存儲晶元33和5

A. 微機原理中為什麼存儲晶元一般沒有3KB,5KB,6KB,7KB

因為地址線定址能力是2的冪次數，所以存儲晶元 多做成 4Kb、8KB、16KB 等等，很容易組合成更大的內存。
當然，如果市場需要，也是可以作出3KB、5KB 等等，就如 有3核CPU類似（其實是屏蔽有問題的核心）。

B. 內存條晶元如何解讀

整個DDR SDRAM顆粒的編號，一共是由14組數字或字母組成，他們分別代表內存的一個重要參數，了解了他們，就等於了解了現代內存。

顆粒編號解釋如下：

1． HY是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現代製造的產品。

2． 內存晶元類型：（5D=DDR SDRAM）

3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）

4． 晶元容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 內存條晶元結構：（4＝4顆晶元；8＝8顆晶元；16＝16顆晶元；32＝32顆晶元）

6． 內存bank（儲蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 介面類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）

8． 內核代號：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10． 封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11． 封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12． 封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素）

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14． 工作溫度：（I=工業常溫（-40 - 85度）；E=擴展溫度（-25 - 85度））

由上面14條註解，我們不難發現，其實最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數字的實際含義，就能輕松實現對使用現代DDR SDRAM內存顆粒的產品進行辨別。尤其是第13位數字，它將明確的告訴消費者，這款內存實際的最高工作狀態是多少。假如，消費者買到一款這里顯示為L的產品（也就是說，它只支持DDR 200的工作頻率），那麼就算內存條上貼的標簽或者包裝盒上吹的再好，它也只是一款低檔產品。

常見SDRAM 編號識別

維修SDRAM內存條時，首先要明白內存晶元編號的含義，在其編號中包括以下幾個內容：廠商名稱（代號）、容量、類型、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標志等。通過對這些參數的分析比較，就可以正確認識和理解該內存條的規格以及特點。
(1)世界主要內存晶元生產廠商的前綴標志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 現代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西門子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 東芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 勝創
(2)內存晶元速度編號解釋如下:
★ -7 標記的SDRAM 符合 PC143 規范,速度為7ns.
★ –75標記的SDRAM 符合PC133規范,速度為7.5ns.
★ –8標記的SDRAM 符合PC125規范,速度為8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S標記的SDRAM 符合PC100規范,速度為10ns.
★ –10K標記的SDRAM符合PC66規范,速度為15ns.
(3) 編 號 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示晶元類別,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示電壓,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示帶寬。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.
g表示版本號，B—第三代。
h表示電源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。
ii表示封裝形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75
按照解釋該內存條應為：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解釋該內存條應為：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ

全球主要內存晶元生產廠家(掌握內存晶元生產技術的廠家主要分布在美國、韓國、日本、德國、台灣)：

序號 品牌 國家/地區 標識 備注
1 三星 韓國 SAMSUNG
2 現代 韓國 HY
3 樂金 韓國 LGS 已與HY合並
4 邁克龍 美國 MT
5 德州儀器 美國 Ti 已與Micron合並
6 日電 日本 NEC
7 日立 日本 HITACHI
8 沖電氣 日本 OKI
9 東芝 日本 TOSHIBA
10 富士通 日本 F
11 西門子 德國 SIEMENS
12 聯華 台灣 UMC
13 南亞 台灣 NANYA
14 茂矽 台灣 MOSEI

