存儲器的采購

❶ 常用的存儲器種類

ROM：只讀存儲器。ROM所存數據，一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數據穩定，斷電後所存數據也不會改變。

RAM可以分為SRAM（靜態隨機存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）。

SRAM它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。優點是速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。缺點是集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用於關鍵性系統以提高效率。

DRAM是最為常見的系統內存。DRAM只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。

SDRAM（同步動態隨機存取存儲器），是在DRAM的基礎上發展而來，為DRAM的一種，同步是指Memory工作需要同步時鍾，內部命令的發送與數據的傳輸都以時鍾為基準；動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數據讀寫。

DDR SDRAM又是在SDRAM的基礎上發展而來，這種改進型的DRAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在於它可以在一個時鍾讀寫兩次數據，這樣就使得數據傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內存，而且它有著成本優勢。

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存儲器的主要功能是存儲程序和各種數據，並能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數據的存取。存儲器單元實際上是時序邏輯電路的一種。按存儲器的使用類型可分為只讀存儲器(ROM)和隨機存取存儲器(RAM)，兩者的功能有較大的區別，因此在描述上也有所不同。存儲的基礎部分分為ROM和RAM。
在這里插入圖片描述

常見存儲器分類圖示

RAM：隨機存取存儲器是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。當電源關閉時RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中（例如硬碟）。RAM和ROM相比，兩者的最大區別是RAM在斷電以後保存在上面的數據會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。

ROM：只讀存儲器。ROM所存數據，一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數據穩定，斷電後所存數據也不會改變。

RAM可以分為SRAM（靜態隨機存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）。

SRAM它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。優點是速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。缺點是集成度低，功耗較

❷ 請問內存條購買時候的包裝

新的內存條有包裝的

一些裝機的朋友在買散件的時候，似乎只關心硬體的性能參數和價格，而對產品的包裝漠不關心。其實對於電腦硬體設備，產品的包裝對於保護硬體的性能有很大的關系。拿內存來說，大家可能在市場上見的最多的是一些裸條即沒有任何包裝的內存條，這樣的內存條最不可取。首先，這樣的內存條經常用手拿，會影響內存表面的消磁功能減弱內存的抗磁干擾能力。二是，裸條在運輸的過程中會出現摩擦碰撞、沖擊會影響晶元焊接的牢固性，另外也可能致使電容電阻SPD的脫落，嚴重影響內存的使用。三是，裸條的金手指氧化速度最快，對於內存的電器性能影響很大。EPSON愛普生墨盒 HP惠普墨盒 CANON佳能墨盒 兼容墨盒 價格

其次比較好的包裝是黑色的消磁塑料袋，這種袋子使用特殊的材料，可以防止內存表面的磁化，但是此包裝存在的缺點就是運輸過程中不能避免碰撞，即也會影響內存的質量。

三最好的包裝是用有消磁作用的海綿墊包裝外面用紙盒固定，這樣對內存既有消磁效果又有保護內存晶元及電容電阻的作用。目前市場上比較好的包裝有富豪內存和金士頓內存，看來好的內存廠家不僅對內存的質量關心對內存的包裝也同樣是做到貼心的設計。

❸ 醫院購買存儲設備,求推薦

想要質量過硬的話，個人推薦三星、蘋果、索尼，舉個例子來說我的一個索尼優盤泡過水，摔過無數次現在依然很好呀

❹ 為什麼很多晶元封裝都是SOP16，但是具體的大小尺寸（比如寬度）卻常常不一樣采購清單到底應該怎麼確定標

確實如此，只有SOP16出現了兩種寬度的封裝，所以一定要注意，采購倒是無礙，但是使用封裝，畫PCB一定要注意。我也差點使用通用封裝sop16，但有顆chip卻用的是寬的封裝。

❺ 計算機存儲器的分類

計算機存儲器可以根據存儲能力與電源的關系可以分為以下兩類：

一、易失性存儲器（Volatile memory)是指當電源供應中斷後，存儲器所存儲的數據便會消失的存儲器。主要有以下的類型：

1、動態隨機訪問存儲器，英文縮寫寫作DRAM，一般每個單元由一個晶體管和一個電容組成（後者在集成電路上可以用兩個晶體管模擬）。

特點是單元佔用資源和空間小，速度比SRAM慢，需要刷新。一般計算機內存即由DRAM組成。在PC上，DRAM以內存條的方式出現，DRAM顆粒多為4位或8位位寬，而載有多個顆粒的單根內存條的位寬為64位。

