浮柵存儲器

1. 固態硬碟和內存條有什麼區別

這個問題需要從技術層面入手才能回答清楚、說透本質，講速度、內部結構只能觸及皮毛。固態硬碟的正式名稱叫快閃記憶體（Flash
Memory），是非易失性存儲器的一種，內存條的正式名稱叫隨機動態存儲器（Dynamic Random Access
Memory，縮寫為DRAM），屬於易失性存儲器。

兩者雖然都是半導體存儲器，但原理卻完全不同。內存的基本單元叫DRAM
CELL，都是由一個晶體管（Transistor）和兩個電容器（Capacitor）組成，原理結構如下圖。

Flash
Memory是東芝公司的藤尾增岡在1980年發明，屬於第五代非易失性存儲器。固態硬碟（Flash
Memory）雖然也是通過存儲電荷完成數據「寫入」，但是由於不是採用電容存儲電荷，斷電之後並不會馬上失去電荷，所以可以長久存儲數據。

總之，內存（DRAM）斷電後會失去存儲的數據，固態硬碟（Flash
Memory）則不會，這是它們最本質的區別。其次，在數據獨寫速度上，內存遠遠超過固態硬碟。不過，存儲數據的固態硬碟如果長期不用，也容易丟失數據，需要時不時拿出來插入電腦，以免數據丟失。

2. EPROM是存儲器中的一類，下述哪個（些

EPROM由以色列工程師Dov Frohman發明，是一種斷電後仍能保留數據的計算機儲存晶元——即非易失性的（非揮發性）。它是一組浮柵晶體管，被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成後，EPROM只能用強紫外線照射來擦除。通過封裝頂部能看見矽片的透明窗口，很容易識別EPROM，這個窗口同時用來進行紫外線擦除。可以將EPROM的玻璃窗對准陽光直射一段時間就可以擦除。
詳見網路，可以看出EPROM為只讀存儲器~

3. 什麼叫 浮柵場效應管

快閃記憶體（Flash）技術利用的場效應管就是浮柵場效應管

FLASH技術是採用特殊的浮柵場效應管作為存儲單元。這種場效應管的結構與普通場管有很大區別。它具有兩個柵極，一個如普通場管柵極一樣，用導線引出，稱為「選擇柵」；另一個則處於二氧化硅的包圍之中不與任何部分相連，這個不與任何部分相連的柵極稱為「浮柵」。通常情況下，浮柵不帶電荷，則場效應管處於不導通狀態，場效應管的漏極電平為高，則表示數據1。編程時，場效應管的漏極和選擇柵都加上較高的編程電壓，源極則接地。這樣大量電子從源極流向漏極，形成相當大的電流，產生大量熱電子，並從襯底的二氧化硅層俘獲電子，由於電子的密度大，有的電子就到達了襯底與浮柵之間的二氧化硅層，這時由於選擇柵加有高電壓，在電場作用下，這些電子又通過二氧化硅層到達浮柵，並在浮柵上形成電子團。浮柵上的電子團即使在掉電的情況下，仍然會存留在浮柵上，所以信息能夠長期保存（通常來說，這個時間可達10年）。由於浮柵為負，所以選擇柵為正，在存儲器電路中，源極接地，所以相當於場效應管導通，漏極電平為低，即數據0被寫入。擦除時，源極加上較高的編程電壓，選擇柵接地，漏極開路。根據隧道效應和量子力學的原理，浮柵上的電子將穿過勢壘到達源極，浮柵上沒有電子後，就意味著信息被擦除了。