C. 內存條 怎麼看晶元識別大小 詳細�0�3

內存條 怎麼看晶元識別大小 我們在攢電腦的時候一般只是注意內存的容量和內存的性能指標，例如 DDR266 DDR333 之類的。但是你知道嗎，同樣的內存根據他的品牌，出廠時間以及批號不同，它具有著不同的性能和穩定性，本文將著重和您探討不同品牌內存之間的性能和穩定性的差異以及同品牌但批號不同的內存的性能差異。另外，本文還將重點涉及內存的制假和售假的方法。將向您徹底揭露正品內存和深圳「油條」的鑒別方法。(什麼是油條？這里不賣豆漿，下文中將相信向您講授油條的做法) 鑒於SDRAM 已經走到了生命的盡頭，即將完全脫出市場，RDRAM 應用不廣DDRII 內存還未量產。所以本文將只涉及市場主流的DDR 內存。 我們先來說一下內存的基本知識，歸納成一句話就是：什麼是內存？ 內存就是隨機存貯器（Random Access Memory，簡稱為 RAM）。RAM 分成兩大類：靜態隨機存儲器，即Static RAM（SRAM）和動態隨機存儲器，Dynamic RAM （DRAM），我們經常說的「系統內存」就是指後者，DRAM。 SRAM 是一種重要的內存，它的用途廣泛，被應用在各個領域。SRAM 的速度非常快，在快速讀取和刷新時可以保持數據完整性，即保持數據不丟失。SRAM 內部採用的是雙穩態電路的形式來存儲數據，為了實現這種結構，SRAM 的電路結構非常復雜，往往要採用大量的晶體管來構造寄存器以保留數據。採用大量的晶體管就需要大量的硅，因此就增加了晶元的面積，無形中增加了製造成本。製造相同容量的SRAM 比DRAM 的成本貴許多，因此，SRAM 在PC 平台上就只能用於CPU 內部的一級緩存以及內置的二級緩存。而我們所說的「系統內存」使用的應該是DRAM。由於SRAM 的成本昂貴，其發展受到了嚴重的限制，目前僅有少量的網路伺服器以及路由器上使用了SRAM。 DRAM 的應用比SRAM 要廣泛多了。DRAM 的結構較SRAM 要簡單許多，它的內部僅僅由一個MOS 管和一個電容組成，因此，無論是集成度、生產成本以及體積， DRAM 都比SRAM 具有優勢。目前，隨著PC 機的不斷發展，我們對於系統內存的要求越來越大，隨著WindowXP 的推出，軟體對於內存的依賴更加明顯：在 WindowsXP 中，專業版至少需要180MB 內存以上，而在實際使用中，128MB 才能保證系統正常運行。因此，隨著PC 的發展，內存的容量將不斷擴大，速度也會不斷提升。 好了，下面我們在來說一下內存的速度問題。我們選擇內存的速度，決定於你選用CPU 的前端匯流排，例如你用的是P4A 那你不需要用DDR400 才能滿足3.2G 帶寬得需要因為P4A 的前端匯流排是400MHZ，普通得DDR266 能夠提供2。1GB 的帶寬，此種內存適用於ATHLONXP 低頻以及毒龍等中低端配置.已經不在主流市場之內。DDR333 能夠提供2.7GB 的內存帶寬適用於AMD166MHZ 外頻的巴頓處理器。而DDR400 內存以及DDR433 DDR450 內存將能夠提供3.2GB 以上的內存帶寬，主要應用在INTEL 高端的P4C P4E 上以及ATHLON64 上面。當然，上文所述的僅僅是能夠滿足硬體系統的最低要求，由於p4 的前端匯流排的提高,內存和CPU 之間瓶頸問題已經十分嚴重,新的內竄技術必將產生.例如我們後面簡要介紹到的雙通道DDR 和未來的DDR 內存.當然,如果您擁有一顆像毒龍1.6G， ATHLONXP1800+(b0 1.5V 低壓版)，P41.8A ，AthlonXP2000+ ，P42.4C 巴頓 2500+這樣的具有極品超品潛力的 CPU 那麼我推薦您購買高一個性能檔次的內存，例如Athlon2000+配合DDR333 的內存，這樣基本所有的巴頓2000+都可以超到 2500+使用，市場上的假2500+就是用2000+超頻而來的。 在WINXP 系統的實際應用中，我們提出一個不規范的公式 內存容量〉內存速度〉內存類型 也就是說 就算是SD256M 內存也比128M 的 DDR400 系統速度快，在選購內存的時候，我們建議XP 系統應該配備384M 以上的內存，才能保證系統的快速運行。 下面我們在來說說內存的品牌差異 熟悉電腦的朋友們都知道，我們經常用到的內存品牌有：海盜船 Kingsotne Kingmax 宇詹 南方高科 三星 HY 雜牌中用的顆粒編號較多的是EACH 的以及 KingsMAN KingRAM 等等。海盜船內存主要用於伺服器，我們大家在購買電腦的時候，在資金比較寬裕的情況下，我們推薦Kingstone 的VALUERAM 盒裝內存，以及宇詹盒裝內存（建議購買英飛凌顆粒的）這兩種內存提供內存的終身質保，大家完全可以放心使用，如果資金不是很寬裕，建議購買HY 的內存，經實踐證明HY 的內存的兼容性在所有的內存中首屈一指。但是，HY 的內存假貨泛濫，關於其造假及售假方法將在下文中提到。如果你要購買HY 的內存，那我建議您一定要買富豪代理或者金霞代理的盒裝正品。如果貪圖便宜選擇散裝條子，那就要考考您的眼力了。