靜態存儲器機構圖

⑴ 什麼是靜態存儲器什麼是動態存儲器

靜態存儲器(SRAM）：讀寫速度快,成本高,需要電源才能工作,斷電信息將丟失,多用於容量較小的高速緩沖存儲器.
動態存儲器（DRAM）：讀寫速度較慢,集成度高,成本低,要求配置動態刷新電路,多用於容量較大的主存儲器.

⑵ 誰能給想我詳細講下常用靜態存儲6116各引腳、最好附帶它的引腳圖

各引腳含義如下:

A0-A10為地址線;CE是片選線;OE是讀允許線;WE是寫允許線.

6116的操作方式如下:CE

OEWE方式D0-D7

H**未選中高阻

LLH讀Dout

LHL寫Din

LLL寫Din

⑶ 靜態存儲和動態存儲的區別

1. 靜態內存

靜態內存是指在程序開始運行時由編譯器分配的內存，它的分配是在程序開始編譯時完成的，不佔用CPU資源。

程序中的各種變數，在編譯時系統已經為其分配了所需的內存空間，當該變數在作用域內使用完畢時，系統會

自動釋放所佔用的內存空間。

變數的分配與釋放，都無須程序員自行考慮。

基本類型，數組

2. 動態內存

用戶無法確定空間大小，或者空間太大，棧上無法分配時，會採用動態內存分配。

• 處理器不工作,電腦什麼都做不了。

  處理器的工作就是處理指令（多條指令就構成一個程序）。

  處理器從內存中取指令集（程序）。

  問題是如果斷電的話，內存中的指令就會丟失。因而內存歸類為「易失性」介質。

  所以我們要把程序、數據存儲在不易失性的介質中，比如硬碟和光碟。

  

⑷ 靜態存儲器與動態存儲器的定義是什麼

靜態存儲器是指依靠雙穩態觸發器的兩個穩定狀態保存信息的存儲器。雙穩態電路是有源器件，需要電源才能工作，只要電源正常，就能長期穩定的保存信息，所以稱為靜態存儲器。如果斷電，信息將會丟失，屬於揮發性存儲器，或稱易失性。

動態存儲器是指在指定功能或應用軟體之間共享的存儲器。如果一個或兩個應用軟體佔用了所有存儲器空間，此時將無法為其他應用軟體分配存儲器空間。需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存。

(4)靜態存儲器機構圖擴展閱讀：

動態存儲器的工作原理

動態RAM是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。在3管動態RAM電路中，讀選擇線和寫選擇線是分開的，讀數據線和寫數據線也是分開的。

寫操作時，寫選擇線為"1"，Q1導通，要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極，並通過柵極電容在一定時間內保持信息。

讀操作時，先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電，當讀選擇線為高電平有效時,Q3處於可導通的狀態。若原來存有"1"，則Q2導通，讀數據線的分布電容CD通過Q3、Q2放電。此時讀得的信息為"0"，正好和原存信息相反。

可見，對這樣的存儲電路，讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反向再送往數據匯流排。

⑸ 何為靜態存儲器、動態存儲器，它們的區別是什麼

靜態存儲器與動態存儲器主要性能比較如下表:
靜態和動態存儲器晶元特性比較
SRAM DRAM
存儲信息 觸發器 電容
破壞性讀出 非 是
需要刷新 不要 需要
送行列地址 同時送 分兩次送
運行速度 快 慢
集成度 低 高
發熱量 大 小
存儲成本 高 低
動態存儲器的定期刷新:在不進行讀寫操作時,DRAM 存儲器的各單元處於斷電狀態,由於漏電的存在,保存在電容CS 上的電荷會慢慢地漏掉,為此必須定時予以補充,稱為刷新操作

⑹ 五、畫出MOS六管靜態和動態存儲單元的電路原理圖，並簡述信息寫入、讀出的工作過程。

寫「1」：

在I/O線上輸入高電位，在I/O線上輸入高電位，

把高、低電位分別加在A，B點，

使T1管截止，T2管導通，

至此「1」寫入存儲元。

寫「0」：

在I/O線上輸入低電位，在I/O線上輸入高電位，

把低、高電位分別加在A，B點，

使T1管導通，T2管截止，

至此「0」寫入存儲元。

⑺ 設計一個SRAM存儲器.容量為1M*4,雙解碼結構,存儲器陣列結構中行數與列數相同

摘要 隨著微電子技術的迅猛發展，SRAM存儲器逐漸呈現出高集成度、快速及低功耗的發展趨勢。在半導體存儲器的發展中，靜態存儲器(SRAM)由於其廣泛的應用成為其中不可或缺的重要一員。下面由英尚微電子詳細介紹關於SRAM隨機存儲器的特點及結構。

