存儲器的讀寫

① 存儲器進行一次完整的讀寫操作所需的全部時間稱為（ ）。A. 存取時間B. 存取周期C. CPU周期D. 機器周期

存儲器進行一次完整的讀寫操作所需的全部時間稱為存取時間。

存儲器存取時間又稱存儲器訪問時間，是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經歷的時間。主存儲器得主要性能指標為主存容量、存儲器存取時間和存儲周期時間。存儲器的速度一般用存儲器存取時間和存儲周期來表示。

存儲器進行一次「讀」或「寫」操作所需的時間稱為存儲器的訪問時間（或讀寫時間），而連續啟動兩次獨立的「讀」或「寫」操作（如連續的兩次「讀」操作）所需的最短時間，稱為存取周期。

(1)存儲器的讀寫擴展閱讀：

存儲器的主要功能是存儲程序和各種數據，並能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數據的存取，有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器和輔助存儲器，也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類方法。

主存儲器的主要性能指標為主存容量、存儲器存取時間和存儲周期時間。存儲器的速度一般用存儲器存取時間和存儲周期來表示。

② 4. 存儲器的讀寫操作是怎樣的

1.存儲器通過加法處理器對CS:IP進行處理,得到一個物理地址;
2.通過地址匯流排在內存中找到物理地址,在物理地址內存中找到對應的機器碼即匯編指令
3.機器碼通過數據匯流排到達指令緩沖器
4.執行機器碼
至於是讀還是寫就要看匯編指令是怎麼的了

③ 存儲器讀寫過程是什麼

讀應該是放下電，寫應該是被電

④ 按存儲器的讀寫功能分類，半導體存儲器可分為幾類各有何特點

按存儲器的讀寫功能分類，半導體存儲器可分為兩類：1.靜態 SRAM ，2.動態 DRAM
簡單說特點:靜態耗時稍長但信息穩定；動態快速但信息易流失。

⑤ 存儲器的讀寫

RAM、硬碟、光碟、儲蓄器

⑥ 計算機的存儲器讀寫速度比較

首先，CACHE是CPU的緩存，和CPU速度一致，用於平衡CPU和內存的速度差,是速度最快的
其次是RAM。因為內存儲存的是電腦的緩存，需要快速調用，速度必須快。比如ddr3 1333mhz內存的速度約是10.664GB/s.
然後首先，我先說一點，ROM和硬碟是一個東西。u盤和硬碟也是同一類東西。而且速度也不好比。例如，硬碟分為機械硬碟和固態硬碟，固態硬碟比機械硬碟快很多。
同時，u盤的傳輸速度除了和u盤自身有關外，還和傳輸介面有關，比如，usb3.1>usb3.0>usb2.0。
那麼我就把這兩個東西統一看為硬碟。目前世界上最快的消費級硬碟速度是威剛推出SSD，速度達3.2gb/s，自然賣的很貴。
u盤雖然自身速度跟硬碟沒啥區別，但是收到系統、介面之類的限制，u盤還是比硬碟要慢一點。
至於軟盤，你懂的。這玩意可以當紀念品了，速度慢地像蝸牛，內存小到裝不下現在的一個軟體。。。
綜合來說，速度應該是：CACHE>RAM>ROM或硬碟>u盤>軟盤

⑦ 讀寫最快的存儲器

通常來說，內存速度最快，但不排除特殊情況，比如nvme固態硬碟要比幾年前ddr2內存還快，不過nvme固態延遲ms級，內存延遲是nm級，固態還是不能取代內存的。但是最快的要屬CPU中的緩存，一級緩存最快，比內存還快幾百上千倍，其次是二級緩存，三級緩存。也有部分CPU設計了四級緩存，速度類推。

儲存卡讀寫速度的快慢是有差異的，對於內存卡來說，讀寫速度是以class做標志的，市面上比較常見的有三種，分別是C4、C6、C10。分別表示最低寫入速度為4M/s、6M/s、10M。C4等級為最常見的內存卡，C6/C8為高速卡，通常能良好滿足相機等設備高速連拍、高清攝像。