基本上，我們不推薦您購買雜牌內存，雜牌內存在使用壽命和質保上都不能令人滿意，最後說一下Kingmax 內存我們之所以不推薦，就是因為Kingmax 內存與某些主板的兼容性不是很好但其自身的品質和性能絕對也是一流的。我們希望您在購買的時候一定要試試，看有沒有兼容性問題。 下面我們來說一下相同品牌內存的選購。讓我來為大家解讀一些品牌內存的顆粒編號含義： HY XX X XX XX XX X X X X X - XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ? 12 這個是市場上流行的現代內存的標號。對應位置上1:不用我說你也看出來了當然是代表HY 生產的顆粒嘍 2：內存晶元類型：5D ：DDR SDRAMS 3：工藝與工作電壓V ：CMOS，3.3V U : CMOS, 2.5V 4：晶元容量和刷新速率： 64 :64m, 4kref 66 :64m, 2kref 28 :128m,4kref 56 :256m,8kref 12 :512m,8kref 5: 晶元結構（數據寬度）4：X4（數據寬度4bit 下同) 8 :x8 16 :x16 32 :x32 6：BANK 數量： 1 :2BANKS 2 :4BANKS 7：I/O 界面： 1 :SSTL_3 2 :SSTL_2 8：晶元內核版本： 空白:第一代 A :第二代 B :第三代 C :第四代 9：能量等級： 空白 :普通 L :低能耗 10：封裝形式： T :TSOP Q :TQFP L :CSP(LF-CSP) F :FBGA 11：工作速度： 33 :300NHZ 4 :250MHZ 43 :233MHZ 45 :222MHZ 5 :200MHZ 55 :183MHZ K :DDR266A H :DDR266B L :DDR200 我們再來看一下Kingstone 內存的標號方法. kvr *** X ** * c* / *** 1 2 3 4 5 6 7 8 1.KVR 代表kingston value RAM 2.外頻速度3.一般為X 4.64 為沒有ECC；72 代表有ECC5.有S 字元表示筆記本專用內存，沒有S 字元表示普通的台式機或是伺服器內存6.3：CAS=3；2.5：CAS=2.5；2：CAS=27.分隔符號8.內存的容量 我們以金士頓ValueRAM DDR 內存編號為例：編號為ValueRAM KVR400X64C25/256 這條內存就是。金士頓ValueRAM 外頻400MHZ 不帶有ECC 校驗的CAS=2.5 的256M 內存 我想通過以上的方法，更能方便大家對於內存的理解和選購。接下來我在強調一些有關內存的常見問題： 1. 內存的單面與雙面，單Bank 與雙Bank 的區別？ 單面內存與雙面內存的區別在於單面內存的內存晶元都在同一面上，而雙面內存的內存晶元分布在兩面。而單Bank 與雙Bank 的區別就不同了。Bank 從物理上理解為北橋晶元到內存的通道，通常每個通道為64bit。一塊主板的性能優劣主要取決於它的晶元組。不同的晶元組所支持的Bank 是不同的。如Intel 82845 系列晶元組支持4 個Bank，而SiS 的645 系列晶元組則能支持6 個Bank。如果主板只支持4 個Bank，而我們卻用6 個Bank 的話，那多餘的2 個Bank 就 白白地浪費了。雙面不一定是雙Bank，也有可能是單Bank，這一點要注意。 2. 內存的2-2-3 通常是什麼意思？ 這些電腦硬體文章經常出現的參數就是在主板的BIOS 裡面關於內存參數的設置了。通常說的2-2-3 按順序說的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP 為RAS 預充電時間，數值越小越好；tRCD 是RAS 到CAS 的延遲，數值越小越好；CL(CAS Latency)為CAS 的延遲時間，這是縱向地址脈沖的反應時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規范的內存的重要標志之一。 3.內存的雙通道技術和單通道有什麼不同？ 什麼是雙通道DDR 技術呢？需要說明的是，它並非我前面提到的D D R I I，而是一種可以讓2 條D D R 內存共同使用，數據並行傳輸的技術。雙通道DDR 技術的優勢在於，它可以讓內存帶寬在原來的基礎上增加一倍，這對於P 4 處理器的好處可謂不言而喻。400M H z 前端匯流排的P 4 A 處理器和主板傳輸數據的帶寬為3.2G B /s，而533 M Hz 前端匯流排的P4B 處理器更是達到了4.3G B/s，而 P4C 處理器更是達到了 800MHZ 前端匯流排從而需要 6. 4 G 的內存帶寬。但是目前除了I850E 支持的R ambus P C10 66 規范外，根本沒有內存可以滿足處理器的需要，我們最常用的DDR333 本身僅具有2.7G B/s 的帶寬。DDR400 也只能提供3.2G /s 的帶寬。也就是說，如果我們搭建雙通道DDR400 的內存，理論上提供2 倍DDR400 的帶寬。將從而根本的解決了CPU 和內存之間的瓶頸問題。 