由於熱電子的速度快，所以編程時間短，並且數據保存的效果好，但是耗電量比較大。

詳見http://user.qzone.qq.com/47944393/blog/1196996961

4. 半浮柵晶體管的性能和結構

半浮柵晶體管（SFGT）：結構巧 性能高
金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）是目前集成電路中最基本的器件，工藝的進步讓MOSFET晶體管的尺寸不斷縮小，而其功率密度也一直在升高。我們常用的U盤等快閃記憶體晶元則採用了另一種稱為浮柵晶體管的器件。快閃記憶體又稱「非揮發性存儲器」。所謂「非揮發」，就是在晶元沒有供電的情況下，信息仍被保存不會丟失。這種器件在寫入和擦除時都需要有電流通過一層接近5納米厚的氧化硅介質，因此需要較高的操作電壓（接近20伏）和較長的時間（微秒級）。科學家們把一個隧穿場效應晶體管（TFET）和浮柵器件結合起來，構成了一種全新的「半浮柵」結構的器件，稱為半浮柵晶體管。
「硅基TFET晶體管使用了硅體內的量子隧穿效應，而傳統的浮柵晶體管的擦寫操作則是使電子隧穿過絕緣介質。」「隧穿」是量子世界的常見現象，可以「魔術般」地通過固體，好像擁有了穿牆術。「隧穿」勢壘越低，相當於「牆」就越薄，器件隧穿所需電壓也就越低。把TFET和浮柵相結合，半浮柵晶體管（SFGT）的「數據」擦寫更加容易、迅速。「TFET為浮柵充放電、完成『數據擦寫』的操作，『半浮柵』則實現「數據存放和讀出」的功能。」傳統浮柵晶體管是將電子隧穿過高勢壘（禁帶寬度接近8.9 eV）的二氧化硅絕緣介質，而半浮柵晶體管（SFGT）的隧穿發生在禁帶寬度僅1.1 eV的硅材料內，隧穿勢壘大為降低。打個比方，原來在浮柵晶體管中，電子需要穿過的是一堵「鋼筋水泥牆」，而在半浮柵晶體管中只需要穿過「木板牆」，「穿牆」的難度和所需的電壓得以大幅降低，而速度則明顯提升。這種結構設計可以讓半浮柵晶體管的數據擦寫更加容易、迅速，整個過程都可以在低電壓條件下完成，為實現晶元低功耗運行創造了條件。

5. 存儲系統中的EPROM是指什麼

EEPROM是指帶電可擦可編程只讀存儲器，是一種掉電後數據不丟失的存儲晶元，EEPROM可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程，一般用在即插即用。

EPROM是一種斷電後仍能保留數據的計算機儲存晶元，它是一組浮柵晶體管，被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成後，EPROM只能用強紫外線照射來擦除，通過封裝頂部能看見矽片的透明窗口，很容易識別EPROM，這個窗口同時用來進行紫外線擦除。
EEPROM和EPROM的應用區別

對於一個需要開關設置參數的小型系統，可以把諸如波特率、同步和非同步選擇、數據長度等參數儲存在EEPROM中，制定一個數據序列或表格，使用戶方便地完成選擇。每次上電CPU按EEPROM中設定的參數進行指定的工作方式設煢。

對於大規模的計算機及通訊阿絡，可把諸如通道配置、數據速率以及終端的承受能力等控制信息用表格的形式顯示在CRT上，用在CRT上對系統可以方便地進行組態，EEPROM可以很好地將這些數據和表格存儲下來，解決了通訊網路的穩定性和靈活性問題。

EPROM是一種常用的存儲器，在單片機開發應用中一般用它作為程序存儲器，實際上它也是一種可編程邏輯器件。除了可以用它實現邏輯函數外，還可以用它實現一些復雜的測量和控制，通常的數字式電壓表採用液晶顯示，顯示亮度不高，顯示的數字也不大，在此介紹採用A/D轉換器和EPROM為核心構成的大型顯示LED數字式直流電壓表。適合於教學實驗演示及測控設備的儀表台櫃等的應用場合。

6. ROM和EPROM是什麼

ROM是只讀存儲器（Read-Only Memory）的簡稱，是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，並且資料不會因為電源關閉而消失。

EPROM由以色列工程師Dov Frohman發明，是一種斷電後仍能保留數據的計算機儲存晶元——即非易失性的（非揮發性）。它是一組浮柵晶體管，被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。

