硅怎麼配置

① 工業制硅用什麼方法！

高純硅的製取：SiO2+2CSi+2CO↑（制粗硅）Si (粗硅)+2Cl2SiCl4（分餾提純SiCl4）SiCl4+2H2Si+4HCl

② 水質偏硅酸溶液配製

水質偏硅酸溶液配製
硅酸鈉有模數的區別 ,不同模數的硅酸鈉SI NA比不同. 硅 鈉比為1的,一般是偏硅酸鈉.
硅酸鈉的模數自己也可以調整,加熱條件下分別加熱二氧化硅或氫氧化鈉.實際生產中幾乎無意義.市場上有不同模數的硅酸鈉出售.可根據自己需要購買.

③ 硅有哪些用途

1、硅是電子工業超純硅的原料，超純半導體單晶硅做的電子器件具有體積小、重量輕、可靠性好和壽命長等優點。摻有特定微量雜質的硅單晶製成的大功率晶體管、整流器及太陽能電池，比用鍺單晶製成的好。

2、非晶硅太陽能電池研究進展很快，轉換率達到了8%以上。硅鉬棒電熱元件最高使用溫度可達1700℃，具有電阻不易老化和良好的抗氧化性能。

3、用硅生產的三氯氫硅，可配製幾百種硅樹脂潤滑劑和防水化合物等。此外，碳化硅可作磨料，高純氧化硅製作的石英管是高純金屬冶煉及照明燈具的重要材料。

4、硅構築植物的重要元素。硅是植物重要的營養元素，大部分植物體內含有硅。表明，硅在植物干物質中占的比例為0.1-20%。

5、硅是品質元素。有改善農產品品質的作用，並有利於貯存和運輸。硅能調節作物的光合作用和蒸騰作用，提高光合效率，增強作物的抗旱、抗乾熱風和抗低溫能力。

硅肥可增強作物對病蟲害的抵抗力，減少病蟲危害。作物吸收硅後，在體內形成硅化細胞，使莖葉表層細胞壁加厚，角質層增加，從而提高防蟲抗病能力。硅肥可提高作物抗倒伏。由於作物的莖稈直，使抗倒伏能力提高80%左右。

硅肥可使作物體內通氣性增強。作物體內含硅量增加，使作物導管剛性加強，促使通氣性，不但可促進作物根系生長，還可預防根系的腐爛和早衰。

6、微孔硅鈣保溫材料微孔硅鈣保溫材料是一種優良的保溫材料。它具有熱容量小、機械強度高、導熱系數低、不燃燒、無毒無味、可切割、運輸方便等特點，可廣泛用於冶金、電力、化工、船舶等各種熱力設備及管道上。

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1、常見硅酸鹽產品

陶瓷、玻璃、水泥是使用量最大的傳統無機非金屬材料。

玻璃原料：純鹼、石灰石和石英。

水泥：是一種非常重要的建築材料。原料：黏土、石灰石。

陶瓷：人類應用最早的硅酸鹽材料。原料：黏土。

陶瓷具有抗氧化、抗酸鹼腐蝕、耐高溫、絕緣、易成型等許多優點，因此，陶瓷製品一直為人們所喜愛。

2、新型無機非金屬材料

高溫結構陶瓷：氮化硅Si3N4、碳化硅SiC，俗名金剛砂。

生物陶瓷：Al2O3、ZrO2。

壓電陶瓷：鈦酸鋇BaTiO3、鈦酸鉛PbTiO3。

特徵：耐高溫、強度高；具有電學性質；具有光學性質；具有生物功能。

④ 硅是做CPU的材料嗎

現在市場上產品豐富，琳琅滿目，當你使用著配置了最新款CPU的電腦在互聯網上縱橫馳騁，在各種程序應用之間操作自如的時候，有沒有興趣去想一想這個頭不大、功能不小的CPU是怎麼製作出來的呢。 在今天的半導體製造業中，計算機中央處理器無疑是受關注程度最高的領域，而這個領域中眾所周知的兩大巨頭，其所遵循的處理器架構均為x86，而另外一家號稱信息產業的藍色巨人的IBM，也擁有強大的處理器設計與製造能力，它們最先發明了應變硅技術，並在90納米的處理器製造工藝上走在最前列。在今天的文章中，我們將一步一步的為您講述中央處理器從一堆沙子到一個功能強大的集成電路晶元的全過程。

