存儲規格分什麼
A. 請問內存有哪幾種
按級別分目前為止有DDR,DDR2,DDR3。其中DDR已經被淘汰,在市場上找不到新貨的DDR內存。
按大小分有,128MB,256MB,512MB,1GB,2GB,4GB幾種,不過,按照目前的內存規格,及電腦的性能的要求,現在基本上只有買2GB這種級別的內存了,因為現在的游戲,及操作系統所要求的內存現在是越來越大。而且,也為了其他硬體(諸如,CPU,顯卡:GPU)的性能的發揮。像Windows
Vista和Windows
7這種操作系統,一般都是需要2GB的內存才能流暢的體驗。
按生產廠商分:可分為
金士頓,威剛,等等,不過現在最好的內存是金士頓的。
還有就是按照工作頻率分,常見的有:667MHz,800MHz,1066MHz,1333Mhz,1666Mhz,這些工作頻率的內存。
在目前的市場行情來看,購買金士頓
DDR3
2GB
1333MHz的內存現在應該是最好的。
B. 按存儲內容內存分為哪幾種
經常見到的內存按出現的先後為:EDO,SD,DDR,DDR2,DDR3。
而實際上內存種類很多。
根據組成元件的不同,RAM內存又分為以下十八種:
01.DRAM(Dynamic RAM,動態隨機存取存儲器):
這是最普通的RAM,一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元,DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲單元中,用電容的充放電來做儲存動作,但因電容本身有漏電問題,因此必須每幾微秒就要刷新一次,否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致,約為2~4ms。因為成本比較便宜,通常都用作計算機內的主存儲器。
02.SRAM(Static RAM,靜態隨機存取存儲器)
靜態,指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元,因為沒有電容器,因此無須不斷充電即可正常運作,因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定,往往用來做高速緩存。
03.VRAM(Video RAM,視頻內存)
它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中,有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計,其中一個數據口是並行式的數據輸出入口,另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。
04.FPM DRAM(Fast Page Mode DRAM,快速頁切換模式動態隨機存取存儲器)
改良版的DRAM,大多數為72Pin或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時,必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後,如果CPU需要的地址在同一行內,則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的,這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages,從512B到數KB不等,在讀取一連續區域內的數據時,就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料,從而大大提高讀取速度。在96年以前,在486時代和PENTIUM時代的初期,FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM(Extended Data Out DRAM,延伸數據輸出動態隨機存取存儲器)
這是繼FPM之後出現的一種存儲器,一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間,然後才能讀寫有效的數據,而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間,其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存,後期的486系統開始支持EDO DRAM,到96年後期,EDO DRAM開始執行。。
06.BEDO DRAM(Burst Extended Data Out DRAM,爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器)
這是改良型的EDO DRAM,是由美光公司提出的,它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式,也就是當一個數據地址被送出後,剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取,因此一次可以存取多組數據,速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內存的主板可謂少之又少,只有極少幾款提供支持(如VIA APOLLO VP2),因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM(Multi-Bank DRAM,多插槽動態隨機存取存儲器)