一旦編程完成後，EPROM只能用強紫外線照射來擦除。通過封裝頂部能看見矽片的透明窗口，很容易識別EPROM，這個窗口同時用來進行紫外線擦除。可以將EPROM的玻璃窗對准陽光直射一段時間就可以擦除。

(6)浮柵存儲器擴展閱讀：

ROM的種類：

1、ROM

只讀存儲器（Read-Only Memory）是一種只能讀取資料的存儲器。在製造過程中，將資料以一特製光罩（mask）燒錄於線路中，其資料內容在寫入後就不能更改，所以有時又稱為「光罩式只讀內存」（mask ROM）。

2、PROM

可編程程序只讀存儲器之內部有行列式的熔絲，是需要利用電流將其燒斷，寫入所需的資料，但僅能寫錄一次。 PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0， 以實現對其「編程」的目的。

3、EPROM

可抹除可編程只讀存儲器（Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM）可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時將線路曝光於紫外線下，則資料可被清空，並且可重復使用。通常在封裝外殼上會預留一個石英透明窗以方便曝光。

4、OTPROM

一次編程只讀存儲器（One Time Programmable Read Only Memory，OTPROM）之寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，編程寫入之後就不再抹除，因此不設置透明窗。

5、EEPROM

電子式可抹除可編程只讀存儲器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。

6、快閃記憶體

快閃記憶體（Flash memory）的每一個記憶胞都具有一個「控制閘」與「浮動閘」，利用高電場改變浮動閘的臨限電壓即可進行編程動作。

參考資料來源：

網路-ROM

網路-EPROM

7. MOS FLOATING

懸浮的柵極，簡稱浮柵
舉個例子，比如浮柵雪崩注入MOS（FAMOS）結構，用於可擦寫只讀存貯器
優點：浮柵編程技術具有可擦除性，電路可再構造，並且可作為非丟失器件，在掉電後仍能保持編程數據，不需要外接永久性存儲器。
缺點：浮柵編程技術的工藝較復朵，功耗比較高

希望能對你有所幫助

8. 誰能告訴我存儲器dataflash norflash nandflash EEPROM這些的區別啊

norflash,nandflash,EEPROM都是些非易失性存儲器，它們都是基於懸浮柵晶體管結構，但具體實現工藝上有差異。

EEPROM:(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),我把它譯作電擦電寫只讀存儲器，也有書本譯作「電可擦可編程只讀存儲器」。特點是可掉電存儲數據，缺點是存儲速度較慢，且早期的EEPROM需高壓操作，現在的EEPROM一般片內集成電壓泵，讀寫速度小於250納秒，使用很方便。

FLASH：一般譯為「快閃記憶體」，你可以理解為是EEPROM的一種，但存儲速度較快，製作工藝優良，U盤的核心元件就是它。NandFlash一般比較大，而NorFlash都比較小，並且NorFlash比較貴，並且NorFlash寫的速度比較慢，但讀的速度比較快 ，而NandFlash讀的速度比較慢，寫的速度比較快.nandflash用於存儲，而norflash除了存儲數據功能外，還可以直接在上面運行程序。