4.DDR-Ⅱ和現在的DDR 內存有什麼不同？ DDR-II 內存是相對於現在主流的DDR-I 內存而言的，它們的工作時鍾預計將為 400MHz 或更高。主流內存市場將從現在的DDR-333 產品直接過渡到DDR-II。 DDR-II 內存將採用0.13 微米工藝， 容量為18MB/36MB/72MB，最大288MB，位元組架構為X8、X18、X36，讀取反應時間為2.5 個時鍾周期 (此段由於SOHU 禁詞限制，發不了） 最後，我將為大家講授內存的造假售假方法。（以下文字未經內存廠商證實，僅僅為筆者長時間的經驗積累，不承擔相應的法律責任，特此聲明） 現在的假貨內存主要集中在HY 普通條子和某些大廠內存（例如這段時間沸沸揚揚的Kingmax）上面。這裡面，大廠的內存條比較容易識別，一般來講，大廠盒裝的正品內存在他的內存顆粒或者PCB 上都會有廠商的鐳射防偽標簽，內存標簽清晰，字體規范，Kingmax 等品牌內存還帶有800 免費的防偽咨詢電話，現場打電話就可以辨別內存的真偽。因為大廠的內存價格相對透明，因此你在 購買內存的時候只要不貪圖便宜，就應該可以買到正品大廠內存。而現在最難鑒別的就是HY 的內存，據筆者調查，現在市場上50%以上的HY 散裝內存都是假貨，但是，假貨也分檔次。比較有「良心」的假貨就是我們通常所說的 REMARK（打磨）最常見的就是將HY 的內存顆粒表面用有機溶劑清洗，再標上更高內存性能的編號，例如將DDR266 的內存打磨成DDR333 的內存出售或者打磨成Kingstone， Kingmax 等大廠的內存出售，謀取利益。這樣的內存在容量上沒有問題，但是因為一般都是在超標准頻率下使用，必然導致系統的不穩定。這種內存一般很好辨別，只要用手搓內存顆粒表面，用指甲刮，就能輕易的將表面的字跡去除，從而辨別真假。但是，一些手段比較高明的造假者，做出來的內存表面進行了特殊處理，讓你不能夠輕易的抹除字跡。對於這種內存，就要考考您的眼力了。一般說來，正品的內存字跡都是激光「刻」印在內存顆粒上的，會在內存顆粒上留下痕跡，打磨內存的奸商必然覆蓋這些痕跡，看上去字體不是那麼的規范，字的大小也不是很一致。字體的邊角不夠圓滑。辨別類似的內存，就需要一些久經殺場的老鳥了。下面我將告訴大家一種最為狠毒的制假方法，那就是本文開頭提到的「油條」了。我先簡要講述一下此種內存的製作「工藝」。這種內存主要生長在我國南部省份，以深圳為甚。首先，不法奸商用極其低廉的價格（1000 元人民幣一噸）收購國外運來的洋垃圾，或者是在中國市場上幾乎可以不計成本的收購已經燒掉或者損壞的內存條，將這些內存放到一個大油鍋裡面煮，去掉焊錫，清除焊點和內存表面的字跡。然後用香蕉水（劇毒，有強烈刺激氣味）進行清洗。然後，挑出相同的晶元重新焊在 PCB 上，再標上內存編號進行銷售，這樣的內存千條采購價格以256M 為例只有 120 元左右。可以說相當具有「性價比」，從而成為不法奸商們手中的「極品」以牟取暴利。這種內存可以說是性能和穩定性皆無。但是，我們不得不佩服中國人的制假方法，他們把這種內存做的和HY 內存一模一樣，只是內存PCB 顏色看上去有些許的不均勻。但是，這種內存基本上還是很好辨別，大家在購買內存的時候，不要只看內存的表面字跡，應該注意一下內存顆粒右下角的內存編號一般都是數字例如56787 之類的，這種內存由於大批量處理，一般在一條內存上你會發現有2 種甚至更多種的內存顆粒只要抓住這點，基本上可以識別出這種假貨內存，另外，我們還可以聞一下內存，都會有一些餘味（香蕉水的味道） 最後，筆者奉勸您在購買內存的過程中，不要貪圖幾十元的小便宜，而為您的 系統帶來不穩定甚至導致整機的故障。希望通過本文，能夠對您在內存的選購方面有所幫助。希望大家都能夠買到穩定性能一流的內存 不同牌子的內存看法都不一樣的，我收集了一些常用品牌的內存讀法供參考： DDR SDRAM： HYNIX DDR SDRAM 顆粒編號： HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 整個DDR SDRAM 顆粒的編號，一共是由14 組數字或字母組成，他們分別代表內存的一個重要參數，了解了他們，就等於了解了現代內存。 顆粒編號解釋如下： 1． HY 是HYNIX 的簡稱，代表著該顆粒是現代製造的產品。 2． 內存晶元類型：（5D=DDR SDRAM） 3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4． 晶元容量密度和刷新速度：（64：64M 4K 刷新；66：64M 2K 刷新；28： 128M 4K 刷新；56：256M 8K 刷新；57：256M 4K 刷新；12：512M 8K 刷新；1G：1G 8K 刷新） 5． 內存條晶元結構：（4＝4 顆晶元；8＝8 顆晶元；16＝16 顆晶元；32＝32 顆晶元） 6． 內存bank（儲蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7． 介面類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8． 