製造CPU的基本原料

如果問及CPU的原料是什麼，大家都會輕而易舉的給出答案—是硅。這是不假，但硅又來自哪裡呢？其實就是那些最不起眼的沙子。難以想像吧，價格昂貴，結構復雜，功能強大，充滿著神秘感的CPU竟然來自那根本一文不值的沙子。當然這中間必然要經歷一個復雜的製造過程才行。不過不是隨便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑細選，從中提取出最最純凈的硅原料才行。試想一下，如果用那最最廉價而又儲量充足的原料做成CPU，那麼成品的質量會怎樣，你還能用上像現在這樣高性能的處理器嗎？

除去硅之外，製造CPU還需要一種重要的材料就是金屬。目前為止，鋁已經成為製作處理器內部配件的主要金屬材料，而銅則逐漸被淘汰，這是有一些原因的，在目前的CPU工作電壓下，鋁的電遷移特性要明顯好於銅。所謂電遷移問題，就是指當大量電子流過一段導體時，導體物質原子受電子撞擊而離開原有位置，留下空位，空位過多則會導致導體連線斷開，而離開原位的原子停留在其它位置，會造成其它地方的短路從而影響晶元的邏輯功能，進而導致晶元無法使用。這就是許多Northwood Pentium 4換上SNDS（北木暴畢綜合症）的原因，當發燒友們第一次給Northwood Pentium 4超頻就急於求成，大幅提高晶元電壓時，嚴重的電遷移問題導致了CPU的癱瘓。這就是intel首次嘗試銅互連技術的經歷，它顯然需要一些改進。不過另一方面講，應用銅互連技術可以減小晶元面積，同時由於銅導體的電阻更低，其上電流通過的速度也更快。

除了這兩樣主要的材料之外，在晶元的設計過程中還需要一些種類的化學原料，它們起著不同的作用，這里不再贅述。

CPU製造的准備階段

在必備原材料的採集工作完畢之後，這些原材料中的一部分需要進行一些預處理工作。而作為最主要的原料，硅的處理工作至關重要。首先，硅原料要進行化學提純，這一步驟使其達到可供半導體工業使用的原料級別。而為了使這些硅原料能夠滿足集成電路製造的加工需要，還必須將其整形，這一步是通過溶化硅原料，然後將液態硅注入大型高溫石英容器而完成的。

而後，將原料進行高溫溶化。中學化學課上我們學到過，許多固體內部原子是晶體結構，硅也是如此。為了達到高性能處理器的要求，整塊硅原料必須高度純凈，及單晶硅。然後從高溫容器中採用旋轉拉伸的方式將硅原料取出，此時一個圓柱體的硅錠就產生了。從目前所使用的工藝來看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。不過現在intel和其它一些公司已經開始使用300毫米直徑的硅錠了。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當的難度的，不過只要企業肯投入大批資金來研究，還是可以實現的。intel為研製和生產300毫米硅錠而建立的工廠耗費了大約35億美元，新技術的成功使得intel可以製造復雜程度更高，功能更強大的集成電路晶元。而200毫米硅錠的工廠也耗費了15億美元。下面就從硅錠的切片開始介紹CPU的製造過程。
在製成硅錠並確保其是一個絕對的圓柱體之後，下一個步驟就是將這個圓柱體硅錠切片，切片越薄，用料越省，自然可以生產的處理器晶元就更多。切片還要鏡面精加工的處理來確保表面絕對光滑，之後檢查是否有扭曲或其它問題。這一步的質量檢驗尤為重要，它直接 決定了成品CPU的質量。