2、靜態隨機存取存儲器，英文縮寫寫作SRAM，一般每個單元由6個晶體管組成，但近來也出現由8個晶體管構成的SRAM單元。特點是速度快，但單元佔用資源比DRAM多。一般CPU和GPU的緩存即由SRAM構成。

二、非易失性存儲器（Non-volatile memory）是指即使電源供應中斷，存儲器所存儲的數據並不會消失，重新供電後，就能夠讀取存儲器中的數據。 主要種類如下：

1、只讀存儲器：可編程只讀存儲器、可擦除可規劃式只讀存儲器、電子抹除式可復寫只讀存儲器

2、快閃記憶體

3、磁碟：硬碟、軟盤、磁帶

(5)存儲器的采購擴展閱讀：

存儲器以二進制計算容量，基本單位是Byte：

1KiB=1,024B=210B

81MiB=1,024KiB=220B=1,048,576B

1GiB=1,024MiB=230B=1,073,741,824B

根據電氣電子工程師協會（IEEE 1541）和歐洲聯盟(HD 60027-2:2003-03)的標准，二進制乘數詞頭的縮寫為「Ki」、「Mi」、「Gi」，以避免與SI Unit國際單位制混淆。

但二進制乘數詞頭沒有廣泛被製造業和個人採用，標示為4GB的內存實際上已經是4GiB，但標示為4.7GB的DVD實際上是4.37GiB。

對於32位的操作系統，最多可使用232個地址，即是4GiB。物理地址擴展可以讓處理器在32位操作系統訪問超過4GiB存儲器，發展64位處理器則是根本的解決方法，但操作系統、驅動程序和應用程序都會有兼容性問題。

❻ 存儲器的讀寫過程是什麼樣的

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5.1 存儲器系統基本知識

作者： 時間： 2008-04-10 來源：

5.1.1存儲器的分類

按照存儲介質不同，可以將存儲器分為半導體存儲器、磁存儲器、激光存儲器。

這里我們只討論構成內存的半導體存儲器。

按照存儲器的存取功能不同，半導體存儲器可分為只讀存儲器（Read Only Memory簡稱ROM）和隨機存儲器（Random Access Memory簡稱RAM）

1.只讀存儲器（ROM）

ROM的特點是把信息寫入存儲器以後，能長期保存，不會因電源斷電而丟失信息。計算機在運行過程中，只能讀出只讀存儲器中的信息，不能再寫入信息。一般地，只讀存儲器用來存放固定的程序和數據，如微機的監控程序、匯編程序、用戶程序、數據表格等。根據編程方式的不同，ROM共分為以下5種：

(1)掩模工藝ROM

這種ROM是晶元製造廠根據ROM要存貯的信息，設計固定的半導體掩模版進行生產的。一旦制出成品之後，其存貯的信息即可讀出使用，但不能改變。這種ROM常用於批量生產，生產成本比較低。微型機中一些固定不變的程序或數據常採用這種ROM存貯。

(2)可一次性編程ROM（PROM）

為了使用戶能夠根據自己的需要來寫ROM，廠家生產了一種PROM。允許用戶對其進行一次編程──寫入數據或程序。一旦編程之後，信息就永久性地固定下來。用戶可以讀出和使用，但再也無法改變其內容。

(3)紫外線擦除可改寫ROM（EPROM）

可改寫ROM晶元的內容也由用戶寫入，但允許反復擦除重新寫入。EPROM是用電信號編程而用紫外線擦除的只讀存儲器晶元。在晶元外殼上方的中央有一個圓形窗口，通過這個窗口照射紫外線就可以擦除原有的信息。由於陽光中有紫外線的成分，所以程序寫好後要用不透明的標簽封窗口，以避免因陽光照射而破壞程序。EPROM的典型晶元是Intel公司的27系列產品，按存儲容量不同有多種型號，例如2716（2KB′8）、2732（4KB′8）、2764（8KB′8）、27128（16KB′8）、27256（32KB′8）等，型號名稱後的數字表示其存儲容量。

(4)電擦除可改寫ROM（EEPROM或E2PROM）

這是一種用電信號編程也用電信號擦除的ROM晶元，它可以通過讀寫操作進行逐個存儲單元讀出和寫入，且讀寫操作與RAM存儲器幾乎沒有什麼差別，所不同的只是寫入速度慢一些。但斷電後卻能保存信息。典型E2PROM晶元有28C16、28C17、2817A等。