內核代號：（空白=第1 代；A=第2 代；B=第3 代；C=第4 代） 9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10． 封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11． 封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝ MCP（UTC）） 12． 封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素） 13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14． 工作溫度：（I=工業常溫（-40 - 85 度）；E=擴展溫度（-25 - 85 度）） 由上面14 條註解，我們不難發現，其實最終我們只需要記住2、3、6、13 等幾處數字的實際含義，就能輕松實現對使用現代DDR SDRAM 內存顆粒的產品進行辨別。尤其是第 13 位數字，它將明確的告訴消費者，這款內存實際的最高工作狀態是多少。假如，消費者買到一款這里顯示為L 的產品（也就是說，它只支持DDR200） 註：有的編碼沒有那麼長，但幾個根本的數字還是有的 LGS 的內存可以說是目前市場上見到的最多，也是最廣泛的內存了，所以LGS 應該首先排第一位。 LGS 的內存編碼規則： GM 72 X XX XX X X X X X XXX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定義： 1、GM 代表LGS 公司。 2、72 代表SDRAM。 3、V 代表3V 電壓。 4、內存單位容量和刷新單位：其中：16：16M，4K 刷新；17：16M，2K 刷新； 28：128M，4K 刷新；64： 64M，16K 刷新。65：64M，8K 刷新；66：64M，4K 刷新。 5、數據帶寬：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位。 6、晶元組成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK 7、I／O 界面：一般為1 8、產品系列：從A 至F。 9、功耗：空白則是普通，L 是低功 10、封裝模式：一般為T（TSOP） 11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K （10NS[一說15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ） 二、HY（現代HYUNDAI） 現代是韓國著名的內存生產廠，其產品在國內的佔用量也很大。 HY 的編碼規則： HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定義： 1、HY 代表現代。 2、一般是57，代表SDRAM。 3、工藝：空白則是5V，V 是3V。 4、內存單位容量和刷新單位：16：16M4K 刷新；64：64M，8K 刷新；65：64M， 4K 刷新；128：128M， 8K 刷新；129：128M，4K 刷新。 5、數據帶寬：40：4 位，80：8 位，16：16 位，32：32 位。 6、晶元組成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK； 7、I／O 界面：一般為0 8、產品線：從A－D 系列 9、功率：空白則為普通，L 為低功耗。 10、封裝：一般為TC（TSOP） 11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100， CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS 三、SEC（三星SAMSUNG） 做為韓國著名的電器廠商，三星的重要性不必多說，在內存方面，三星的產量 雖然不及上兩者大，但是三星一直專注於高品質、高性能的產品。三星的標識不是很容易的就可以讀出來，而且三星的產品線較全，所以品種非常多，此處僅供普通SDRAM 參考。 SEC 編碼規則： KM4 XX S XX 0 X X XT－XX 1 2 3 4 5 6 7 89 10 11 1、KM 代表SEC 三星，此處編碼一般均為4。 2、數據帶寬：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位。 3、一般均為S 4、這個數乘以S 前邊的位數就是內存的容量。 5、一般均為0 6、晶元組成：2：2BANK，3：4BANK 7、I／O 界面：一般為0 8、版本號 9、封裝模式：一般為T：TSOP 10、功耗：F 低耗，G 普通 11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。 