新的切片中要摻入一些物質而使之成為真正的半導體材料，而後在其上刻劃代表著各種邏輯功能的晶體管電路。摻入的物質原子進入硅原子之間的空隙，彼此之間發生原子力的作用，從而使得硅原料具有半導體的特性。今天的半導體製造多選擇CMOS工藝（互補型金屬氧化物半導體）。其中互補一詞表示半導體中N型MOS管和P型MOS管之間的交互作用。而N和P在電子工藝中分別代表負極和正極。多數情況下，切片被摻入化學物質而形成P型襯底，在其上刻劃的邏輯電路要遵循nMOS電路的特性來設計，這種類型的晶體管空間利用率更高也更加節能。同時在多數情況下，必須盡量限制pMOS型晶體管的出現，因為在製造過程的後期，需要將N型材料植入P型襯底當中，而這一過程會導致pMOS管的形成。

在摻入化學物質的工作完成之後，標準的切片就完成了。然後將每一個切片放入高溫爐中加熱，通過控制加溫時間而使得切片表面生成一層二氧化硅膜。通過密切監測溫度，空氣成分和加溫時間，該二氧化硅層的厚度是可以控制的。在intel的90納米製造工藝中，門氧化物的寬度小到了驚人的5個原子厚度。這一層門電路也是晶體管門電路的一部分，晶體管門電路的作用是控制其間電子的流動，通過對門電壓的控制，電子的流動被嚴格控制，而不論輸入輸出埠電壓的大小。

准備工作的最後一道工序是在二氧化硅層上覆蓋一個感光層。這一層物質用於同一層中的其它控制應用。這層物質在乾燥時具有很好的感光效果，而且在光刻蝕過程結束之後，能夠通過化學方法將其溶解並除去。

光刻蝕

這是目前的CPU製造過程當中工藝非常復雜的一個步驟，為什麼這么說呢？光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應的刻痕， 由此改變該處材料的化學特性。這項技術對於所用光的波長要求極為嚴格，需要使用短波長的紫外線和大麴率的透鏡。刻蝕過程還會受到晶圓上的污點的影響。每一步刻蝕都是一個復雜而精細的過程。設計每一步過程的所需要的數據量都可以用10GB的單位來計量，而且製造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步（每一步進行一層刻蝕）。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個紐約市外加郊區范圍的地圖相比，甚至還要復雜，試想一下，把整個紐約地圖縮小到實際面積大小隻有100個平方毫米的晶元上，那麼這個晶元的結構有多麼復雜，可想而知了吧。

當這些刻蝕工作全部完成之後，晶圓被翻轉過來。短波長光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然後撤掉光線和模板。通過化學方法除去暴露在外邊的感光層物質，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。

摻雜

在殘留的感光層物質被去除之後，剩下的就是充滿的溝壑的二氧化硅層以及暴露出來的在該層下方的硅層。這一步之後，另一個二氧化硅層製作完成。然後，加入另一個帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門電路的另一種類型。由於此處使用到了金屬原料（因此稱作金屬氧化物半導體），多晶硅允許在晶體管隊列埠電壓起作用之前建立門電路。感光層同時還要被短波長光線透過掩模刻蝕。再經過一部刻蝕，所需的全部門電路就已經基本成型了。然後，要對暴露在外的硅層通過化學方式進行離子轟擊，此處的目的是生成N溝道或P溝道。這個摻雜過程創建了全部的晶體管及彼此間的電路連接，沒個晶體管都有輸入端和輸出端，兩端之間被稱作埠。

重復這一過程

從這一步起，你將持續添加層級，加入一個二氧化硅層，然後光刻一次。重復這些步驟，然後就出現了一個多層立體架構，這就是你目前使用的處理器的萌芽狀態了。在每層之間採用金屬塗膜的技術進行層間的導電連接。今天的P4處理器採用了7層金屬連接，而Athlon64使用了9層，所使用的層數取決於最初的版圖設計，並不直接代表著最終產品的性能差異。