至於dataflash則是一個抽象概念，可以由norflash nandflash EEPROM構成。

9. 半浮柵晶體管的應用領域

作為一種新型的基礎器件，半浮柵晶體管（SFGT）可應用於不同的集成電路。首先，它可以取代一部分的SRAM，即靜態隨機存儲器。SRAM是一種具有高速靜態存取功能的存儲器，多應用於中央處理器(CPU)內的高速緩存，對處理器性能起到決定性的作用。傳統SRAM需用6個MOSFET晶體管才能構成一個存儲單元，集成度較低，佔用面積大。半浮柵晶體管則可以單個晶體管構成一個存儲單元，存儲速度接近由6個晶體管構成的SRAM存儲單元。因此，由半浮柵晶體管（SFGT）構成的SRAM單元面積更小，密度相比傳統SRAM大約可提高10倍。顯然如果在同等工藝尺寸下，半浮柵晶體管（SFGT）構成的SRAM具有高密度和低功耗的明顯優勢。
其次，半浮柵晶體管（SFGT）還可以應用於DRAM領域。DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存儲器，廣泛應用於計算機內存。其基本單元由1T1C構成，也就是一個晶體管加一個電容的結構。由於其電容需要保持一定電荷量來有效地存儲信息，無法像MOSFET那樣持續縮小尺寸。業界通常通過挖「深槽」等手段製造特殊結構的電容來縮小其佔用的面積，但隨著存儲密度提升，電容加工的技術難度和成本大幅度提高。因此，業界一直在尋找可以用於製造DRAM的無電容器件技術，而半浮柵晶體管（SFGT）構成的DRAM無需電容器便可實現傳統DRAM全部功能，不但成本大幅降低，而且集成度更高，讀寫速度更快。
半浮柵晶體管（SFGT）不但應用於存儲器，它還可以應用於主動式圖像感測器晶元(APS)。傳統的圖像感測器晶元需要用三個晶體管和一個感光二極體構成一個感光單元，而由單個半浮柵晶體管構成的新型圖像感測器單元在面積上能縮小20%以上。感光單元密度提高，使圖像感測器晶元的解析度和靈敏度得到提升。製造工藝和產業發展

10. 硬體問題

BIOS原理

我們知道，系統內存主要可分為只讀存儲器（ROM)和隨機存儲器（RAM)，隨機存儲器即我們常說的內存，體現在物理上也就是我們插裝在主機板上的內存條，主要用來在系統運行時臨時存放各種程序和數據，機器關閉時裡面的內容就丟掉。只讀存儲器ROM則是安裝在主機板上的一塊專用晶元，裡面的內容由計算機製造商在出廠前固化在裡面，不會隨機器的關閉而丟失，裡面存儲（固化）的內容主要就是BIOS(Basic Input/Output System—基本輸入輸出系統）。BIOS可以視為是一個永久地記錄在ROM中的一個軟體，是操作系統輸入輸出管理系統的一部分。它包括post自檢程序，基本啟動程序，基本的硬體驅動程序等。主要用來負責機器的啟動和系統中重要硬體的控制和驅動，並為高層軟體提供基層調用。因ROM中主要存儲的就是BIOS，因此，也可混稱為ROM BIOS，或系統ROM BIOS。此外，操作系統還在硬碟上存儲了一個重要文件IO.SYS—輸入輸出介面模塊，主要提供操作系統與硬體的介面，並擴充了ROM BIOS的某些功能。

早期的ROM BIOS晶元確實是"只讀"的，裡面的內容是用一種燒錄器寫入的，一旦寫入，就不能更改，除非更換晶元，現在的主機板都使用一種叫Flash EPROM的晶元來存儲系統BIOS，裡面的內容可通過使用主板廠商提供的擦寫程序擦除後重新寫入，這樣就給用戶升級BIOS提供了極大的方便。

一、BIOS的主要內容

系統ROM BIOS的主要內容有：

1、自診斷測試程序：PC系列微機啟動時，首先進入ROM BIOS，接著執行加電自檢（Power-on self test，簡稱post)，通過讀取系統主機板上CMOS RAM中的內容來識別系統的硬體配置，並根據這些配置信息對系統中各部件進行自檢和初始化，在自檢過程中，如果發現系統實際存在的硬體與CMOS RAM中的設置參數不符時，將導致系統不能正確運行甚至死機。

2、系統自舉裝入程序：在機器啟動時，系統ROM BIOS首先讀取磁碟引導記錄進內存，然後由引導記錄讀取磁碟操作系統重要文件進內存，從而啟動系統。

3、系統設置程序（SETUP)：通過運行SETUP程序，將系統的配置情況以參數的形式存入CMOS RAM中，在系統的啟動過程中，會在屏幕上提示，詢問用戶是否執行ROM BIOS中的SETUP程序進行CMOS參數設置，如需要，則可以通過在規定時間內按某一個鍵（通常是del鍵）來啟動SETUP程序，以設置正確的系統硬體參數，系統自動將參數存入到系統主板上的CMOS RAM中。

