m標的存儲晶元

『壹』 M1晶元的M是什麼意思

對呀，這個就是蘋果的，別人給我筆記本電腦的晶元，..

他自言新片，因為他之前用的的內心變，但是現在他可以開始自己開發自己生自己設計晶元，所以說不用英特的MCP是目前性能最強的晶元，而且功耗特別低，所以說續航特別久，差不多用三五年都不會落後，他是目前最厲害的晶元性能最強的，比英特爾所有的晶元都要厲害。...

你可以看一下蘋果的市值，現在蘋果是渝州市值最高的，差不多都一家公司都3億美元，30,000億美元，真的是富可敵國，特別厲害的公司，如果之前買到股票，現在估計都賺翻了。

『貳』 晶元上有個特大"M",請問是哪家的晶元啊

Marvell MediaTek Mstar 最有可能的是 MediaTek

『叄』 內存條上有個M標志是什麼牌子

內存條上有個M標志是鎂光。

鎂光(Micron)身為世界第二大內存顆粒製造商。產品在國內極少現身。這是因為鎂光很少將自己的優質顆粒賣給其他內存品牌。其極品顆粒供自家DIY品牌Crucial使用及品牌機OEM市場。在IBM.COMPAQ.HP.Dell等國際知名品牌都可以看到其內存顆粒的產品。可知其穩定性及超頻性好。

(3)m標的存儲晶元擴展閱讀

鎂光內存條的優勢：

鎂光與英特爾研究成果發布——3D Xpoint技術的新類別內存產品推出。3D堆疊技術是利用摩爾定律，將存儲單元拉近，並且速度增加的技術。

基於這種技術的內存採用了高性能和高容量、低成本的存儲解決方案，在內存處理上做出了重大突破。新內存產品的DRAM密度提升10倍，比目前使用的快閃記憶體速度快1000倍，並且擁有更好的耐久度。3D Xpoint技術將大幅提升智能手機的性能。

此外，鎂光旗下擁有知名內存品牌——英睿達，其生產的柏勝運動系列內存從北美引入國內，獲得了較好的市場反應。

鎂光柏勝運動系列包括Sport系列、Tactical系列、Elite系列，這三個系列構成一個全面的產品線，從低延遲的DDR-2 800MHz到高速度的DDR3-2133MHz，可以滿足游戲玩家、高端用戶不同級別的性能需求。

『肆』 內存條晶元如何解讀

整個DDR SDRAM顆粒的編號，一共是由14組數字或字母組成，他們分別代表內存的一個重要參數，了解了他們，就等於了解了現代內存。

顆粒編號解釋如下：

1． HY是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現代製造的產品。

2． 內存晶元類型：（5D=DDR SDRAM）

3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）

4． 晶元容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 內存條晶元結構：（4＝4顆晶元；8＝8顆晶元；16＝16顆晶元；32＝32顆晶元）

6． 內存bank（儲蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 介面類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）

8． 內核代號：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10． 封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11． 封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12． 封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素）

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14． 工作溫度：（I=工業常溫（-40 - 85度）；E=擴展溫度（-25 - 85度））

由上面14條註解，我們不難發現，其實最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數字的實際含義，就能輕松實現對使用現代DDR SDRAM內存顆粒的產品進行辨別。尤其是第13位數字，它將明確的告訴消費者，這款內存實際的最高工作狀態是多少。假如，消費者買到一款這里顯示為L的產品（也就是說，它只支持DDR 200的工作頻率），那麼就算內存條上貼的標簽或者包裝盒上吹的再好，它也只是一款低檔產品。

常見SDRAM 編號識別

維修SDRAM內存條時，首先要明白內存晶元編號的含義，在其編號中包括以下幾個內容：廠商名稱（代號）、容量、類型、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標志等。通過對這些參數的分析比較，就可以正確認識和理解該內存條的規格以及特點。
(1)世界主要內存晶元生產廠商的前綴標志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 現代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西門子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 東芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 勝創
(2)內存晶元速度編號解釋如下:
★ -7 標記的SDRAM 符合 PC143 規范,速度為7ns.
★ –75標記的SDRAM 符合PC133規范,速度為7.5ns.
★ –8標記的SDRAM 符合PC125規范,速度為8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S標記的SDRAM 符合PC100規范,速度為10ns.
★ –10K標記的SDRAM符合PC66規范,速度為15ns.
(3) 編 號 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示晶元類別,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示電壓,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示帶寬。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.
g表示版本號，B—第三代。
h表示電源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。
ii表示封裝形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75
按照解釋該內存條應為：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解釋該內存條應為：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ

