鐵電存儲

㈠ 鐵電存儲器和eeprom的區別

鐵電存貯器（FRAM）快速擦寫和非易失性等特點，令系統工程師可以把現有設計中的SRAM和EEPROM器件整合到一個鐵電存貯器（FRAM）里，或者簡單地作為SRAM擴展。
在多數情況下，系統使用多種存儲器類型，FRAM提供了只使用一個器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，節省了功耗，成本，空間，同時增加了整個系統的可靠性。
最常見的例子就是在一個有外部串列EEPROM嵌入式系統中，FRAM能夠代替EEPROM,同時也為處理器提供了額外的SRAM功能。
典型應用：攜帶型設備中的一體化存儲器，使用低端控制器的任何系統。

㈡ 什麼是鐵電存儲器

存儲器分為易失性和非易失性，如DRAM,SRAM,ROM,FLASH,E2PROM,等
鐵電是屬於非易失性的，可上百萬次讀寫的存儲，存儲的原理類似於DRAM,由一個NMOS管，和一個CAP組成，可以參考一本COMS數字集成電路（第二版），那上面講的很詳細，
在晶元裡面就是有行解碼，列解碼，讀出寫入緩沖器，位讀出放大器組成。它的的讀出寫入時序很簡單，只要按照加電壓的順序來就可以，要預充電之類的。
應用於簡單存儲，類似於EEPROM，應該了解這個吧

㈢ 富士通的鐵電存儲器可以完全兼容替代RAMTRON的型號嗎

基本可以兼容。
型號容量存儲格式電壓**工作電流**讀寫頻率封裝備注
MB85RC16 16k bits 2k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8與FM24CL16完全兼容
MB85RC64 64k bits 8k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8與FM24CL64完全兼容
MB85RC128 128k bits 16k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8****顆128Kb 鐵電存儲器
串列SPI介面
型號容量存儲格式電壓**工作電流**讀寫頻率封裝備注
MB85RS64 64k bits 8k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8與FM25CL64完全兼容
MB85RS128 128k bits 32k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8****顆128Kb 鐵電存儲器
MB85RS256 256k bits 32k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8與FM25L256以及FM25V02完全兼容
並行介面
型號容量存儲格式電壓**工作電流訪問時間封裝備注
MB85R256H 256k bits 32k x 8 2.7 V-3.6 V 10mA 70ns SOP/TSOP28可直接替換FM18L08或FM28V020
MB85R1001A 1M bits 128k x 8 3.0 V-3.6 V 15mA 120ns TSOP48/FBGA48可替換FM20L08和FM28V100
MB85R1002A 1M bits 64k x 16 3.0 V-3.6 V 15mA 120ns TSOP48/FBGA48
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㈣ 電腦內存6g和8g區別大嗎

根據普通用戶需求，6G和8G內存幾乎沒區別；但對於專業用戶，區別很大。具體區別如下：

1、性能：8g內存性能運行更快。游戲和軟體的使用會更流暢。

2、數據傳輸速度：8GB系統比6GB系統快，在數據傳輸上8g能存能更快的傳輸數據，

3、內存使用率：6g內存的使用率會在頻繁開啟軟體升高使用率導致電腦運行變慢。

(4)鐵電存儲擴展閱讀：

電腦內存分類：

1、SRAM：

SRAM（Static RAM）意為靜態隨機存儲器。SRAM數據不需要通過不斷地刷新來保存，因此速度比DRAM（動態隨機存儲器）快得多。但是SRAM具有的缺點是：同容量相比DRAM需要非常多的晶體管，發熱量也非常大。因此SRAM難以成為大容量的主存儲器，通常只用在CPU、GPU中作為緩存，容量也只有幾十K至幾十M。

2、RDRAM：

RDRAM是由RAMBUS公司推出的內存。RDRAM內存條為16bit，但是相比同期的SDRAM具有更高的運行頻率，性能非常強。然而它是一個非開放的技術，內存廠商需要向RAMBUS公司支付授權費。並且RAMBUS內存的另一大問題是不允許空通道的存在，必須成對使用，空閑的插槽必須使用終結器。

3、XDR RAM：XDR內存是RDRAM的升級版。依舊由RAMBUS公司推出。XDR就是「eXtreme Data Rate」的縮寫。XDR依舊存在RDRAM不能大面普及的那些不足之處。因此，XDR內存的應用依舊非常有限。比較常見的只有索尼的PS3游戲機。

4、Fe-RAM：

鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點。由於數據是通過鐵元素的磁性進行存儲，因此，鐵電存儲器無需不斷刷新數據。其運行速度將會非常樂觀。而且它相比SRAM需要更少的晶體管。它被業界認為是SDRAM的最有可能的替代者。

㈤ 運行內存6g和8g的區別

1、性能不同。

8G的運行內存能夠存儲的內容和用於交換的內存更加的充足，運行的速度比6G的內存要快，所以說8G的運行內存比6G的運行內存性能更優越。

2、數據的傳輸速度。

8G的運行內存比6G的內存多出了2G的內存，用於物理頁置換的內存更多，有了富餘的存儲空間，調入內存的數據訪問的速度比在物理存儲上的快，所以數據的傳輸速度更快。

3、內存的利用率。

當運行的程序越來越多時，6G內存的利用率會增加，導致運行的速度變慢，8G的運行內存相較於6G運行內存大額利用率增大。

(5)鐵電存儲擴展閱讀：

通常採用隨機存儲器（RAM）來作為運行內存，是電腦內部最重要的的存儲器，用來載入各式各樣的程序與資料以供CPU（中央處理器）直接運行與運用。

由於DRAM的性價比很高，且擴展性也不錯，是現今一般電腦運行內存的最主要部分。

運行內存是外存與CPU進行溝通的橋梁，計算機中所有程序的運行都在內存中進行。

運行內存主要有兩種隨機存儲器和只讀存儲器構成，其中的只讀存儲器放計算機的基本程序和數據，如BIOSROM。其物理外形一般是雙列直插式（DIP）的集成塊。隨機存儲器（RAM）才是真正的用戶運行時交換的內存。