四、MT（MICRON 美凱龍） 美凱龍是美國著名的計算機生產商，同時也是一家計算機設備製造商，其內存的產品聞名全美國，被廣泛的機器所採用。美凱龍內存的品質優異，但價格較韓國的產品略高。 MT48 XX XX M XX AX TG－XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、MT 代表美凱龍MICRON 2、48 代表SDRAM。 3、一般為LC：普通SDRAM 4、此數與M 後位數相乘即為容量。 5、一般為M 6、位寬：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位 7、AX 代表write Recovery(twr)，A2 則代表twr=2clk 8、TG 代表TSOP 封裝模式。 9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X 為從A到E：讀取的周期分別是：333，323，322， 222，222，所以D 和E 較好），10：10NS 10、如有L 則為低功耗，空白則為普通。 五、HITACHI（日立HITACHI） 日立是日本的著名的微電子生產廠，其內存雖然在市場上佔有量不大，但品質還是不錯的！ HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、HM 代表日立。 2、52 代表SDRAM，51 則為EDO 3、容量 4、位寬：40：4 位，80：8 位，16：16 位 5、一般為5 6、產品系列：A－F 7、功耗：L 為低耗，空白則為普通 8、TT 為TSOP 封裝模式 9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3） 六、SIEMENS（西門子） 西門子是德國最大的產業公司，其產品包羅萬向，西門子的電子產品也是歐洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西門子的內存產品多為台灣的OEM 廠商製造的，產品品質還算不錯。 HYB39S XX XX 0 X T X －X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、HYB 代表西門子 2、39S 代表SDRAM 3、容量 4、位寬：40：4 位，80：8 位，16：16 位 5、一般為0 6、產品系列 7、一般為T 8、L 為低耗，空白為普通 9、速度： 6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10： 10NS 七、FUJITSU（富士通FUJITSU） 富士通是日本專業的計算機及外部設備製造商，他的內存產品主要是供應OEM 商，市場上僅有少量零售產品。 MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、MB81 代表富士通的SDRAM 2、PC100 標準的多為F，普通的內存為1 3、容量 4、位寬：4：位，8：8 位，16：16 位，32：32 位 5、晶元組成：22：2BANK，42：4BANK 6、產品系列 7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS （CL3），100：10NS，84： 12NS，67：15NS 八、TOSHIBA（東芝） 東芝是日本著名的電器製造商，其在高端領域也有產品，例如計算機產品及通訊衛星等等。TOSHIBA 的內存產品在市場上見到的不多。 TC59S XX XX X FT X－XX 1 2 3 4 5 6 7 8 1、TC 代表東芝 2、59S 代表普通SDRAM 3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT 4、位寬：04：4 位，08：8 位，16：16 位，32：32 位 5、產品系列：A－B 6、FT 為TSOP 封裝模式 7、空白為普通，L 為低功耗 8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3） 九、MITSUBISHI（三菱） 三菱是日本的一家汽車製造公司，因其多元化發展，所以在IT 業和家電業也有產品，三菱的微集成電路技術不同一般，所以其在內存領域也佔有一席之地，因為速度、品質優異，而成為INTEL 的PII／PIIICPU 的緩存供應商。普通 SDRAM 方面，因為較貴，所以市場上少見。 M2 V XX S X 0 X TP－XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、M2 代表三菱產品 2、I／O 界面。一般為V 3、容量 4、一般為S，說明是SDRAM 5、位寬：2：4 位，3：8 位，4：16 位 6、一般為0 7、產品系列 8、TP 代表TSOP 封裝 9、速度： 8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。 10、空白為普通，L 為低耗。

