動態存儲器

『壹』 何為靜態存儲器、動態存儲器，它們的區別是什麼

靜態存儲器與動態存儲器主要性能比較如下表:
靜態和動態存儲器晶元特性比較
SRAM DRAM
存儲信息 觸發器 電容
破壞性讀出 非 是
需要刷新 不要 需要
送行列地址 同時送 分兩次送
運行速度 快 慢
集成度 低 高
發熱量 大 小
存儲成本 高 低
動態存儲器的定期刷新:在不進行讀寫操作時,DRAM 存儲器的各單元處於斷電狀態,由於漏電的存在,保存在電容CS 上的電荷會慢慢地漏掉,為此必須定時予以補充,稱為刷新操作

『貳』 靜態存儲器是靠什麼存儲信息動態存儲器又是靠什麼存儲信息

靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的；動態RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。由於電容上的電荷會泄漏，需要定時給與補充，所以動態RAM需要設置刷新電路。但動態RAM比靜態RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適於作大容量存儲器。所以主內存通常採用動態RAM，而高速緩沖存儲器（Cache）則使用靜態RAM。

『叄』 靜態存儲和動態存儲的區別

1. 靜態內存

靜態內存是指在程序開始運行時由編譯器分配的內存，它的分配是在程序開始編譯時完成的，不佔用CPU資源。

程序中的各種變數，在編譯時系統已經為其分配了所需的內存空間，當該變數在作用域內使用完畢時，系統會

自動釋放所佔用的內存空間。

變數的分配與釋放，都無須程序員自行考慮。

基本類型，數組

2. 動態內存

用戶無法確定空間大小，或者空間太大，棧上無法分配時，會採用動態內存分配。

• 處理器不工作,電腦什麼都做不了。

  處理器的工作就是處理指令（多條指令就構成一個程序）。

  處理器從內存中取指令集（程序）。

  問題是如果斷電的話，內存中的指令就會丟失。因而內存歸類為「易失性」介質。

  所以我們要把程序、數據存儲在不易失性的介質中，比如硬碟和光碟。

  

『肆』 靜態存儲器與動態存儲器的定義是什麼

靜態存儲器是指依靠雙穩態觸發器的兩個穩定狀態保存信息的存儲器。雙穩態電路是有源器件，需要電源才能工作，只要電源正常，就能長期穩定的保存信息，所以稱為靜態存儲器。如果斷電，信息將會丟失，屬於揮發性存儲器，或稱易失性。

動態存儲器是指在指定功能或應用軟體之間共享的存儲器。如果一個或兩個應用軟體佔用了所有存儲器空間，此時將無法為其他應用軟體分配存儲器空間。需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存。

(4)動態存儲器擴展閱讀：

動態存儲器的工作原理

動態RAM是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。在3管動態RAM電路中，讀選擇線和寫選擇線是分開的，讀數據線和寫數據線也是分開的。

寫操作時，寫選擇線為"1"，Q1導通，要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極，並通過柵極電容在一定時間內保持信息。

讀操作時，先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電，當讀選擇線為高電平有效時,Q3處於可導通的狀態。若原來存有"1"，則Q2導通，讀數據線的分布電容CD通過Q3、Q2放電。此時讀得的信息為"0"，正好和原存信息相反。

可見，對這樣的存儲電路，讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反向再送往數據匯流排。

『伍』 一般的硬碟是動態存儲器嗎

硬碟上有一個緩存，那個是緩存，RAM，斷電就丟失的。硬碟的本體是一個鋁合金盤或者玻璃盤，然後上邊塗滿磁粉，和磁帶的原理差不多。所以說硬碟的本體不會斷電就丟失數據，但是緩存會。所以要正常關機，讓緩存里的東西都寫到盤體上之後才能斷電源。

『陸』 何為靜態存儲器，動態存儲器，它們的區別是什麼

靜態存儲器與動態存儲器主要性能比較如下表: 靜態和動態存儲器晶元特性比較 SRAM DRAM 存儲信息 觸發器 電容 破壞性讀出 非 是 需要刷新 不要 需要 送行列地址 同時送 分兩次送 運行速度 快 慢 集成度 低 高 發熱量 大 小

『柒』 比較動態存儲器dram和靜態存儲器sram的異同點

SRAM中文含義為靜態隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導體存儲器。「靜態」是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數據就不會丟失。這一點與動態RAM（DRAM）不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。然後，我們不應將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續供應的情況下才能夠保持數據。「隨機訪問」是指存儲器的內容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。

SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩定狀態，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用於控制讀或寫操作過程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結構使得SRAM的訪問速度要快於DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復用的結構。

SRAM不應該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM，這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。

從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為非同步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。非同步SRAM的訪問獨立於時鍾，數據輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鍾的上升/下降沿啟動。地址、數據輸入和其它控制信號均於時鍾信號相關。

DRAM：動態隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。而且是行列地址復用的，許多都有頁模式。

SRAM：靜態的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數據不會丟失，而且，一般不是行列地址復用的。

SDRAM：同步的DRAM，即數據的讀寫需要時鍾來同步。主要是存儲單元結構不同導致了容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。一個是靜態的，一個是動態的，靜態的是用的雙穩態觸發器來保存信息，而動態的是用電子，要不時的刷新來保持。 內存（即隨機存貯器RAM）可分為靜態隨機存儲器SRAM，和動態隨機存儲器DRAM兩種。我們經常說的「 內存」是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。

SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時能夠保 持數據完整性。SRAM內部採用的是雙穩態電路的形式來存儲數據。所以SRAM的電路結構非常復雜。製造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此，才使其發展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用於CPU 內部的一級緩存以及內置的二級緩存。僅有少量的網路伺服器以及路由器上能夠使用SRAM

『捌』 什麼是靜態存儲器什麼是動態存儲器

靜態存儲器(SRAM）：讀寫速度快,成本高,需要電源才能工作,斷電信息將丟失,多用於容量較小的高速緩沖存儲器.
動態存儲器（DRAM）：讀寫速度較慢,集成度高,成本低,要求配置動態刷新電路,多用於容量較大的主存儲器.

『玖』 動態隨機存儲器和靜態隨機存儲器有什麼區

SRAM也稱動態隨機存儲器，其特點是工作速度快，只要電源不撤除，寫入SRAM的信息就不會消失，不需要刷新電路，同時在讀出時不破壞原來存放的信息，一經寫入可多次讀出，但集成度較低，功耗較大。SRAM一般用來作為計算機中的高速緩沖存儲器(Cache)。

DRAM是動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory)，它是利用場效應管的柵極對其襯底間的分布電容來保存信息，以存儲電荷的多少，即電容端電壓的高低來表示「1」和「0」。DRAM每個存儲單元所需的場效應管較少，常見的有4管，3管和單管型DRAM。因此它的集成度較高，功耗也較低，但缺點是保存在DRAM中的信息__場效應管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會逐漸消失，一般信息保存時間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息，必須每隔1～2ms對其刷新一次。因此，採用 DRAM的計算機必須配置動態刷新電路，防止信息丟失。DRAM一般用作計算機中的主存儲器。