不是半導體存儲器

㈠ 半導體存儲器的分類

半導體存儲器晶元按照讀寫功能可分為只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）和隨機讀寫存儲器（Random Access Memory，RAM）兩大類。

只讀存儲器電路結構簡單，且存放的數據在斷電後不會丟失，特別適合於存儲永久性的、不變的程序代碼或數據（如常數表、函數、表格和字元等），計算機中的自檢程序就是固化在ROM中的。ROM的最大優點是具有不易失性。

不可重寫只讀存儲器

1、掩模只讀存儲器（MROM）

掩模只讀存儲器，又稱固定ROM。這種ROM在製造時，生產廠家利用掩模（Mask）技術把信息寫入存儲器中，使用時用戶無法更改，適宜大批量生產。

掩模只讀存儲器可分為二極體ROM、雙極型三極體ROM和MOS管ROM三種類型。

2、可編程只讀存儲器（PROM）

可編程只讀存儲器（Programmable ROM，簡稱PROM），是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲器，是在MROM的基礎上發展而來的。

隨機讀寫存儲器

1、靜態存儲器（SRAM）

利用雙穩態觸發器來保存信息，只要不斷電信息就不會丟失。靜態存儲器的集成度低，成本高，功耗較大，通常作為Cache的存儲體。

2、動態存儲器（DRAM）

利用MOS電容存儲電荷來保存信息，使用時需要不斷給電容充電才能保持信息。動態存儲器電路簡單，集成度高，成本低，功耗小，但需要反復進行刷新（Refresh）操作，工作速度較慢，適合作為主存儲器的主體部分。

3、增強型DRAM（EDRAM）

EDRAM晶元是在DRAM晶元上集成一個高速小容量的SRAM晶元而構成的，這個小容量的SRAM晶元起到高速緩存的作用，從而使DRAM晶元的性能得到顯著改進。

㈡ 硬碟不是半導體存儲器吧

不是半導體存儲器.快閃記憶體這類存儲器的讀寫速度還不夠快,成本不夠低,容量不夠大,所以短時間內很難替代硬碟

㈢ 半導體存儲器有幾類，分別有什麼特點

1、隨機存儲器

對於任意一個地址，以相同速度高速地、隨機地讀出和寫入數據的存儲器（寫入速度和讀出速度可以不同）。存儲單元的內部結構一般是組成二維方矩陣形式，即一位一個地址的形式(如64k×1位)。但有時也有編排成便於多位輸出的形式（如8k×8位）。

特點：這種存儲器的特點是單元器件數量少，集成度高，應用最為廣泛（見金屬-氧化物-半導體動態隨機存儲器）。

2、只讀存儲器

用來存儲長期固定的數據或信息，如各種函數表、字元和固定程序等。其單元只有一個二極體或三極體。一般規定，當器件接通時為「1」,斷開時為「0」，反之亦可。若在設計只讀存儲器掩模版時,就將數據編寫在掩模版圖形中，光刻時便轉移到硅晶元上。

特點：其優點是適合於大量生產。但是，整機在調試階段，往往需要修改只讀存儲器的內容，比較費時、費事，很不靈活（見半導體只讀存儲器）。

3、串列存儲器

它的單元排列成一維結構，猶如磁帶。首尾部分的讀取時間相隔很長，因為要按順序通過整條磁帶。半導體串列存儲器中單元也是一維排列，數據按每列順序讀取，如移位寄存器和電荷耦合存儲器等。

特點：砷化鎵半導體存儲器如1024位靜態隨機存儲器的讀取時間已達2毫秒，預計在超高速領域將有所發展。

(3)不是半導體存儲器擴展閱讀：

半導體存儲器優點

1、存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路製作在同一個硅晶元上，輸出和輸入電平可以做到同片外的電路兼容和匹配。這可使計算機的運算和控制與存儲兩大部分之間的介面大為簡化。

2、數據的存入和讀取速度比磁性存儲器約快三個數量級,可大大提高計算機運算速度。

3、利用大容量半導體存儲器使存儲體的體積和成本大大縮小和下降。

㈣ U盤 固態硬碟哪個不屬於半導體存儲器

兩者都屬於。
u盤就不用說了，就是電可擦寫儲存裝置最廣泛的應用，採用的是Flash(快閃記憶體),算是EEPROM的一種。
固態硬碟用到的顆粒也是基於NAND FLASH技術，和u盤存儲有點相似。
只有普通硬碟是使用磁性存儲，不屬於半導體存儲器。