MoSys公司提出的一種內存規格,其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK),也即由數個屬立的小單位矩陣所構成,每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連接,一般應用於高速顯示卡或加速卡中,也有少數主機板用於L2高速緩存中。
08.WRAM(Window RAM,窗口隨機存取存儲器)
韓國Samsung公司開發的內存模式,是VRAM內存的改良版,不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器,並採用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快,另外還提供了區塊搬移功能(BitBlt),可應用於專業繪圖工作上。
09.RDRAM(Rambus DRAM,高頻動態隨機存取存儲器)
Rambus公司獨立設計完成的一種內存模式,速度一般可以達到500~530MB/s,是DRAM的10倍以上。但使用該內存後內存控制器需要作相當大的改變,因此它們一般應用於專業的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內存中。
10.SDRAM(Synchronous DRAM,同步動態隨機存取存儲器)
這是一種與CPU實現外頻Clock同步的內存模式,一般都採用168Pin的內存模組,工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料,這樣可以取消等待周期,減少數據傳輸的延遲,因此可提升計算機的性能和效率。
11.SGRAM(Synchronous Graphics RAM,同步繪圖隨機存取存儲器)
SDRAM的改良版,它以區塊Block,即每32bit為基本存取單位,個別地取回或修改存取的資料,減少內存整體讀寫的次數,另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器,並提供區塊搬移功能(BitBlt),效率明顯高於SDRAM。
12.SB SRAM(Synchronous Burst SRAM,同步爆發式靜態隨機存取存儲器)
一般的SRAM是非同步的,為了適應CPU越來越快的速度,需要使它的工作時脈變得與系統同步,這就是SB SRAM產生的原因。
13.PB SRAM(Pipeline Burst SRAM,管線爆發式靜態隨機存取存儲器)
CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求,管線爆發式SRAM取代同步爆發式SRAM成為必然的選擇,因為它可以有效地延長存取時脈,從而有效提高訪問速度。
14.DDR SDRAM(Double Data Rate二倍速率同步動態隨機存取存儲器)
作為SDRAM的換代產品,它具有兩大特點:其一,速度比SDRAM有一倍的提高;其二,採用了DLL(Delay Locked Loop:延時鎖定迴路)提供一個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。
15.SLDRAM (Synchronize Link,同步鏈環動態隨機存取存儲器)
這是一種擴展型SDRAM結構內存,在增加了更先進同步電路的同時,還改進了邏輯控制電路,不過由於技術顯示,投入實用的難度不小。
16.CDRAM(CACHED DRAM,同步緩存動態隨機存取存儲器)
這是三菱電氣公司首先研製的專利技術,它是在DRAM晶元的外部插針和內部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前,幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率,隨著CPU時鍾頻率的成倍提高,CACHE不被選中對系統性能產生的影響將會越來越大,而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足,因此能極大地提高CPU效率。
17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM,第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟於1999年解散後將既有的研發成果與DDR整合之後的未來新標准。DDRII的詳細規格目前尚未確定。
18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流內存標准之一,由Rambus 公司所設計發展出來,是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus,這樣不但可以減少控制器的體積,已可以增加資料傳送的效率。
C. 手機內存卡大小有幾種類型
手機內存卡大小的類型有如下幾種:
1、MMC卡:32mm x 24mm x 1.4mm。
2、SD卡:32mm×24mm×2.1mm。
3、MS卡:50mm x 21.5mm x 0.28mm。
4、TF卡:11mm×15mm×1.0mm。
5、RSMMC卡:32mm x 24mm x 1.4mm。
