存存儲芯

『壹』 關於存儲字，存儲晶元的問題

為什麼每次讀出一個存儲字，需要選中其中的 8 片？

64k 乘 8 以及 16k 乘 1 的具體含義是什麼？

一塊晶元，xxx乘 1，只能存放一位數。

而，xxx 乘 8，是 8 位數，這就需要用 8 片「乘 1」的晶元，同時存放。

八片 16k 乘 1 的晶元，即可構成16k 乘 8 的存儲能力。

再乘以四，（即四組），即可構成 64k 乘 8 的存儲能力。

不懂可追問。

別忘了採納。

『貳』 存儲位元組和存儲晶元的概念

存儲位元組是以位元組為單位將信息存儲到一個地方。
那存儲晶元就是存儲信息的地方了
換句話說，存儲晶元是容器，它裝的是位元組或者是其他的一些單位的信息

『叄』 存儲晶元是什麼材料做的

對存儲行業而言，存儲晶元主要以兩種方式實現產品化：
1、ASIC技術實現存儲晶元
ASIC(專用集成電路)在存儲和網路行業已經得到了廣泛應用。除了可以大幅度地提高系統處理能力，加快產品研發速度以外，ASIC更適於大批量生產的產品，根椐固定需求完成標准化設計。在存儲行業，ASIC通常用來實現存儲產品技術的某些功能，被用做加速器，或緩解各種優化技術的大量運算對CPU造成的過量負載所導致的系統整體性能的下降。
2、FPGA 技術實現存儲晶元
FPGA（現場可編程門陣列）是專用集成電路（ASIC）中級別最高的一種。與ASIC相比，FPGA能進一步縮短設計周期，降低設計成本，具有更高的設計靈活性。當需要改變已完成的設計時，ASIC的再設計時間通常以月計算，而FPGA的再設計則以小時計算。這使FPGA具有其他技術平台無可比擬的市場響應速度。
新一代FPGA具有卓越的低耗能、快速迅捷（多數工具以微微秒-百億分之一秒計算）的特性。同時，廠商可對FPGA功能模塊和I/O模塊進行重新配置，也可以在線對其編程實現系統在線重構。這使FPGA可以構建一個根據計算任務而實時定製軟核處理器。並且，FPGA功能沒有限定，可以是存儲控制器，也可以是處理器。新一代FPGA支持多種硬體，具有可編程I/O，IP（知識產權）和多處理器芯核兼備。這些綜合優點，使得FPGA被一些存儲廠商應用在開發存儲晶元架構的全功能產品。

『肆』 有關於存儲晶元容量問題

64K和16K可以理解為組數
8，1是這個晶元的位數。存儲晶元一般使用位密度來表示其容量，但那樣看不出單顆粒的位寬。
所以使用用64K*8或16K*1的方式來表達，很明顯的可以看出晶元的位寬，方便拼接應用到它適合的匯流排寬度。32位匯流排上的256Kbyte存儲器，我可以用4個64K*8的晶元拼在一起實現。位元組容量256KB=64k*32位=64K*8位*4片。

現實中沒有1位寬的內存晶元，最小是4位的。

前者只用一個片選，32片*16K*1位=（8片*16K*1位）*4組，組之間共享地址與數據線，要4個片選。

『伍』 1.固態硬碟存儲晶元有哪些

採用FLASH晶元作為存儲介質，這也是通常所說的SSD
FLASH快閃記憶體晶元分為SLC（單層單元）MLC（多層單元）以及TLC（三層單元)NAND快閃記憶體。SLC有10萬次的寫入壽命，MLC寫入壽命僅有1萬次，TLC快閃記憶體只有500-1000次。

