動態存儲器定期刷新

㈠ 半導體 動態存儲器為什麼要進行刷新

動態半導體存儲器利用電容存儲電荷記錄。電容會放電,因此必須在電荷流失前對電容充電–刷新

㈡ 靜態和動態的存儲器是怎樣定義的

存儲器按生產工藝分：靜態存儲器與動態存儲器
靜態存儲器（SRAM）：讀寫速度快，生產成本高，多用於容量較小的高速緩沖存儲器。

動態存儲器（DRAM）：讀寫速度較慢，集成度高，生產成本低，多用於容量較大的主存儲器。
靜態存儲器與動態存儲器主要性能比較如下表：
靜態和動態存儲器晶元特性比較
SRAM DRAM
存儲信息 觸發器 電容
破壞性讀出 非 是
需要刷新 不要 需要
送行列地址 同時送 分兩次送
運行速度 快 慢
集成度 低 高
發熱量 大 小
存儲成本 高 低
動態存儲器的定期刷新：在不進行讀寫操作時，DRAM 存儲器的各單元處於斷電狀態，由於漏電的存在，保存在電容CS 上的電荷會慢慢地漏掉，為此必須定時予以補充，稱為刷新操作

㈢ 電腦存儲設備的儲存原理是什麼！

存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）,也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質或光碟等，能長期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執行的數據和程序，但僅用於暫時存放程序和數據，關閉電源或斷電，數據會丟失。
存儲器的主要功能是存儲程序和各種
數據，並能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數據的存取。存儲器是具有「記憶」功能的設備，它採用具有兩種穩定狀態的物理器件來存儲信息。這些器件也稱為記憶元件。在計算機中採用只有兩個數碼「0」和「1」的二進制來表示數據。記憶元件的兩種穩定狀態分別表示為「0」和「1」。日常使用的十進制數必須轉換成等值的二進制數才能存入存儲器中。計算機中處理的各種字元，例如英文字母、運算符號等，也要轉換成二進制代碼才能存儲和操作。
這里只介紹動態存儲器的工作原理。
動態存儲器每片只有一條輸入數據線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統地址匯流排和晶元地址引線之間專門設計一個地址形成電路。使系統地址匯流排信號能分時地加到8個地址的引腳上，藉助晶元內部的行鎖存器、列鎖存器和解碼電路選定晶元內的存儲單元，鎖存信號也靠著外部地址電路產生。
當要從DRAM晶元中讀出數據時，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而後送出RAS鎖存信號，該信號的下降沿將地址鎖存在晶元內部。接著將列地址加到晶元的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，也是在信號的下降沿將列地址鎖存在晶元內部。然後保持WE=1，則在CAS有效期間數據輸出並保持。
當需要把數據寫入晶元時，行列地址先後將RAS和CAS鎖存在晶元內部，然後，WE有效，加上要寫入的數據，則將該數據寫入選中的存貯單元。
由於電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態存儲電路的各存儲單元執行重讀操作，以保持電荷穩定，這個過程稱為動態存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現的。首先應用可編程定時器8253的計數器1，每隔1⒌12μs產生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時，DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態存儲器執行讀操作，每讀一次刷新一行。

㈣ 為什麼DRAM需要刷新

DRAM就是動態隨機存取存儲器，動態隨機存取存儲器需要刷新是因為DRAM存儲信息的特殊性。

DRAM是通過柵極電容存儲電荷來暫存信息。由於存儲的信息電荷終究是有泄漏的，電荷數又不能像SRAM存儲元那樣由電源經負載管來補充，時間一長，信息就會丟失。為此必須設法由外界按一定規律給柵極充電，按需要補給柵極電容的信息電荷，此過程叫刷新。因此，DRAM需要刷新。