一般地，當微機系統出現下列情況時，需運行SETUP程序來設置CMOS參數：微機系統第一次加電，增加、減少、更換硬體，CMOS RAM掉電後原內容丟失，因需要而調整某些設置參數等。

據主板廠家和生產ROM BIOS晶元的廠家不同，SETUP程序也有不同的類型，目前常用的有：QUADTEL BIOS SETUP, AMI BIOS SETUP, AWARD BIOS SETUP, AMI WINBIOS SETUP等。

雖然BIOS SETUP程序的類型各異，但系統設置的內容大同小異，如AWARD BIOS SETUP的主要內容有以下項目：

（1）、標准CMOS參數設置

（2）、BIOS特性設置

（3）、晶元組特性設置

（4）、電源管理設置

（5）、PCI配置設置

（6）、裝載BIOS的預設參數

（7）、裝載設置的預設參數

（8）、密碼設置

（9）、自動檢測IDE型的硬碟

（10）、硬碟低級格式化

（11）、修改的參數存入BIOS並退出設置

（12）、修改的參數不存入BIOS退出

詳見CMOS設置；當然，別說是不同廠家的產品不完全一樣，就是同一廠家的產品因版本的不同，形式也會有一些差異，詳細情況可參照主機板說明書進行設置。

4、主要I/O設備的I/O驅動程序及基本的中斷服務程序等。為保證系統常用重要程序的安全性和方便性，計算機製造商會把一些重要的設備驅動程序或一些主板上集成了的硬體的驅動程序也固化在裡面。

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二、BIOS晶元

BIOS晶元，其實就是BIOS文件的載體。BIOS文件存儲在晶元中，通過晶元的外部介面可對晶元中的程序進行擦除和讀寫。BIOS晶元我們可以理解為一個有多個單元的樓房（晶元的存儲單元），每一個單元存儲一個二進制代碼（0或1）。二進制的BIOS文件，就是這樣一一按順序排列存儲在晶元中的。BIOS晶元根據存儲原理和工藝，可以分為EPROM、EEPROM、FLASHROM等。EPROM是非易失型存儲器（圖三）（圖四），

具有掉電不丟失的特性；其存儲單元由浮柵型場效應管構成，利用高壓使浮柵帶電實現對晶元的寫入，擦除內部數據靠紫外線消除浮柵上的電荷，使其不帶電。EPROM工作電壓為5V，在寫入時要用專用的編程器，並且寫入時必須要加一定的編程電壓（VPP=12-24V，隨不同的晶元型號而定），EPROM的型號是以27開頭（如ATMEL27C020）。

EEPROM是電擦除非易失型存儲器（圖五）（圖六），其存儲單元也是由浮柵型場效應管構成，寫入時，利用高壓下的隧道效應，令浮柵帶電；擦除時，仍是利用高壓下的隧道效應，不過電壓極性相反，因此令浮柵不帶電。EEPROM工作電壓為5V，在寫入時，需要加上一定的編程電壓（VPP＝12V），EERPROM的型號以28開頭（如AM28F020）。