資料拓展：

存儲器單元實際上是時序邏輯電路的一種。按存儲器的使用類型可分為只讀存儲器(ROM)和隨機存取存儲器(RAM)，兩者的功能有較大的區別，因此在描述上也有所不同。
存儲器是許多存儲單元的集合，按單元號順序排列。每個單元由若干三進制位構成，以表示存儲單元中存放的數值，這種結構和數組的結構非常相似，故在VHDL語言中，通常由數組描述存儲器。

存儲器的主要功能是存儲程序和各種數據，並能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數據的存取。存儲器是具有「記憶」功能的設備，它採用具有兩種穩定狀態的物理器件來存儲信息。這些器件也稱為記憶元件。

⑧ 幾種存儲器讀寫速度關系

存儲器大體分為兩種：只讀存儲器ROM和隨機存儲器RAM。ROM用得比較多的是NANDFLASH和NOR FLASH，寫入速度NAND比NOR快，讀取速度NOR比NAND快。隨機存儲器分為靜態RAM（SRAM）和動態RAM（DRAM），速度是SRAM>DDR3>DDR2>DDR>SDRAM.

⑨ 存儲器的讀寫過程是什麼樣的

首頁 采購專區 供應專區 技術資料 環保電子 商情資訊 我的B2BIC

5.1 存儲器系統基本知識

作者： 時間： 2008-04-10 來源：

5.1.1存儲器的分類

按照存儲介質不同，可以將存儲器分為半導體存儲器、磁存儲器、激光存儲器。

這里我們只討論構成內存的半導體存儲器。

按照存儲器的存取功能不同，半導體存儲器可分為只讀存儲器（Read Only Memory簡稱ROM）和隨機存儲器（Random Access Memory簡稱RAM）

1.只讀存儲器（ROM）

ROM的特點是把信息寫入存儲器以後，能長期保存，不會因電源斷電而丟失信息。計算機在運行過程中，只能讀出只讀存儲器中的信息，不能再寫入信息。一般地，只讀存儲器用來存放固定的程序和數據，如微機的監控程序、匯編程序、用戶程序、數據表格等。根據編程方式的不同，ROM共分為以下5種：

(1)掩模工藝ROM

這種ROM是晶元製造廠根據ROM要存貯的信息，設計固定的半導體掩模版進行生產的。一旦制出成品之後，其存貯的信息即可讀出使用，但不能改變。這種ROM常用於批量生產，生產成本比較低。微型機中一些固定不變的程序或數據常採用這種ROM存貯。

(2)可一次性編程ROM（PROM）

為了使用戶能夠根據自己的需要來寫ROM，廠家生產了一種PROM。允許用戶對其進行一次編程──寫入數據或程序。一旦編程之後，信息就永久性地固定下來。用戶可以讀出和使用，但再也無法改變其內容。

(3)紫外線擦除可改寫ROM（EPROM）

可改寫ROM晶元的內容也由用戶寫入，但允許反復擦除重新寫入。EPROM是用電信號編程而用紫外線擦除的只讀存儲器晶元。在晶元外殼上方的中央有一個圓形窗口，通過這個窗口照射紫外線就可以擦除原有的信息。由於陽光中有紫外線的成分，所以程序寫好後要用不透明的標簽封窗口，以避免因陽光照射而破壞程序。EPROM的典型晶元是Intel公司的27系列產品，按存儲容量不同有多種型號，例如2716（2KB′8）、2732（4KB′8）、2764（8KB′8）、27128（16KB′8）、27256（32KB′8）等，型號名稱後的數字表示其存儲容量。

(4)電擦除可改寫ROM（EEPROM或E2PROM）

這是一種用電信號編程也用電信號擦除的ROM晶元，它可以通過讀寫操作進行逐個存儲單元讀出和寫入，且讀寫操作與RAM存儲器幾乎沒有什麼差別，所不同的只是寫入速度慢一些。但斷電後卻能保存信息。典型E2PROM晶元有28C16、28C17、2817A等。