D. 晶元是分為儲存、充電等類型嗎

晶元就是一種集成電路，它由大量的晶體管構成，晶元的也分為多種類型，晶元可以分為以下幾類：

1.計算機晶元：如GPU、CPU、MCU、AI等用做計算分析的晶元；

2.存儲晶元：如DRAM、SDRAM，ROM和NAND等用作數據存儲的晶元；

3.通信晶元：如藍牙、WiFi、USB介面、乙太網介面、HDMI等用於數據傳輸的晶元；

4.感知晶元：如MEMS、麥克風、攝像頭等用來感知外部世界的晶元。

5.能源供給：如電源晶元、DC—AC等用於能源供給的晶元。

E. 存儲器晶元與CPU連接分為哪幾種方式各有什麼特點

1.
若cpu的定址空間等於存儲器晶元的定址空間，可直接將高低位地址線相連即可，這種方式下，可用單條讀寫指令直接定址，定址地址與指令中的地址完全吻合。
2.
若cpu的定址空間大於存儲器晶元的定址空間，可直接將高低位地址線相連即可，cpu剩餘部分高位地址線，這種方式下，可用單條讀寫指令直接定址，未連接的地址線在指令中可以以0或1出現，即有多個地址對應每個存儲器空間，可在指令中將這些位默認為零。
3.
若cpu的定址空間小於存儲器晶元的定址空間，可將其它io口連接剩餘存儲器高位地址線，定址前，需設置好這些io口。
4.
當存在多片存儲器，且希望節省cpu的io口時，需要外加解碼電路。比如說，存儲器地址線為13根，共8片存儲器，可用74ls138連接cpu的高3位地址線，74ls38的8位輸出分別連接8片存儲器，讀寫時，定址地址與指令中的地址完全吻合。
5.
上一種情況中，若希望簡化外圍電路，也可用其餘埠的8個io分別連接8片存儲的片選，其定址方式與第三種情況類似。

F. 存儲晶元是什麼怎麼沒有聽說存儲晶元被卡脖子

存儲晶元主要包括DRAM晶元和NAND晶元，這個行業確實是拼製造，但並不意味著我們不會被卡脖子。我國投資370億元之巨的福建晉華，主要製造DRAM晶元，在2018年10月30日被美國商務部列入「實體清單」，至今前途未卜。今天我到晉華的官網去逛了逛，發現「大事記」的時間線停在了2018年10月20日，也就是試產運行之日，至今1年半過去，就沒有量產的消息傳出。

半導體設備基本被日美壟斷，成為套在國產存儲晶元企業頭上的緊箍咒。下圖是網上流傳的晉華存儲器生產設備采購清單，可以看出，清一色的日本、美國企業。實際上，全球前10大半導體設備公司，美國佔了5個，日本有4個，歐洲1個。這就意味著，人家一斷供，沒有生產設備，錢再多，你也生產不了先進存儲晶元。總之，看起來沒有CPU等邏輯晶元復雜的存儲晶元，對目前的我國來說，仍然是一塊硬骨頭，還需要多多努力。