參考資料來源：網路-內存

㈥ CPU-Z裡面內存里的DC模式是什麼意思

DC模式意思為、Dual Channel。Dual Channel是關於電腦記憶體的一種技術，最早使用此技術的記憶體是RDRam。

DC模式可理解為「打開雙通道的方式」。一般在CPU-Z中的顯示有灰色不可見、「對稱」、「不對稱」、「單通道+」等方式。DC模式在部分Intel晶元組的主板上是灰色的，原因是Intel的晶元組只支持對稱雙通道同步模式。

(6)鐵電存儲擴展閱讀：

在DDR Ram發展中期，內存帶寬開始出現瓶頸。原因是FSB帶寬比內存帶寬大得多，而處理器處理完的數據不能即時轉入內存，造成處理器性能得不到完全發揮。基於此,晶元組廠商引入雙通道內存技術。單條DDR內存是64位元帶寬,而兩條則是雙倍，128位元。內存瓶頸得以緩解。

注:若晶元組只支援單通道內存，就算插入兩條DDR內存也都是單通道內存，不會變成雙通道內存的。

引入雙通道內存技術的第一家晶元組廠商是nVidia。但當時AMD處理器的FSB帶寬不是很大，雙通道內存的效能提升作用輕微。

期後Intel將DDR雙通道內存技術引入，配合Xeon,晶元組名為E7205。它支援DDR266雙通道內存。用DDR的價錢，得到RDRam的效能。而主板廠將之支援Pentium 4。

畢竟是伺服器平台產品,價格比較貴。而SiS的SiS 655出現,使DDR雙通道成了平民化的技術。由於支援DDR333雙通道內存，效能比E7205更高,價錢更低。

而最經典的應該是i865PE了，支援DDR400雙通道內存，800MHz FSB的Pentium 4。 而i915P亦新增支援DDR-II 533雙通道內存。 最新的975X更支援DDR-II 667雙通道內存。

AMD平台方面，nVidia憑nForce 2 Ultra 400支援DDR400雙通道內存，成為當時AMD平台性能最佳的晶元組，更擊敗VIA的皇者地位。隨後AMD的Athlon 64系列處理器亦內建了DDR400雙通道內存控制器。

㈦ 鐵電存儲器有什麼型號，有什麼容量的，有沒有現成的驅動，什麼封裝

鐵電晶元的型號多數以FM24xxxx,FM25xxxx,FM3xxxx為主，容量：串口最小的4K，最大的512K，並口最小的8K，最大的2M。只是單純的存儲，無驅動部分，串口多為SOP-8封裝，並口多為貼片，管腳數不一。有任何問題可發郵件到我的Q郵箱 [email protected]。

㈧ 鐵電存儲器的存儲結構

FRAM的存儲單元主要由電容和場效應管構成，但這個電容不是一般的電容，在它的兩個電極板中間沉澱了一層晶態的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM每個存儲單元使用兩個場效應管和兩個電容，稱為「雙管雙容」（2T2C），每個存儲單元包括數據位和各自的參考位，簡化的2T2C存儲單元結構如圖2（a）所示。2001年Ramtron設計開發了更先進的"單管單容"（1T1C）存儲單元。1T1C的FRAM所有數據位使用同一個參考位，而不是對於每一數據位使用各自獨立的參考位。1T1C的FRAM產品成本更低，而且容量更大。簡化的1T1C存儲單元結構（未畫出公共參考位）如圖2（b）所示。

㈨ 鐵電存儲器的原理

FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲，鐵電晶體的結構如圖1所示。鐵電效應是指在鐵電晶體上施加一定的電場時，晶體中心原子在電場的作用下運動，並達到一種穩定狀態；當電場從晶體移走後，中心原子會保持在原來的位置。這是由於晶體的中間層是一個高能階，中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階到達另一穩定位置，因此FRAM保持數據不需要電壓，也不需要像DRAM一樣周期性刷新。由於鐵電效應是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關，所以FRAM存儲器的內容不會受到外界條件諸如磁場因素的影響，能夠同普通ROM存儲器一樣使用，具有非易失性的存儲特性。
FRAM的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數的問題。但受鐵電晶體特性制約，FRAM仍有最大訪問（讀）次數的限制。

㈩ 鐵電存儲器有什麼特點

相對於其它類型的半導體技術而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM（static random access memory)和動態存儲器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據。 RAM 類型的存儲器易於使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數據。
非易失性存儲器在掉電的情況下並不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自於只讀存儲器（ROM）技術。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進行寫入操作
，而事實上是根本不能寫入。所有由ROM技術研發出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點。這些技術包括有EPROM (幾乎已經廢止）、EEPROM和Flash。 這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。
鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，並且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM
鐵電存貯器（FRAM）的第一個最明顯的優點是可以跟隨匯流排速度（busspeed）寫入。
鐵電存貯器（FRAM）的第二大優點是幾乎可以無限次寫入。