(4)動態存儲器定期刷新擴展閱讀：

DRAM是靠其內部電容電位來記錄其邏輯值的，但是電容因各方面的技術困難無可避免的有顯著的漏電現象（放電現象）而使電位下降，於是需要周期性地對高電位電容進行充電而保持其穩定，這就是刷新。動態MOS存儲器採用「讀出」方式進行刷新。 有的Dram也支持每個bank刷新的命令，每次同時刷新一個bank的多個行，在一個rank刷新的時候允許bank-level 並行。

㈤ 計算機原理裡面，有關動態存儲器的刷新問題

刷新一行所用的時間就是一個讀寫周期，連續刷新32行要用16微秒，而一個讀寫周期只需一個存取周期，所以刷新一行只用一個存取周期

㈥ 動態MOS存儲器為什麼要刷新常用的刷新方式有哪幾種

動態MOS存儲單元存儲信息的原理，是利用MOS管柵極電容具有暫時存儲信息的作用。但由於漏電流的存在，柵極電容上存儲的電荷不可能長久保持不變，因此為了及時補充漏掉的電荷，避免存儲信息丟失，需要定時地給柵極電容補充電荷，通常把這種操作稱作刷新或再生。 常用的刷新方式有三種，一種是集中式，另一種是分散式，第三種是非同步式。 集中式刷新：在整個刷新間隔內，前一段時間重復進行讀/寫周期或維持周期，等到需要進行刷新操作時，便暫停讀/寫或維持周期，而逐行刷新整個存儲器，它適用於高速存儲器。 分散式刷新：把一個存儲系統周期t c 分為兩半，周期前半段時間t m 用來讀/寫操作或維持信息，周期後半段時間t r 作為刷新操作時間。這樣，每經過128個系統周期時間，整個存儲器便全部刷新一遍。 非同步式刷新：前兩種方式的結合。同學們可以自己畫畫它的刷新周期圖。

㈦ 動態RAM為什麼要刷新這里的刷新是什麼概念

RAM中，半導體晶體管中的電荷每1.2微秒會消失，數據也會消失。所以為了保存數據，每1微秒會重新通一次電即刷新一次。
在動態RAM晶元內部，每個內存單元保存一位信息。單元由下面兩部分組成：一個晶體管和一個電容器。當然這些部件都非常地小，因此一個內存晶元內可以包含數百萬個。電容器保存信息位--0或1（有關位的信息，請參見位和位元組）。晶體管起到了開關的作用，能讓內存晶元上的控制線路讀取電容上的數據，或改變其狀態。 
電容器就像一個儲存電子的小桶。在存儲單元中寫入1，小桶內就充滿電子；寫入0，小桶就被清空。這只"桶"的問題在於：它會泄漏。只需大約幾毫秒的時間，一個充滿電子的小桶就會漏得一干二凈。因此，為了確保動態存儲器能正常工作，必須由CPU或是由內存控制器對所有電容不斷地進行充電，使它們在電子流失殆盡之前保持"1"值。為此，內存控制器會先行讀取存儲器中的數據，再把數據寫回去。這種刷新操作每秒鍾會自動進行數千次。 

㈧ 半導體動態存儲器為什麼要刷新刷新的主要方式有哪三種

動態存儲器依靠電容電荷存儲信息，時間一長，電荷可能泄放，因此要定期刷新。 刷新方式有集中刷新、分散刷新、非同步刷新。

㈨ 書上說：DRAM為了保持數據，必須隔一段時間刷新一次，如果存儲單元沒有被刷新，數據就會丟失。

首先，DRAM SRAM ROM三者都是內存，所以內存每隔一段時間得刷新一下是不正確的。
DRAM是動態隨機存儲內存，需要定期刷新；
SRAM是靜態隨機存取內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據；
ROM是只讀內存，對用戶來說是只讀而不能寫的。只能有計算機生產廠商用特殊方式寫入
一些重要的軟體和數據，如引導程序、監控程序等，斷電後，其內容不會丟失。

㈩ 什麼是動態存儲器的定時刷新

動態刷新是指定期存放「1」的電容重新充電以補充泄路通路放掉的電荷。
也有表達刷新是指周期性的對電容執行讀出再寫入的操作。