FLASH ROM也是電擦除非易失型存儲器（快擦寫存儲晶元）（圖七）（圖八），其也是浮柵型場效應管構成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。FLASH ROM的工作和刷新電壓都是5V，其型號一般為29、39、49開頭（如SST 39SF020）。目前主板上的BIOS晶元，基本上都屬於FLASH ROM。 BIOS晶元有三種基本操作：讀取、擦除、編程。要了解以上操作過程，首先了解一下晶元的結構。晶元（存儲器）外部介面（引腳）可分為：數據線、地址線、控制線、電源線（圖九）。地址線用來確定數據所在的地址，數據線用來輸入和輸出數據。控制線包括CE、OE、WE；CE是片選信號，當CE為低電平時，晶元被選中（也就是可以對晶元進行任何操作，對於多BIOS晶元串聯使用時，可以用CE來選擇要操作的晶元是那一片，如RD2000雙BIOS系統即為用CE來切換兩個BIOS晶元的，通常主板上為單BIOS晶元，因此CE始終為低電平，也就是一直為選中）；OE是輸出允許，也是低電平時有效，當OE為低電平時，允許數據輸出，也就是可以讀取晶元中的內容，當OE是高電平時，輸出被禁止，無法讀取內容；WE為編程允許，也是低電平有效，當WE為低電平時可以對晶元進行編程（寫入），當WE為高電平時不能對晶元進行編程（我們可將此腳接為高電平，那麼晶元就無法寫入，無敵鎖即是將此腳升為高電平，來保護晶元的）。對於EEPROM不需要擦除，可以直接進行編程操作，對於FLASH ROM，需要先擦除晶元內的內容，然後才可以寫入新的內容。電原線包括VCC、VPP、PR.。VCC為5V工作電源，VPP為28系列寫入時12V電源（29系列此腳為NC，即為空腳），PR則是28系列分塊式BIOS，對BOOT BLOCK塊進行編寫的12V電源。晶元無論是讀取、擦除還是編程，都需要各種信號按一定的時序、一定的電平相互配合才能完成，控制信號時序是由編程程序來完成的。完成這段時序的過程，也稱為刷新流程（其也是一段程序碼，由生產廠家提供，同型號的晶元，雖然生產廠家不同，但是其刷新流程是一致的）；不同的晶元，其控制時序也是不同的，因此編程程序也會根據晶元的型號進行相應的控制。

不同晶元，其控制時序不同，編程程序會根據晶元的型號進行相應的控制，刷新程序是如何識別晶元的型號呢？其實，每一種晶元，都有自己的標識，這就是晶元ID（也稱為晶元的身份證），由於不同的晶元，有不同的ID，因此刷新程序就是通過讀取晶元的ID，來分辨不同的晶元，同時根據其晶元ID來調用不同的刷新流程代碼（控製程序），來完成對晶元的編程的。

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三、BIOS檢測信息

開機時如果硬體有錯，BIOS往往顯示一些數字代碼和簡短的文字提示。其實都是可以查廠商的有關手冊來確診故障的原因的，只不過現在的生產廠商已基本不給最終用戶提供這些技術資料了。有一些文字提示是用戶經常會遇到的：

◇ BIOS ROM checksum error - System halted

BIOS總和檢查時發現錯誤，表明BIOS代碼遭到損壞。和主板供應商聯系，更換一個BIOS晶元或自己動手進行BIOS晶元刷新重寫。

◇ CMOS battery failed

給CMOS供電的主板上的電池失效，如果開機一段時間後重新啟動微機時仍然出現此提示，就應該更換電池。

◇ CMOS checksum error - Defaults loaded

CMOS總和檢查時發現錯誤，因此系統載入BIOS預設的配置設定。此錯誤通常由於電池失效所引起，檢查電池並根據需要予以更換。

◇ Floppy disk(s) fail

不能發現或初始化軟碟機。檢查軟碟機數據線和電源連線是否正確。如果沒有軟碟機，就在CMOS Setup中將Diskette Drive設置為NONE。

◇ HARD DISK INSTALL FAILURE

不能發現或初始化硬碟控制器或硬碟。請先檢查硬碟的電源線、數據線是否連接正確，或硬碟後背的跳線是否設置正確。如果一根硬碟線上有兩個硬碟或光碟機，其中一個設置為Master，另一個應設為Slave。如果沒有安裝硬碟，應在CMOS設置中將硬碟設置為NONE或 AUTO。

