鐵電存儲器官網

A. RAMTRON的官方社區是什麼

看看這個吧，很不錯，可以下載很多資料，RAMTRON官網上推薦度的中文社區：http://www.ramtron-online.cn/

B. 鐵電存儲器的存儲結構

FRAM的存儲單元主要由電容和場效應管構成，但這個電容不是一般的電容，在它的兩個電極板中間沉澱了一層晶態的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM每個存儲單元使用兩個場效應管和兩個電容，稱為「雙管雙容」（2T2C），每個存儲單元包括數據位和各自的參考位，簡化的2T2C存儲單元結構如圖2（a）所示。2001年Ramtron設計開發了更先進的"單管單容"（1T1C）存儲單元。1T1C的FRAM所有數據位使用同一個參考位，而不是對於每一數據位使用各自獨立的參考位。1T1C的FRAM產品成本更低，而且容量更大。簡化的1T1C存儲單元結構（未畫出公共參考位）如圖2（b）所示。

C. 鐵電存儲器的原理

FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲，鐵電晶體的結構如圖1所示。鐵電效應是指在鐵電晶體上施加一定的電場時，晶體中心原子在電場的作用下運動，並達到一種穩定狀態；當電場從晶體移走後，中心原子會保持在原來的位置。這是由於晶體的中間層是一個高能階，中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階到達另一穩定位置，因此FRAM保持數據不需要電壓，也不需要像DRAM一樣周期性刷新。由於鐵電效應是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關，所以FRAM存儲器的內容不會受到外界條件諸如磁場因素的影響，能夠同普通ROM存儲器一樣使用，具有非易失性的存儲特性。
FRAM的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數的問題。但受鐵電晶體特性制約，FRAM仍有最大訪問（讀）次數的限制。

D. 什麼是鐵電存儲器

存儲器分為易失性和非易失性，如DRAM,SRAM,ROM,FLASH,E2PROM,等
鐵電是屬於非易失性的，可上百萬次讀寫的存儲，存儲的原理類似於DRAM,由一個NMOS管，和一個CAP組成，可以參考一本COMS數字集成電路（第二版），那上面講的很詳細，
在晶元裡面就是有行解碼，列解碼，讀出寫入緩沖器，位讀出放大器組成。它的的讀出寫入時序很簡單，只要按照加電壓的順序來就可以，要預充電之類的。
應用於簡單存儲，類似於EEPROM，應該了解這個吧

E. 鐵電存儲器有無國產品牌

國內沒有生產線，也沒有國產的品牌。鐵電技術原來只有RAMTRON一家掌握，富士通做代工廠後取得了RANTRON鐵電的生產權。目前品牌只有RANTRON和富士通兩家。不過，RAMTRON自己沒有生產線，目前RAMTRON生產的鐵電是美國的IMB和TI代工的。2012年9月RAMTRON被塞朴拉斯收購，估計明年就不再用RAMTRON這個廠商名了。

F. 富士通的鐵電存儲器可以完全兼容替代RAMTRON的型號嗎

基本可以兼容。
型號容量存儲格式電壓**工作電流**讀寫頻率封裝備注
MB85RC16 16k bits 2k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8與FM24CL16完全兼容
MB85RC64 64k bits 8k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8與FM24CL64完全兼容
MB85RC128 128k bits 16k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8****顆128Kb 鐵電存儲器
串列SPI介面
型號容量存儲格式電壓**工作電流**讀寫頻率封裝備注
MB85RS64 64k bits 8k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8與FM25CL64完全兼容
MB85RS128 128k bits 32k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8****顆128Kb 鐵電存儲器
MB85RS256 256k bits 32k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8與FM25L256以及FM25V02完全兼容
並行介面
型號容量存儲格式電壓**工作電流訪問時間封裝備注
MB85R256H 256k bits 32k x 8 2.7 V-3.6 V 10mA 70ns SOP/TSOP28可直接替換FM18L08或FM28V020
MB85R1001A 1M bits 128k x 8 3.0 V-3.6 V 15mA 120ns TSOP48/FBGA48可替換FM20L08和FM28V100
MB85R1002A 1M bits 64k x 16 3.0 V-3.6 V 15mA 120ns TSOP48/FBGA48
歐工：180富士通0256授權6372一級代理商

