊，的方式擦除，電腦的bios和手機的rom很多就是用快閃記憶體做的。
rom 是只讀存儲器，是一個大的概念，存儲器的一個大分類，就是只能讀不能寫的存儲器。
ram是隨機存儲器，既可以讀也可以寫，斷電以後信息消失，電腦和手機的運行程序用的內存就是ram。
(9)破壞性存儲器擴展閱讀：
快閃記憶體是一種非易失性存儲器，即斷電數據也不會丟失。因為快閃記憶體不像RAM（隨機存取存儲器）一樣以位元組為單位改寫數據，因此不能取代RAM。
隨機存取存儲器（RAM）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。任何RAM中存儲的信息在斷電後均會丟失，所以RAM是易失性存儲器。
只讀存儲器（Read-Only Memory）是一種只能讀取資料的存儲器。在其資料內容在寫入後就不能更改，所以有時又稱為「光罩式只讀內存」（mask ROM）。

㈩ 破壞性讀出的存儲器有哪些

破壞性讀出的存儲器有：動態RAM，靜態RAM，cache是易失性的，ROM,磁碟，光碟是非易失性的。

這樣的產品只允許寫入一次，所以也被稱為「一次可編程只讀存儲器」(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。

CD-ROM（Compact Disc Read-Only Memory）只讀光碟是計算機上使用的一種光碟。這種光碟只能寫入一次數據，信息將永久保存在光碟上。使用時，信息將通過光碟機讀取。CD格式最初是為音樂存儲和播放而設計的。

存儲系統的層次結構：

為提高存儲器的性能，通常把各種不同存儲容量、存取速度和價格的存儲器按層次結構組成多層存儲器，並通過管理軟體和輔助硬體有機組合成統一的整體，使所存放的程序和數據按層次分布在各存儲器中。

主要採用三級層次結構來構成存儲系統，由高速緩沖存儲器Cache、主存儲器和輔助存儲器組成。圖中自上向下容量逐漸增大，速度逐級降低，成本則逐次減少。

整個結構可看成主存一輔存和Cache-主存兩個層次。在輔助硬體和計算機操作系統的管理下，可把主存一輔存作為一個存儲整體，形成的可定址存儲空間比主存儲器空間大得多。

由於輔存容量大，價格低，使得存儲系統的整體平均價格降低。Cache-主存層次可以縮小主存和CPU之間的速度差距，從整體上提高存儲器系統的存取速度。