接下來的幾個星期就需要對晶圓進行一關接一關的測試，包括檢測晶圓的電學特性，看是否有邏輯錯誤，如果有，是在哪一層出現的等等。而後，晶圓上每一個出現問題的晶元單元將被單獨測試來確定該晶元有否特殊加工需要。
而後，整片的晶圓被切割成一個個獨立的處理器晶元單元。在最初測試中，那些檢測不合格的單元將被遺棄。這些被切割下來的晶元單元將被採用某種方式進行封裝，這樣它就可以順利的插入某種介面規格的主板了。大多數intel和AMD的處理器都會被覆蓋一個散熱層。在處理器成品完成之後，還要進行全方位的晶元功能檢測。這一部會產生不同等級的產品，一些晶元的運行頻率相對較高，於是打上高頻率產品的名稱和編號，而那些運行頻率相對較低的晶元則加以改造，打上其它的低頻率型號。這就是不同市場定位的處理器。而還有一些處理器可能在晶元功能上有一些不足之處。比如它在緩存功能上有缺陷（這種缺陷足以導致絕大多數的CPU癱瘓），那麼它們就會被屏蔽掉一些緩存容量，降低了性能，當然也就降低了產品的售價，這就是Celeron和Sempron的由來。

在CPU的包裝過程完成之後，許多產品還要再進行一次測試來確保先前的製作過程無一疏漏，且產品完全遵照規格所述，沒有偏差。

我們希望這篇文章能夠為一些對於CPU製作過程感興趣的人解答一些疑問。畢竟作者水平有限，不可能以專業的水平把製作過程完全展示給您，如果您有興趣繼續鑽研，建議您去閱讀一些有關集成電路製造的高級教材。