㈤ 下列（）不是半導體存儲器晶元的性能指標 存儲空間 存儲結構 集成度 最大存儲時間

因為所謂的性能指標，其實就是我們實際使用時所考慮到的一些數據。
對於半導體存儲設備，我們首先關注的performance就是，容量和讀取速度，那麼存儲空間和最大存儲時間就一定是了，不選
另外，我們在購買比如移動硬碟的時候，會考慮到大小，到底是2.5寸呢還是3.5寸呢，一樣的存儲量，兩者價錢差很多啊，這就是集成度了。集成度高，那麼盤的體積就小。
所以是第二個，結構這個東西並不是直接的性能指標。

㈥ 計算機內存必須是半導體儲存器嗎

是的。PC中的存儲器都是半導體存儲器。

電腦中的存儲器是用來存儲計算機信息的。存儲器是電腦系統不可缺少的組成部分之一。電腦中的存儲器大致可劃分為兩大類：一類是主存，即內存；一類是輔存，即外存。

二者的重要區別之一，就在於他們與CPU之間的物理連接方法不同。與CPU地址線直接相連的存儲器就是內存，而通過介面與CPU間接相連的存儲器就是外存。連接方式的不同，直接導致了二者與CPU之間通信方法的不同。

詳細說明：

半導體存儲器是現代數字系統特別是計算機中的重要組成部分，它可分為RAM和ROM兩大類，絕大多數屬於MOS工藝製成的大規模集成電路。RAM是一種時序邏輯電路，具有記憶功能。它存儲的數據隨電源斷電源斷電而消失，因此是一種易失性的讀寫存儲器。

它包含有SRAM和DRAM兩種類型，前者用觸發器記憶數據，後者靠MOS管柵極電容存儲數據。因此，在不停電的情況下，SRAM的數據可以長久保持，DRAM則必須定期刷新。

ROM是一種非易失性的存儲器，它存儲的是固定數據，一般只能被讀出。根據數據寫入方式的不同，ROM又可以分成固定ROM和可編程ROM。

㈦ 剛才我們老師說U盤屬於磁存儲器。我覺得應該是半導體存儲器呀！哪位

U盤是半導體存儲器，USB是英文Universal Serial Bus的縮寫，中文含義是「通用串列匯流排」，用第一個字母U命名，所以簡稱「U盤」。U盤內集成的是Flash晶元，存儲介質為半導體，為mos管。而mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconctor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
半導體存儲器和磁芯存儲器最大的不同，就是半導體存儲器體積小，容量大，速度快，磁芯存儲器是體積大，容量小，速度慢。半導體存儲器用半導體的通斷狀態來記錄數據,體積可以做的很小，容量卻很大。磁芯存儲器是華裔王安於1948年發明的，磁芯的英文名稱就是core，磁芯存儲器就叫作core memory。磁芯存儲器用磁芯的磁極方向來存儲數據,體積大,速度慢,容量小，性能遠不上半導體存儲器，所以逐步被淘汰，現在很少使用。

㈧ RAM是半導體存儲器嗎

半導體存儲器(semi-conctor memory)
是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器,內存儲器就是由稱為存儲器晶元的半導體集成電路組成。
按其功能可分為：隨機存取存儲器（簡稱RAM）和只讀存儲器（只讀ROM）

㈨ 半導體存儲器屬於內存嗎

一個P型半導體和一個N型半導體構成一個PN結，兩個PN結構成一個三極體（TTL），n個三極體構成一個JK觸發器，n個JK觸發器構成一個鎖存器，一個鎖存器可以鎖存一位二進制數值，8位鎖存器可以鎖存一個位元組數據，1024個位元組構成1M，1024M構成1G，加上驅動控制電路就變成了內存條——你說內存屬不屬於半導體存儲器？
把PN結換成CMOS(互補金屬氧化物半導體)，做成場效應管，同樣可以合成鎖存器，最終做成內存。
所以內存都屬於半導體存儲器，而半導體存儲器不一定是內存，它的用途不限於內存。但硬碟不屬於半導體存儲器，它是磁介質存儲器。

㈩ 存儲器的存儲介質是半導體嗎

存儲器的存儲介質是半導體，一般稱為半導體存儲器，由大量相同的存儲單元和輸入、輸出電路等構成。每個存儲單元有兩個不同的表徵態0和1，用以存儲不同的信息。半導體存儲器是構成計算機的重要部件。同磁性存儲器相比，半導體存儲器具有存取速度快、存儲容量大、體積小等優點，並且存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路兼容，可製作在同一晶元上，使輸入輸出介面大為簡化。

半導體存儲器的分類

按功能的不同，半導體存儲器可分為隨機存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和串列存儲器三大類。隨著半導體集成電路工藝技術的發展，半導體存儲器容量增長非常快，單片存儲容量已進入兆位級水平，如16兆動態隨機存儲器（DRAM）已商品化，64兆、256兆DRAM在研製中。