存儲器刷新

A. 半導體 動態存儲器為什麼要進行刷新

動態半導體存儲器利用電容存儲電荷記錄。電容會放電,因此必須在電荷流失前對電容充電–刷新

B. 老師好，存儲器刷新周期與讀寫周期有何區別

讀寫周期：兩次存儲器讀/寫操作的最短時間間隔
存儲周期：稍大於讀寫周期，（在讀寫周期的基礎上加上必要的其他操作）
讀周期或寫周期：讀寫周期具體到或讀或寫

C. 半導體動態存儲器為什麼要刷新刷新的主要方式有哪三種

動態存儲器依靠電容電荷存儲信息，時間一長，電荷可能泄放，因此要定期刷新。 刷新方式有集中刷新、分散刷新、非同步刷新。

D. 動態MOS存儲器為什麼要刷新常用的刷新方式有哪幾種

動態MOS存儲單元存儲信息的原理，是利用MOS管柵極電容具有暫時存儲信息的作用。但由於漏電流的存在，柵極電容上存儲的電荷不可能長久保持不變，因此為了及時補充漏掉的電荷，避免存儲信息丟失，需要定時地給柵極電容補充電荷，通常把這種操作稱作刷新或再生。 常用的刷新方式有三種，一種是集中式，另一種是分散式，第三種是非同步式。 集中式刷新：在整個刷新間隔內，前一段時間重復進行讀/寫周期或維持周期，等到需要進行刷新操作時，便暫停讀/寫或維持周期，而逐行刷新整個存儲器，它適用於高速存儲器。 分散式刷新：把一個存儲系統周期t c 分為兩半，周期前半段時間t m 用來讀/寫操作或維持信息，周期後半段時間t r 作為刷新操作時間。這樣，每經過128個系統周期時間，整個存儲器便全部刷新一遍。 非同步式刷新：前兩種方式的結合。同學們可以自己畫畫它的刷新周期圖。

E. DRAM存儲器的刷新需要硬體電路的支持,請給出所需要的硬體,這些硬體是如何組織

1、是指給DRAM晶元復位嗎。復位就能刷新，
2、復位電路一般由電容，三極體，電阻等元件組成。
3、手動或自動電路復位晶元。

F. 什麼是刷新存儲器其存儲器容量與什麼因素有關

將存儲器原有內容擦除，寫入新的內容，就叫刷新存儲器。存儲器容量與晶元集成技術發展程度有關。

G. 存儲器所有單元刷新一遍需要多少次刷新操作如何理解

靜態存儲單元（SRAM） ●存儲原理：由觸發器存儲數據 ●單元結構：六管NMOS或OS構成 ●優點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態功耗極低；常用作Cache ●缺點：元件數多、集成度低、運行功耗大 ●常用的SRAM集成晶元：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位) 動態存儲單元（DRAM） ●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之後：單管基本單元） ●刷新(再生)：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作 ●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間必須小於柵極電容自然保持信息的時間（小於2ms）。 ●優點： 集成度遠高於SRAM、功耗低，價格也低 ●缺點：因需刷新而使外圍電路復雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計算機中，DRAM常用於作主存儲器。盡管如此，由於DRAM存儲單元的結構簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產品。

H. 在實際SRAM存儲器刷新操作中,最常用的刷新操作時哪幾種它們如何工作,特點是

SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態刷新。特點是速度快，價格較貴，常用於高速緩沖存儲器。
SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能。
但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，功耗較DRAM大 ，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的矽片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。

I. RAM存儲器需要每隔1~2ms刷新一次

RAM存儲器需要每隔1~2ms刷新一次的原因是：
DRAM電容上的電荷只能維持1-2ms，即使電源不掉電，信息也會自動消失，需要動態刷新。