『陸』 存儲晶元的組成

存儲體由哪些組成
存儲體由許多的存儲單元組成，每個存儲單元裡面又包含若干個存儲元件，每個存儲元件可以存儲一位二進制數0/1。

存儲單元：
存儲單元表示存儲二進制代碼的容器，一個存儲單元可以存儲一連串的二進制代碼，這串二進制代碼被稱為一個存儲字，代碼的位數為存儲字長。

在存儲體中，存儲單元是有編號的，這些編號稱為存儲單元的地址號。而存儲單元地址的分配有兩種方式，分別是大端、大尾方式、小端、小尾方式。

存儲單元是按地址尋訪的，這些地址同樣都是二進制的形式。
MAR
MAR叫做存儲地址寄存器，保存的是存儲單元的地址，其位數反映了存儲單元的個數。

用個例子來說明下：

比如有32個存儲單元，而存儲單元的地址是用二進制來表示的，那麼5位二進制數就可以32個存儲單元。那麼，MAR的位數就是5位。

在實際運用中，我們 知道了MAR的位數，存儲單元的個數也可以知道了。

MDR

MDR表示存儲數據寄存器，其位數反映存儲字長。

MDR存放的是從存儲元件讀出，或者要寫入某存儲元件的數據（二進制數）。

如果MDR=16,，每個存儲單元進行訪問的時候，數據是16位，那麼存儲字長就是16位。

主存儲器和CPU的工作原理
在現代計算中，要想完成一個完整的讀取操作，CPU中的控制器要給主存發送一系列的控制信號（讀寫命令、地址解碼或者發送驅動信號等等）。

說明：

1.主存由半導體元件和電容器件組成。

2.驅動器、解碼器、讀寫電路均位於主存儲晶元中。

3.MAR、MDR位於CPU的內部晶元中

4.存儲晶元和CPU晶元通過系統匯流排（數據匯流排、系統匯流排）連接。

『柒』 存儲晶元是什麼怎麼沒有聽說存儲晶元被卡脖子

存儲晶元主要包括DRAM晶元和NAND晶元，這個行業確實是拼製造，但並不意味著我們不會被卡脖子。我國投資370億元之巨的福建晉華，主要製造DRAM晶元，在2018年10月30日被美國商務部列入「實體清單」，至今前途未卜。今天我到晉華的官網去逛了逛，發現「大事記」的時間線停在了2018年10月20日，也就是試產運行之日，至今1年半過去，就沒有量產的消息傳出。

半導體設備基本被日美壟斷，成為套在國產存儲晶元企業頭上的緊箍咒。下圖是網上流傳的晉華存儲器生產設備采購清單，可以看出，清一色的日本、美國企業。實際上，全球前10大半導體設備公司，美國佔了5個，日本有4個，歐洲1個。這就意味著，人家一斷供，沒有生產設備，錢再多，你也生產不了先進存儲晶元。總之，看起來沒有CPU等邏輯晶元復雜的存儲晶元，對目前的我國來說，仍然是一塊硬骨頭，還需要多多努力。

『捌』 內存儲器使用的半導體存儲晶元有哪些主要類型

◆存儲晶元（IC）的分類：

內存儲器按存儲信息的功能可分為隨機存儲器RAM(RandomAccess Memory)和只讀存儲器ROM(Read Only Memory)。 ROM中的信息只能被讀出，而不能被操作者修改或刪除，故一般用來存放固定的程序，如微機的管理、監控程序，匯編程序，以及存放各種表格等。

還有一種叫做可改寫的只讀存儲器EPROM(ErasaNe Pr。Brsmmable ROM)，和一般的RoM的不同點在於它可以用特殊裝置擯除和重寫它的內容，一般用於軟體的開發過程。

RAM就是我們常說的內存，它主要用來存放各種現場的輸入、輸出數據，中間計算結果，以及與外存交換信息和作堆棧用。它的存儲單元的內容按需要既可以讀出，也可以寫入或改寫。

由於RAM由電子器件組成，只能暫時存放正在運行的數據和程序，一旦關閉電源或掉電，其中的數據就會消失。RAM現在多為Mos型半導體電路，它分為靜態和動態兩種。

靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的；動態RAM是靠Mos電路中的柵極電容來記憶信息的。由於電容上電荷會泄漏，需要定時給予補充，所以動態RAM要設置刷新電路，但它比靜態RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適於作大容量存儲器。所以主內存通常採用動態RAM，而高速緩沖存儲器(Cache)則使用靜態RAM。

●存儲IC的特點，具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優點，同時成本低，便於大規模生產。

『玖』 存儲晶元的介紹

存儲晶元是嵌入式系統晶元的概念在存儲行業的具體應用。因此，無論是系統晶元還是存儲晶元，都是通過在單一晶元中嵌入軟體，實現多功能和高性能，以及對多種協議、多種硬體和不同應用的支持。

『拾』 常見的存儲晶元都有哪些

這個太多了。太多。

比較常見的是現代內存顆粒，威剛顆粒，ATMEL，PMC，SST。這是電腦里常用的，實際上還有更多