(5)快擦寫ROM（flash ROM）

E2PROM雖然具有既可讀又可寫的特點，但寫入的速度較慢，使用起來不太方便。而flash ROM是在EPROM和E2PROM的基礎上發展起來的一種只讀存儲器，讀寫速度都很快，存取時間可達70ns，存儲容量可達16MB~128MB。這種晶元可改寫次數可從1萬次到100萬次。典型flash ROM晶元有28F256、28F516、AT89等。

2.隨機存儲器RAM（也叫讀寫存儲器）

讀寫存儲器RAM按其製造工藝又可以分為雙極型RAM和金屬氧化物RAM。

(1) 雙極型RAM
雙極型RAM的主要特點是存取時間短，通常為幾到幾十納秒（ns）。與下面提到的MOS型RAM相比，其集成度低、功耗大，而且價格也較高。因此，雙極型RAM主要用於要求存取時間短的微型計算機中。

(2) 金屬氧化物（MOS）RAM
用MOS器件構成的RAM又分為靜態讀寫存儲器（SRAM）和動態讀寫存儲器（DRAM）。

j靜態RAM（SRAM）

靜態RAM的基本存儲單元是MOS雙穩態觸發器。一個觸發器可以存儲一個二進制信息。靜態RAM的主要特點是，其存取時間為幾十到幾百納秒（ns），集成度比較高。目前經常使用的靜態存儲器每片的容量為幾KB到幾十KB。SRAM的功耗比雙極型RAM低，價格也比較便宜。

k動態RAM（DRAM）

動態RAM的存取速度與SRAM的存取速度差不多。其最大的特點是集成度特別高。其功耗比SRAM低，價格也比SRAM便宜。DRAM在使用中需特別注意的是，它是靠晶元內部的電容來存貯信息的。由於存貯在電容上的信息總是要泄漏的，所以，每隔2ms到4ms，DRAM要求對其存貯的信息刷新一次。

l集成RAM（i RAM）

集成RAM――Integrated RAM，縮寫為i RAM，這是一種帶刷新邏輯電路的DRAM。由於它自帶刷新邏輯，因而簡化與微處理器的連接電路，使用它和使用SRAM一樣方便。

m非易失性RAM（NVRAM）

非易失性RAM――Non-Volatile RAM，縮寫為NVRAM，其存儲體由SRAM和EEPROM兩部分組合而成。正常讀寫時，SRAM工作；當要保存信息時（如電源掉電），控制電路將SRAM的內容復制到EEPROM中保存。存入EEPROM中的信息又能夠恢復到SRAM中。

NVRAM既能隨機存取，又具有非易失性，適合用於需要掉電保護的場合。

5.1.2存儲器的主要性能指標
1.存貯容量
不同的存儲器晶元，其容量不一樣。通常用某一晶元有多少個存貯單元，每個存貯單元存貯若干位來表示。例如，靜態RAM6264的容量為8KB′8bit，即它有8K個單元（1K＝1024），每個單元存貯8位（一個位元組）數據。

2.存取時間
存取時間即存取晶元中某一個單元的數據所需要的時間。在計算機工作時，CPU在讀寫RAM時，它所提供的讀寫時間必須比RAM晶元所需要的存取時間長。如果不能滿足這一點，微型機則無法正常工作。

3.可靠性
微型計算機要正確地運行，必然要求存儲器系統具有很高的可靠性。內存的任何錯誤就足以使計算機無法工作。而存儲器的可靠性直接與構成它的晶元有關。目前所用的半導體存儲器晶元的平均故障間隔時間（MTBF）大概是（5′106∽1′108）小時左右。

4.功耗
使用功耗低的存儲器晶元構成存儲器系統，不僅可以減少對電源容量的要求，而且還可以提高存貯系統的可靠性。

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❼ 存儲器的構成

構成存儲器的存儲介質，存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然後再由許多存儲單元組成一個存儲器。一個存儲器包含許多存儲單元，每個存儲單元可存放一個位元組（按位元組編址）。每個存儲單元的位置都有一個編號，即地址，一般用十六進製表示。一個存儲器中所有存儲單元可存放數據的總和稱為它的存儲容量。假設一個存儲器的地址碼由20位二進制數（即5位十六進制數）組成，則可表示2的20次方，即1M個存儲單元地址。每個存儲單元存放一個位元組，則該存儲器的存儲容量為1MB。

❽ 求助！！！跪求推薦一款大容量存儲器晶元

總感覺這種晶元比較特定，做這種存儲器晶元的感覺就那幾家，富士通和ST貌似比較好，很多人都推薦。