6、mobile卡:32mm x 24mm x 1.4mm。
7、Media卡:45mm×37mm×0.9mm。
(3)存儲規格分什麼擴展閱讀
使用手機內存卡注意事項:
1、手機內存卡如果在通過讀卡器連接電腦之後,不能隨意拔掉或者斷開讀卡器,需要電腦系統關閉後,再把它拔出,如果在復制文件時,電腦顯示已復制完成,但是讀卡器指示燈還在閃爍的話,說明還在文件傳輸,還不能斷開,內存卡在來拷貝的時候,盡量不要把存儲空間塞得滿滿的,要適當留些空間,專業考研對軟體起到保護作用。
2、使用內存卡時盡量不要在潮濕、高溫、高磁場附件使用內存卡,這樣會對內存卡有一定損害,而且在傳輸數據時,要保持電源穩定,傳輸線不要有接觸不良現象。
D. 求iQOO手機內存與快閃記憶體規格
iQOO的內存配置為:6G/8G/12G RAM+128G ROM 、8G/12G RAM+256G ROM機身存儲空間,不支持內存擴展。iQOO採用了DDR4X運行內存,存儲規格為:UFS 2.1。
E. 內存分為幾類
內存分為基本內存、保留內存、上位內存、高端內存、擴充內存和擴展內存六大類。
1、基本內存
指手機自身所帶的內存,區別於外插的各種內存卡。如一台手機它的手機內存有60M,但它插有一個1G的存儲卡,那麼它的基本內存為60M。也用於指一些品牌電腦所帶有的內存容量。
2、保留內存
一般占據640KB~1024KB地址空間。分配給顯示緩沖存儲器、各適配卡上的ROM和系統ROM BIOS,剩餘空間可作上位內存UMB。UMB的物理存儲器取自物理擴展存儲器。此范圍的物理RAM可作為Shadow RAM使用。
3、上位內存
是常規內存上面一層的內存,又稱之為DOS高端內存(地址為0A0000H~0FFFFFH)。利用保留內存中未分配使用的地址空間建立,其物理存儲器由物理擴展存儲器取得。
4、高端內存
擴展內存中的第一個64KB區域(1024KB~1088KB)。由HIMEM.SYS建立和管理。
5、擴充內存
是一種早期的增加內存的標准,最多可擴充到32M。使用擴充內存必須在計算機中安裝專門的擴充內存板,而且還要安裝管理擴充內存板的管理程序。
6、擴展內存
在386以上檔次的微機中,有兩種存儲器工作方式,一種稱為實地址方式或實方式,另一種稱為保護方式。在實方式下,物理地址仍使用20位,所以最大定址空間為1MB,以便與8086兼容。保護方式採用32位物理地址,定址范圍可達4GB。
F. 存儲器是如何劃分的 容量的單位都有什麼
存貯器分為:1、內部存貯器 2、外部存貯器。
1、就是我們通常所說的內存,一般容量單位是M(兆),但現在1G的內存市場上也開始普遍了,但大多數計算機還是內M為單位的。
2、主要由硬碟驅動器、光碟驅動器、軟盤驅動器、U盤驅動器組成。這些都是我們常見的,當然還有很多如移動硬碟,磁帶等不是主要常見。硬碟驅動器:通常單位是G,作為主要存貯設備,裝在機算機內部;光碟驅動器、軟盤驅動器和U盤驅動器屬於可移動磁碟,我們常見的都以M為單位。
G. 手機內存卡的存儲大小有哪些規格的
128M
512M
1G
2G
3G
和4G
單位換算是:1kb=1024b
1M=1024kb
1G=1024M
希望能對你有所幫助
H. 電腦內存有幾種規格,什麼規格的好一些
按舊到新和運行速度由慢到快,內存分為SD,DDR,DDR2,DDR3內存幾個階段,現在主流是DDR3,而最新的DDR4也快要上市了。
I. 計算機存儲器的分類
計算機存儲器可以根據存儲能力與電源的關系可以分為以下兩類:
一、易失性存儲器(Volatile memory)是指當電源供應中斷後,存儲器所存儲的數據便會消失的存儲器。主要有以下的類型:
1、動態隨機訪問存儲器,英文縮寫寫作DRAM,一般每個單元由一個晶體管和一個電容組成(後者在集成電路上可以用兩個晶體管模擬)。
特點是單元佔用資源和空間小,速度比SRAM慢,需要刷新。一般計算機內存即由DRAM組成。在PC上,DRAM以內存條的方式出現,DRAM顆粒多為4位或8位位寬,而載有多個顆粒的單根內存條的位寬為64位。
2、靜態隨機存取存儲器,英文縮寫寫作SRAM,一般每個單元由6個晶體管組成,但近來也出現由8個晶體管構成的SRAM單元。特點是速度快,但單元佔用資源比DRAM多。一般CPU和GPU的緩存即由SRAM構成。
二、非易失性存儲器(Non-volatile memory)是指即使電源供應中斷,存儲器所存儲的數據並不會消失,重新供電後,就能夠讀取存儲器中的數據。 主要種類如下:
1、只讀存儲器:可編程只讀存儲器、可擦除可規劃式只讀存儲器、電子抹除式可復寫只讀存儲器
2、快閃記憶體
3、磁碟:硬碟、軟盤、磁帶
(9)存儲規格分什麼擴展閱讀:
存儲器以二進制計算容量,基本單位是Byte:
1KiB=1,024B=210B
81MiB=1,024KiB=220B=1,048,576B
1GiB=1,024MiB=230B=1,073,741,824B
根據電氣電子工程師協會(IEEE 1541)和歐洲聯盟(HD 60027-2:2003-03)的標准,二進制乘數詞頭的縮寫為「Ki」、「Mi」、「Gi」,以避免與SI Unit國際單位制混淆。
但二進制乘數詞頭沒有廣泛被製造業和個人採用,標示為4GB的內存實際上已經是4GiB,但標示為4.7GB的DVD實際上是4.37GiB。
對於32位的操作系統,最多可使用232個地址,即是4GiB。物理地址擴展可以讓處理器在32位操作系統訪問超過4GiB存儲器,發展64位處理器則是根本的解決方法,但操作系統、驅動程序和應用程序都會有兼容性問題。