◇ Hard disk(s) diagnosis fail

執行硬碟診斷時發現有壞的硬碟。可以先把被懷疑的硬碟接到其它微機上試一試，以確認硬碟確實有故障。

◇ Keyboard error or no keyboard present

不能初始化鍵盤。檢查鍵盤是否連接好，鍵盤上有沒有重物壓在按鍵上。

◇ Memory test fail

內存測試時發現錯誤碼。隨後屏幕還會進一步顯示內存錯誤的類型和位置。

◇ Override enabled - Defaults loaded

如果系統不能按照當前CMOS的配置啟動，則按照BIOS預設設置啟動。

◇ Press TAB to show POST screen

一些原裝機往往會更改BIOS的開機畫面（個人也可以更改），被更改後的BIOS會在屏幕的底部顯示這樣一行提示，以便用戶按下TAB鍵後，還原到BIOS的正常開機畫面顯示。

◇ Press Esc to skip memory test

按「Esc」鍵跳過內存檢測。如果你在BIOS內並沒有設定快速啟動的話，那麼開機就會執行對物理內存的測試，如果不想等待，可按鍵盤上的「Esc」鍵略過或到BIOS中開啟「Quick Power On Self Test(快速啟動)」功能。

◇ Primary master hard disk fail

第一硬碟介面上的主硬碟有錯誤。

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四、CMOS 系統設置

如前所述，系統在啟動時要通過讀取系統設置參數來配置機器並對機器的各個配置部件進行自檢和初始化，那麼系統設置的參數，存放在何處以便修改及長期保存呢？顯然，ROM不便用來保存系統設置，因為它雖然能長期保存數據但不能由一般用戶隨便寫入數據，早期的一些機器（如IBM PC/XT機）多利用系統主板上一組可撥動的DIP開關，以其不同的開關組合來代表系統硬體資源的配置情況，現在的機器都是使用系統主板上的CMOS RAM來保存系統設置參數。

1、CMOS RAM的特點

CMOS RAM是一種互補金屬氧化物半導體的隨機存儲器，它具有功耗低 (每位約10毫微瓦) ；可隨機讀寫數據，存取方便，工作速度比動態存儲器高等特點；但它畢竟也是一種隨機存儲器，它也具有斷電後其存儲內容消失的缺點；於是人們利用它功耗低的優點，想到了在外界電源斷開時，用外加電池來保持其存儲內容的辦法；現在的主機板大都採用鋰電池或晶元內建電池對其供電。

2、CMOS RAM中的內容

由於CMOS RAM具有以上特點， 所以微機系統中常用它來保存系統配置數據(如當前系統時間、日期、軟碟機、硬碟類型、基本顯示方式等)，剛組裝好的新機器在第一次使用時，CMOS存儲器裡面只有預設參數，系統實際上並不知道都有些什麼資源可以使用，如果不告訴它，CPU就不能更好地管理各種資源，系統也就無法正常工作，為此，應先將系統的硬體配置寫入CMOS存儲器中。這就要通過ROM BIOS 中的SETUP程序來進行設置，這種在開機後通過ROM BIOS中的設置程序進行系統硬體的實際配置及在CMOS存儲器中設置相應參數的過程稱為CMOS系統設置。

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CMOS與BIOS辨析

CMOS使互補金屬氧化物半導體的縮寫。其本意是指製造大規模集成電路晶元用的一種技術或用這種技術製造出來的晶元。在這里通常是指微機主板上的一塊可讀寫的RAM晶元。它存儲了微機系統的實時時鍾信息等，共計128個位元組。系統在加電引導機器時，只讀取CMOS信息，用來初始化機器各個部件的狀態。它靠系統電源和後備電池來供電，系統掉電後其信息不會丟失。

BIOS是基本輸入輸出系統的縮寫，指集成在主板上的一個ROM晶元，其中保存了微機系統最重要的基本輸入輸出程序、系統開機自檢程序等。它負責開機時，對系統各項硬體進行初試化設置和測試，以保證系統能夠正常工作。

由於CMOS與BIOS都跟微機系統設置密切相關，所以才有CMOS設置和BIOS設置的說法。CMOS RAM是系統參數存放的地方，而BIOS中系統設置程序是完成參數設置的手段。因此，准確的說法應是通過BIOS設置程序對CMOS參數進行設置。而我們平常所說的CMOS設置和BIOS設置是其簡化說法，也就在一定程度上造成了兩個概念的混淆。