(5)快擦寫ROM（flash ROM）

E2PROM雖然具有既可讀又可寫的特點，但寫入的速度較慢，使用起來不太方便。而flash ROM是在EPROM和E2PROM的基礎上發展起來的一種只讀存儲器，讀寫速度都很快，存取時間可達70ns，存儲容量可達16MB~128MB。這種晶元可改寫次數可從1萬次到100萬次。典型flash ROM晶元有28F256、28F516、AT89等。

2.隨機存儲器RAM（也叫讀寫存儲器）

讀寫存儲器RAM按其製造工藝又可以分為雙極型RAM和金屬氧化物RAM。

(1) 雙極型RAM
雙極型RAM的主要特點是存取時間短，通常為幾到幾十納秒（ns）。與下面提到的MOS型RAM相比，其集成度低、功耗大，而且價格也較高。因此，雙極型RAM主要用於要求存取時間短的微型計算機中。

(2) 金屬氧化物（MOS）RAM
用MOS器件構成的RAM又分為靜態讀寫存儲器（SRAM）和動態讀寫存儲器（DRAM）。

j靜態RAM（SRAM）

靜態RAM的基本存儲單元是MOS雙穩態觸發器。一個觸發器可以存儲一個二進制信息。靜態RAM的主要特點是，其存取時間為幾十到幾百納秒（ns），集成度比較高。目前經常使用的靜態存儲器每片的容量為幾KB到幾十KB。SRAM的功耗比雙極型RAM低，價格也比較便宜。

k動態RAM（DRAM）

動態RAM的存取速度與SRAM的存取速度差不多。其最大的特點是集成度特別高。其功耗比SRAM低，價格也比SRAM便宜。DRAM在使用中需特別注意的是，它是靠晶元內部的電容來存貯信息的。由於存貯在電容上的信息總是要泄漏的，所以，每隔2ms到4ms，DRAM要求對其存貯的信息刷新一次。

l集成RAM（i RAM）

集成RAM――Integrated RAM，縮寫為i RAM，這是一種帶刷新邏輯電路的DRAM。由於它自帶刷新邏輯，因而簡化與微處理器的連接電路，使用它和使用SRAM一樣方便。

m非易失性RAM（NVRAM）

非易失性RAM――Non-Volatile RAM，縮寫為NVRAM，其存儲體由SRAM和EEPROM兩部分組合而成。正常讀寫時，SRAM工作；當要保存信息時（如電源掉電），控制電路將SRAM的內容復制到EEPROM中保存。存入EEPROM中的信息又能夠恢復到SRAM中。

NVRAM既能隨機存取，又具有非易失性，適合用於需要掉電保護的場合。

5.1.2存儲器的主要性能指標
1.存貯容量
不同的存儲器晶元，其容量不一樣。通常用某一晶元有多少個存貯單元，每個存貯單元存貯若干位來表示。例如，靜態RAM6264的容量為8KB′8bit，即它有8K個單元（1K＝1024），每個單元存貯8位（一個位元組）數據。

2.存取時間
存取時間即存取晶元中某一個單元的數據所需要的時間。在計算機工作時，CPU在讀寫RAM時，它所提供的讀寫時間必須比RAM晶元所需要的存取時間長。如果不能滿足這一點，微型機則無法正常工作。

3.可靠性
微型計算機要正確地運行，必然要求存儲器系統具有很高的可靠性。內存的任何錯誤就足以使計算機無法工作。而存儲器的可靠性直接與構成它的晶元有關。目前所用的半導體存儲器晶元的平均故障間隔時間（MTBF）大概是（5′106∽1′108）小時左右。

4.功耗
使用功耗低的存儲器晶元構成存儲器系統，不僅可以減少對電源容量的要求，而且還可以提高存貯系統的可靠性。

關於我們 | 網站地圖 | 推薦給朋友 | 友情鏈接 | 服務介紹 | 配套雜志 | IC庫存
E-mail：[email protected]
Copyright (c) 2003-2008 經營許可證號：冀B2 - 20060071 備案序號：冀ICP備字05001825號
Powered by POAKs 5010375

⑩ 存儲器讀寫單位

以位元組為單位

我確認，十分的確認

一個漢字占兩個位元組

1024 位元組=1 K

1024 K=1 MB

1024 MB= 1G