G. 存儲晶元的組成

存儲體由哪些組成
存儲體由許多的存儲單元組成，每個存儲單元裡面又包含若干個存儲元件，每個存儲元件可以存儲一位二進制數0/1。

存儲單元：
存儲單元表示存儲二進制代碼的容器，一個存儲單元可以存儲一連串的二進制代碼，這串二進制代碼被稱為一個存儲字，代碼的位數為存儲字長。

在存儲體中，存儲單元是有編號的，這些編號稱為存儲單元的地址號。而存儲單元地址的分配有兩種方式，分別是大端、大尾方式、小端、小尾方式。

存儲單元是按地址尋訪的，這些地址同樣都是二進制的形式。
MAR
MAR叫做存儲地址寄存器，保存的是存儲單元的地址，其位數反映了存儲單元的個數。

用個例子來說明下：

比如有32個存儲單元，而存儲單元的地址是用二進制來表示的，那麼5位二進制數就可以32個存儲單元。那麼，MAR的位數就是5位。

在實際運用中，我們 知道了MAR的位數，存儲單元的個數也可以知道了。

MDR

MDR表示存儲數據寄存器，其位數反映存儲字長。

MDR存放的是從存儲元件讀出，或者要寫入某存儲元件的數據（二進制數）。

如果MDR=16,，每個存儲單元進行訪問的時候，數據是16位，那麼存儲字長就是16位。

主存儲器和CPU的工作原理
在現代計算中，要想完成一個完整的讀取操作，CPU中的控制器要給主存發送一系列的控制信號（讀寫命令、地址解碼或者發送驅動信號等等）。

說明：

1.主存由半導體元件和電容器件組成。

2.驅動器、解碼器、讀寫電路均位於主存儲晶元中。

3.MAR、MDR位於CPU的內部晶元中

4.存儲晶元和CPU晶元通過系統匯流排（數據匯流排、系統匯流排）連接。

H. 5g與晶元的關系

 5g和晶元是同一個概念嗎 ？5g晶元與納米晶元關系 ？ 5g晶元和4g晶元的區別 5G晶元什麼意思？ 5g需要哪些晶元？5g晶元是什麼做的。

今天的通信是由計算、存儲、傳輸形成的一個體系，要做好5G，無論是基站還是手機，都需要晶元。中國的晶元和世界一流水平相比還是有較大的差距，有很多我們需要奮起追趕的地方。那麼，5G晶元到底哪個國家最強呢？

要搞清楚這個問題，首先得了解5G網路哪些地方需要晶元。核心網路的管理系統，需要計算晶元，也需要存儲晶元，而基站等眾多設備需要專用的管理、控制晶元。與此同時，手機需要計算晶元、基帶晶元和存儲晶元，未來大量的5G終端還需要感應晶元。這是一個龐大的體系，而在這一方面，中國與全球頂級水平還有較大的差距。

（1）計算晶元：在伺服器、核心網、基站上需要計算晶元，可以理解成CPU。英特爾是華為最重要的供應商，也是中興最重要的供應商，除了少數伺服器晶元中國有一定的產品外，絕大部分計算晶元都是美國企業稱霸世界。

（2）存儲晶元：無論是伺服器還是雲，都需要大量存儲，5G的高速度、大流量自然需要存儲。如今的智能手機，存儲器早已經從原來的16GB大幅擴容，64GB都只是基本配置。存儲晶元目前還是美國、韓國、中國台灣居於主導地位。中國大陸也有多家企業在存儲領域發力，但想在市場上占據主導地位，還需要努力一段時間。相信未來5年，中國企業在這一領域會有較大作為。

（3）專用晶元：除了計算、存儲這些通用晶元之外，在5G通信基站及相關設備上，還會有一些專用晶元，這個領域依然還是美國占據優勢。除了英特爾、高通這樣的企業外，還有大量的企業生產各種專用晶元。中國是這些美國企業最大的市場。歐洲也有一些企業生產專用晶元。中國在這一領域也有了較大進步，海思、展銳、中興微電子等企業都在設計和生產專用晶元。可以說該領域各國企業各有所長，不像計算晶元那樣被美國企業壟斷。

（4）智能手機晶元：移動通信最重要的終端就是智能手機，智能手機晶元，不僅要進行計算，還要進行專門的處理，比如GPU進行圖像處理，NPU進行AI處理，因此智能手機晶元必須盡量做到體積小、功耗低。

（5）感應器：5G是智能互聯網時代，除了計算、存儲、控制晶元之外，感應器是半導體領域的新機會。目前，在智能手機上已經有大量感應器，而5G智能終端中的感應器會更多，能力會更強。在這一新興領域，不少國家都加入到爭奪中，目前很難分出高下，除了恩智浦等大型半導體公司，還有大量中小企業希望有所作為，而日本的村田製作所等企業也有一定優勢。