G. 冰箱保鮮層上凍是怎麼回事

冰箱保鮮層上凍是怎麼回事？、蒸發器上的冰霜太多，融化時水溢出接水盤，流在冰箱內；

2、冰箱內接水盤未對准接水漏斗，水流在冰箱內；

3、其次排水管口結冰，使化霜水流不出去，而積流在冰箱內也是冰箱冷藏室結冰的一個重要原因。

冰箱冷藏室結冰的原因分析之溫度

1、冰箱冷藏室直接存放未經降溫的食品飲料，使冰箱內瞬間產生大量霧氣和水珠，隨著溫度的下降，凝結成水；

文章圖片2

2、冰箱冷藏室內溫度太低，造成飲料玻璃瓶或易拉罐爆破，液體流入箱內；

3、夏季氣溫高，熱空氣從出水管進入冰箱內，造成冰箱內水氣增多。

冰箱冷藏室結冰的原因分析食物儲存

1、冰箱凍冰器內水灌得太滿，水凍結成冰時，因體積膨大，使水溢出製冰器，流在冰箱內；

2、冰箱內存放的食品含水量大，隨著溫度的下降，食品中水氣的蒸發，遇冷而凝露而後成水，流在冰箱內。

H. 鐵電存儲器有什麼特點

相對於其它類型的半導體技術而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM（static random access memory)和動態存儲器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據。 RAM 類型的存儲器易於使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數據。
非易失性存儲器在掉電的情況下並不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自於只讀存儲器（ROM）技術。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進行寫入操作
，而事實上是根本不能寫入。所有由ROM技術研發出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點。這些技術包括有EPROM (幾乎已經廢止）、EEPROM和Flash。 這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。
鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，並且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM
鐵電存貯器（FRAM）的第一個最明顯的優點是可以跟隨匯流排速度（busspeed）寫入。
鐵電存貯器（FRAM）的第二大優點是幾乎可以無限次寫入。

I. 鐵電存儲器和eeprom的區別

鐵電存貯器（FRAM）快速擦寫和非易失性等特點，令系統工程師可以把現有設計中的SRAM和EEPROM器件整合到一個鐵電存貯器（FRAM）里，或者簡單地作為SRAM擴展。
在多數情況下，系統使用多種存儲器類型，FRAM提供了只使用一個器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，節省了功耗，成本，空間，同時增加了整個系統的可靠性。
最常見的例子就是在一個有外部串列EEPROM嵌入式系統中，FRAM能夠代替EEPROM,同時也為處理器提供了額外的SRAM功能。
典型應用：攜帶型設備中的一體化存儲器，使用低端控制器的任何系統。

J. 鐵電存儲器FRAM的鐵電應用

存儲器（FRAM）可以讓設計者更快、更頻繁地將數據寫入非易失性存儲器，而且價格比EEPROM低。數據採集通常包括採集和存儲兩部分，系統所採集的數據（(除臨時或中間結果數據外)需要在掉電後能夠保存，這些功能是數據採集系統或子系統所具有的基本功能。在大多數情況下，一些歷史記錄是很重要的。
典型應用：儀表 (電表、氣表、水表、流量表)、RF/ID、儀器,、和汽車黑匣子、安全氣袋、GPS定位系統、電力電網監控系統。 FRAM通過實時存儲數據幫助系統設計者解決了突然斷電數據丟失的問題。參數存儲用於跟蹤系統在過去時間內的改變，它的目的包括在上電狀態時恢復系統狀態或者確認一個系統錯誤。總的來說，數據採集是系統或子系統的功能，不論何種系統類型，設置參數存儲都是一種底層的系統功能。
典型應用： 影印機,列印機, 工業控制, 機頂盒 (Set-Top-Box), 網路設備（網路數據機）和大型家用電器。 鐵電存貯器（FRAM）可以在數據傳遞儲存在其它存儲器之前快速存儲數據。在此情況下，信息從一個子系統非實時地傳送到另一個子系統去.。由於資料的重要性, 緩沖區內的數據在掉電時不能丟失.，在某些情況下，目標系統是一個較大容量的存儲裝置。FRAM以其擦寫速度快、擦寫次數多使數據在傳送之前得到存儲。
典型應用：工業系統、銀行自動提款機 (ATM), 稅控機, 商業結算系統 (POS), 傳真機，未來將應用於硬碟非易失性高速緩沖存儲器。