⑤ 怎樣換配置請詳細說明。

單機的要求比網游要求高多了。你那機器還是換平台吧，升級意義不大

⑥ 硅磷晶在閉式巡環中如何正確配置用量

循環中，正確的配置用量需要根據使用的具體環境和要達到的效果去匹配到的

⑦ 50毫克每毫升的硅怎麼配置

看書吧

⑧ 單硅機的調試方法

單硅機，這個名詞對於漁友來說耳熟能詳了，而且幾乎誰都會做，但最後做出來能調試出好的效果出來的人沒幾個！呵呵，不是我要貶低大家，而是事實如此！有一部分人了解一些調試重點，但卻忽視了很多參數，或者說沒有理解透單硅！！今天我簡單談一下單硅機的調試要點！純屬個人意見，大家可信可不信！！
1：倍壓，一個好的機器要出好的效果倍壓選擇很重要，根據自己當地水質選擇最高倍壓能充分發揮出機器性能，一般的商品機都有高低電壓選擇檔位，如果新手做機得話最好也多留幾個電壓檔位，我的經驗是倍壓在600-800V最佳！
2：電感，很多人都說關斷電感只要能關斷就好了，隨便繞個幾十匝就行，那我就要告訴你，你永遠也做不好魚機！關斷電感的作用是增大輸出脈寬，降低輸出尖峰的作用！增大脈寬實際上就是提高控魚能力！但並非越大越好，適當的脈寬就可以了，太大隻會增加耗電！！
3：電容，嘿嘿，很多人發現機子不浮魚都拚命加電容，結果效果越來越差！！那這個關斷電容到底起什麼作用呢？電容主要增大輸出尖峰，而暈魚就是靠這個尖峰，電容越大，尖峰越高，暈魚效果越好，但太高的尖峰容易死魚，沉魚，驚魚！
4，電感和電容的匹配：上面簡單介紹了電感和電容的作用，我們不難看出這兩個東西是一個矛盾體，相互制約著，電容和電感很難匹配到最佳點，到底要怎樣選擇這兩個參數呢？這是一個很復雜的問題，很多大師級的人物也無法做到精確，那麼肯定有一個參考標准，我說說我的經驗！1mh電感配2-4uf電容，要想有控魚能力，電感量必須達到1mh以上，電容2-4UF時的尖峰電壓能有效暈魚並且不會驚魚，按這個比例匹配，頻率調得好，效果是非常好的！！前級功率的大小也是非常重要的，500W以下的一定不要超過1mh----2-4uf的比例，功率大的機器以此類推按比例選擇！
5，怎麼判斷你現在的機子配置是否合理？如果電魚的時候魚能從水底打圈浮上來，電極旁邊的魚也能吸過來，但這個持續的時間很短，手快的話還能撈到幾條，手慢的話全跑了，或者一松開關魚就逃了。把頻率調高還是跑！這種現象說明輸出脈寬大，尖峰低，能控魚不能暈魚！主要是電感的比例大於電容，要減小電感量！！另一種現象是魚很少能浮上來，大多數是半浮或者沉底了，電極旁邊或者遠處的魚一按開關就跑了，驚魚很嚴重，調低頻率有時候能浮魚，但逃魚現象嚴重，這表明電容的比例大於電感了！
再說說電感的製作，電感有空心，鐵芯，磁芯的區別,1000W以內的機空心電感最好，再大功率的機也可以用空心電感，只是製作成本要高一些，一個電感的成本超過主變！我不建議電感加磁芯，雖然這樣做能節約成本，但加了磁芯電感量不好控制，再就是電感量極不穩定，隨溫度變化非常大！有些朋友動不動就往電感里加磁芯，你要知道你加了磁芯後電感量增加幾倍，此時電容不做調整的話你的機器很難有好的效果，但加了電容，耗電巨大，你的前級又吃不消了，所以不要盲目調整！我自己做的機子上一律使用使用的空心電感，500W以下的機電感1mh-1.5mh,1.2的線在25x25mm內徑的骨架上繞200T左右！我看很多人做的電感只有80-100T，電容用6-8UF ,這樣的匹配電小白條就差不多，要想有什麼好的效果是不可能的，控魚效果很差的，把電感改改吧！！
有很多人不知道空心電感怎麼做，大家可以參考音響分頻電感的做法，或者直接買音響分頻電感，一定要選擇線徑等於或者大於1.2的，那種電感質量很好，都有標稱電感量！！！自己做的話能節約點銀子！！
先說這么多，如果漏掉什麼，以後再補充！！

⑨ 硅烷化試劑怎麼配製

硅烷化試劑的配製標准為：用3ML六甲基二硅烷+1ML三甲基氯硅烷+9ML吡啶

硅烷化試劑的應用有三甲基甲硅烷基單官能SBA，如三甲基氯硅烷、六甲基二硅氮烷等；

硅烷化試劑的應用有位阻型單官能SBA，如叔丁基二甲基氯硅烷、三異丙基氧硅烷等；

硅烷化試劑的應用有位阻型雙官能SBA，如二甲基二乙醯氧基硅烷、二叔丁基二氯硅烷等；

硅烷化試劑的應用有其它保護劑，如三甲基輕乙基硅烷、甲基二苯基羥乙基硅烷等

(9)硅怎麼配置擴展閱讀：

硅烷化試劑，簡寫SBA，又稱硅烷保護劑。在分析或有機合成中用以變更或保護有機物中活性基團的一類有機硅單體或小分子化合物

硅烷化試劑的原理為將反應物與過量的六甲基二硅氮烷一起迴流，直至氨逸出為止，然後將生成的甲硅烷基化的衍生物進一步進行其它合成反應，最後經過催化水解，脫除上去的硅甲烷基團，使原活性基團再生也可用它改性葯物，如使成油溶性或喪失苦味等

⑩ 固體硅酸鈉怎麼配置成比重為1.25的硅酸鈉溶液，也就是水玻璃。需要硅酸鈉的質量是多少水溶液又是多少

比重就是物體的重量與其體積的比值。
有些國家是把比重規定為乾燥物體完全密實（沒有孔隙）的重量和同體積的純水在4℃時的重量之比。例如金子的比重是19.3，水銀的比重是13.55。