靜態隨機存儲器實驗報告

⑴ 靜態的隨機存儲器和動態的隨機存儲器的根本區別是什麼它們各有何優缺點各適用於什麼場合

樓主給你個專業的回答參考下吧
SRAM靜態的隨機存儲器： 特點是工作速度快，只要電源不撤除，寫入SRAM的信息就不會消失，不需要刷新電路，同時在讀出時不破壞原來存放的信息，一經寫入可多次讀出，但集成度較低，功耗較大。SRAM一般用來作為計算機中的高速緩沖存儲器(Cache)。
DRAM是動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory)： 它是利用場效應管的柵極對其襯底間的分布電容來保存信息，以存儲電荷的多少，即電容端電壓的高低來表示「1」和「0」。DRAM每個存儲單元所需的場效應管較少，常見的有4管，3管和單管型DRAM。因此它的集成度較高，功耗也較低，但缺點是保存在DRAM中的信息__場效應管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會逐漸消失，一般信息保存時間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息，必須每隔1～2ms對其刷新一次。因此，採用 DRAM的計算機必須配置動態刷新電路，防止信息丟失。DRAM一般用作計算機中的主存儲器。

⑵ 靜態隨機存儲器實驗中為什麼我proteus模擬時不能進行讀寫操作。用的是6116 245和273。電路圖接錯了么

你這是用開關，手動實現讀寫操作嗎?
這是實驗要求的嗎?你這所謂的實驗，就是畫模擬圖呀?不是用實物做呀?
模擬做實驗，那些發光二極體，每一個都必須串聯一個限流電阻，不要怕麻煩。因為不串電阻，就影響數據線，地址線只有低電平而沒有高電平。

⑶ 隨機存儲器實驗 6116是2K*8位靜態隨機存儲器晶元高三位接地

因為試驗范圍只是256，只需A0-A7即2^8就行，多的接地。。。

⑷ 計算機硬體實驗報告

實驗名稱：存貯器實驗

試驗設備：CCT-IV計算機組成原理教學實驗系統一台，排線若干

實驗目的：掌握靜態隨機存儲器RAM工作特性及數據的讀寫方法

實驗步驟：太多，略……

⑸ 靜態隨機存儲實驗中地址寄存器用的什麼器件

TS3 相應插孔中， 其脈沖寬度可調， 其它電平控制信號由「SWITCH UNIT」單元的二進制開關模擬，其中 SW—B 為 低電平有效，LDAR 為高電平有效。 2． 實驗步驟 （1） 在時序電路模塊中有兩個二進制開關「STOP」和「STEP」 ，將「STOP」 開關置為「RUN」狀態，將

⑹ 什麼是靜態隨機存儲器，與動態有什麼區別

SRAM的特點是工作速度快，只要電源不撤除，寫入SRAM的信息就不會消失，不需要刷新電路，同時在讀出時不破壞原來存放的信息，一經寫入可多次讀出，但集成度較低，功耗較大。SRAM一般用來作為計算機中的高速緩沖存儲器(Cache)。 DRAM是動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory)，它是利用場效應管的柵極對其襯底間的分布電容來保存信息，以存儲電荷的多少，即電容端電壓的高低來表示「1」和「0」。DRAM每個存儲單元所需的場效應管較少，常見的有4管，3管和單管型DRAM。因此它的集成度較高，功耗也較低，但缺點是保存在DRAM中的信息__場效應管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會逐漸消失，一般信息保存時間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息，必須每隔1～2ms對其刷新一次。因此，採用 DRAM的計算機必須配置動態刷新電路，防止信息丟失。DRAM一般用作計算機中的主存儲器。

⑺ 動態隨機存儲器和靜態隨機存儲器有什麼區

SRAM也稱動態隨機存儲器，其特點是工作速度快，只要電源不撤除，寫入SRAM的信息就不會消失，不需要刷新電路，同時在讀出時不破壞原來存放的信息，一經寫入可多次讀出，但集成度較低，功耗較大。SRAM一般用來作為計算機中的高速緩沖存儲器(Cache)。

DRAM是動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory)，它是利用場效應管的柵極對其襯底間的分布電容來保存信息，以存儲電荷的多少，即電容端電壓的高低來表示「1」和「0」。DRAM每個存儲單元所需的場效應管較少，常見的有4管，3管和單管型DRAM。因此它的集成度較高，功耗也較低，但缺點是保存在DRAM中的信息__場效應管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會逐漸消失，一般信息保存時間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息，必須每隔1～2ms對其刷新一次。因此，採用 DRAM的計算機必須配置動態刷新電路，防止信息丟失。DRAM一般用作計算機中的主存儲器。

⑻ 靜態隨機存儲器工作方式

按產生時間和工作方式來分，靜態隨機存儲器也分為非同步和同步。在一定的納米製造技術下，SRAM容量比其他類型內存低，這是因為SRAM需要用更多的晶體管存儲一個位（bit），因而造價也貴得多。靜態隨機存儲器多用於二級高速緩存（Level 2 Cache）。
1. Async SRAM 非同步靜態隨機存儲器
自從第一個帶有二級高速緩存（Cache）的386計算機出現以來，這種老型號的屬於「Cache RAM（緩存型隨機存儲器）」類型的內存就開始應用了。非同步靜態隨機存儲器比DRAM快些，並依賴於CPU的時鍾，其存取速度有12ns、15ns和18ns三種，值越小，表示存取數據的速度越快。但在存取數據時，它還沒有快到能夠與CPU保持同步，CPU必須等待以匹配其速度。
2. Sync Burst SRAM同步突發靜態隨機存儲器
在計算機界存在這樣的爭論：Sync Burst SRAM 和FB SRAM 誰更快些？誠然，在匯流排速度為66MHz的系統上，Sync Burst SRAM確實是最快的，但當匯流排速度超過66MHz時（比如Cyrix公司的6x86p200＋型號），Sync burst SRAM就超負荷了，大大低於PB SRAM 傳輸速度。因此用現行的Pentium主板（匯流排速度為66MHz），我們應該採用Sync Burst SRAM，這樣效率最高、速度最快。但目前的問題是：生產支持Sync Burst SRAM的主板供應商很少，所以能支持Sync Burst SRAM的主板的價格都很高。
3. PB SRAM 管道突發靜態隨機存儲器
管道（Pipeline，或流水線）的意思是：通過使用輸入輸出寄存器，一個SRAM可以形成像「管道」那樣的數據流水線傳輸模式。在裝載填充寄存器時，雖然需要一個額外的啟動周期，但寄存器一經裝載，就可產生這樣的作用：在用現行的地址提供數據的同時能提前存取下一地址。在匯流排速度為75MHz和高於75MHz時，這種內存是最快的緩存型隨機存儲器（Cache RAM）。實際上，PB SRAM可以匹配匯流排速度高達133MHz的系統。同時，在較慢的系統中，PB SRAM也並不比Sync Burst SRAM慢多少。
應用PB SRAM，可達到4.5到8ns的「地址－數據」時間。