⑻ ram原理圖

我們很多的Chip中都有ram作為存儲器，存儲器是能存儲數據，並當給出地址碼時能讀出數據的裝置。根據存儲方式的不同，存儲器可以分為隨機存儲器（ram）和只讀存儲器（rom）兩大類。
ram的原意是不管對於哪一個存儲單元，都可以以任意的順序存取數據，而且存取所花的時間都相等。即使不能完全達到以任意的順序存取，凡是能以相同的動作順序和相同的動作時間進行存入和讀出的半導體存儲器都包括在ram中。
按照存放信息原理的不同，隨機存儲器又可分為靜態和動態兩種。靜態ram是以雙穩態元件作為基本的存儲單元來保存信息的，因此，其保存的信息在不斷電的情況下，是不會被破壞的；而動態ram是靠電容的充、放電原理來存放信息的，由於保存在電容上的電荷，會隨著時間而泄露，因而會使得這種器件中存放的信息丟失，必須定時進行刷新。

一般一個存儲器系統由以下幾部分組成。
1．基本存儲單元
一個基本存儲單元可以存放一位二進制信息，其內部具有兩個穩定的且相互對立的狀態，並能夠在外部對其狀態進行識別和改變。不同類型的基本存儲單元，決定了由其所組成的存儲器件的類型不同。靜態ram的基本存儲單元是由兩個增強型的nm0s反相器交叉耦合而成的觸發器，每個基本的存儲單元由六個mos管構成，所以，靜態存儲電路又稱為六管靜態存儲電路。
圖為六管靜態存儲單元的原理示意圖。其中t1、t2為控制管，t3、t4為負載管。這個電路具有兩個相對的穩態狀態，若tl管截止則a＝「l」(高電平)，它使t2管開啟，於是b＝「0」(低電平)，而b＝「0」又進一步保證了t1管的截止。所以，這種狀態在沒有外觸發的條件下是穩定不變的。同樣，t1管導通即a＝「0」(低電平)，t2管截止即b＝「1」(高電平)的狀態也是穩定的。因此，可以用這個電路的兩個相對穩定的狀態來分別表示邏輯「1」和邏輯「0」。
當把觸發器作為存儲電路時，就要使其能夠接收外界來的觸發控制信號，用以讀出或改變該存儲單元的狀態，這樣就形成了如下右圖所示的六管基本存儲電路。其中t5、t6為門控管。

(a) 六管靜態存儲單元的原理示意圖 (b) 六管基本存儲電路
圖 六管靜態存儲單元（我們常看到的還有把t3&t1的gate連到一起，把t2&t4的gate連到一起）
當x解碼輸出線為高電平時，t5、t6管導通，a、b端就分別與位線d0及 相連；若相應的y解碼輸出也是高電平，則t7、t8管(它們是一列公用的，不屬於某一個存儲單元)也是導通的，於是d0及 (這是存儲單元內部的位線)就與輸入/輸出電路的i/o線及 線相通。
寫入操作：寫入信號自i/o線及 線輸入，如要寫入「1」，則i/o線為高電平而 線為低電平，它們通過t7、t8管和t5、t6管分別與a端和b端相連，使a=「1」，b=「0」，即強迫t2管導通，tl管截止，相當於把輸入電荷存儲於tl和t2管的柵級。當輸入信號及地址選擇信號消失之後，t5、t6、t7、t8都截止。由於存儲單元有電源及負載管，可以不斷地向柵極補充電荷，依靠兩個反相器的交叉控制，只要不掉電，就能保持寫入的信息「1」，而不用再生(刷新)。若要寫入「0」，則 線為低電乎而i/o線為高電平，使tl管導通，t 2管截止即a=「0」，b=「1」。
讀操作：只要某一單元被選中，相應的t5、t6、t7、t8均導通，a點與b點分別通過t5、t6管與d0及 相通，d0及 又進一步通過t7、t8管與i/o及 線相通，即將單元的狀態傳送到i/o及 線上。
由此可見，這種存儲電路的讀出過程是非破壞性的，即信息在讀出之後，原存儲電路的狀態不變。

⑼ 利用6116設計8K×16位靜態存儲器的邏輯框圖

理工的？