全球主要內存晶元生產廠家(掌握內存晶元生產技術的廠家主要分布在美國、韓國、日本、德國、台灣)：

序號 品牌 國家/地區 標識 備注
1 三星 韓國 SAMSUNG
2 現代 韓國 HY
3 樂金 韓國 LGS 已與HY合並
4 邁克龍 美國 MT
5 德州儀器 美國 Ti 已與Micron合並
6 日電 日本 NEC
7 日立 日本 HITACHI
8 沖電氣 日本 OKI
9 東芝 日本 TOSHIBA
10 富士通 日本 F
11 西門子 德國 SIEMENS
12 聯華 台灣 UMC
13 南亞 台灣 NANYA
14 茂矽 台灣 MOSEI

『伍』 以下是哪個晶元廠商的圖標：一個m上加一個橢圓，橢圓長軸軸線向右上

Micron（美國鎂光）半導體是全球第三大內存晶元廠，是全球著名的半導體存儲器方案供應商，是美國500強企業之一。

官網網址網頁鏈接

『陸』 U盤、MP3這些產品用的內存晶元分MLC和SLC的，它們都有什麼區別啊

MLC（Multi-Level-Cell）技術，由英特爾於1997年率先推出，能夠讓單個存儲單元保存兩倍的數據量。MLC內存顆粒是個相當良好的低價解決方案，可大幅節省製造商端的成本，但是MLC NAND顆粒製成的CompactFlash卡相較於SLC（Single-Lecel_Cell） 內存顆粒的產品有著寫入速度慢、耗電多、壽命短的缺點，MLC顆粒製成的產品只有10X（1.5Mbyte/sec）的寫入速度，SLC 顆粒製成的產品可以達到 22X（3.2Mbyte/sec）的寫入速度。Intel 在1997年9月最先開發成功，能夠讓單個存儲單元保存兩倍的數據量；
SLC 與 MLC 的參數對比：
Item SLC MLC
電壓 3.3V/1.8V 3.3V
生產工藝 / 晶元尺寸 0.12um 0.16um
頁容量 / 塊容量 2KB/128KB 512KB/32KB or 2KB/256KB
訪問時間（最大） 25us 70us
頁編程時間（典 型） 250us 1.2ms
可否局部編程 Yes No
擦寫次數 100K 10K
數據寫入速率 8MB/S+ 1.5MB/S

『柒』 一個M上面一個圈是什麼牌子的內存呀

美光（Micron ）內存，也有叫鎂光的，都是同一個牌子。美國牌子貨高級貨！
美光科教是世界第二大內存顆粒製造商，總部位於美國愛德荷州首府博伊西市。在中國的製造工廠司設在西安，於2007年3月21日落成在西安高新區，是目前陝西省最大的外商投資企業之一。2012年完成收購日本爾必達後成為全球僅次於三星的第二大內存顆粒製造商。美光(Micron)在國內主要涉足於快閃記憶體、固態硬碟和影像感測器等。
美光科技有限公司（以下簡稱美光科技），成立於1978年，是全球最大的半導體儲存及影像產品製造商之一，其主要產品包括DRAM、NAND快閃記憶體、NOR快閃記憶體、SSD固態硬碟和CMOS影像感測器。總公司（Micron Technology, Inc.）設於美國西北部愛達荷州的首府博伊西，擁有完整先進的製造業和研發設備。美光的業務分布全球，在全球擁有兩萬六千名正式雇員，其中亞洲有一萬名。在中國，美光科技公司在上海設立了市場營銷辦事處和集成電路設計中心；在北京、深圳設立了市場營銷辦事處，致力於為上海、北京、深圳、福建和其他省市的客戶提供高水平的服務。另外，2005年9月，美光公司經過對國內10餘個城市的進行綜合考察後，最後決定選址西安，建造美光在中國的半導體工廠，該項目包括晶元模塊組裝和晶元封裝測試兩個部分，總投資達2.5億美元，出口額可達5億美元以上，創造就業崗位2000餘個。
作為全球知名的半導體記憶產品生產商，產量位於全世界前列。美光的DRAM動態隨機存取存儲器和Flash快閃記憶體使用廣泛，主要用於計算機系統、電路網路和電訊產品；電腦，工作站，伺服器，網狀系統，行動電話，無線裝置，數碼照相機，和游戲系統，都是有使用美光的DRAM動態隨機存取存儲器和Flash快閃記憶體構成的產品。美光是行業的創新者和領導者，致力於開發突破性技術和產品，優化性能。美光的使命是要成為最具創新精神和低成本的存儲解決方案供應商。這一使命是體現在生產周期短、產出高、生產成本低、晶元尺寸是業界最小這幾個方面。美光科技公司一直致力於提高其客戶群，提高其在中國運用先進的半導體技術的地位。
美光公司普通股代碼為MU，在紐約證券交易所交易（NYSE）。
參考資料：網路和網路新聞