半導體存儲業

❶ 半導體是怎樣存儲信息的

存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然後再由許多存儲單元組成一個存儲器，就用來存放程序和數據了。

❷ 半導體行業前景怎麼樣

半導體分立器件製造行業主要上市公司：目前國內半導體分立器件製造行業的上市公司主要有華潤微(688396)、士蘭微(600460)、揚傑科技(300373)、華微電子(600360)、新潔能(605111)、蘇州固鍀(002079)、銀河微電(688689)、立昂微(605358)、捷捷微電(300623)、台基股份(300046)等。

本文核心數據：半導體分立器件出貨量、市場規模、區域分布

1、英飛凌推動全球分立器件性能提升

全球半導體分立器件誕生於上世紀中期。20世紀50年代，功率二極體、功率三極體的面世並應用於工業和電力系統;20世紀60-70年代，晶閘管等分立器件快速發展;20世紀70年代末，平面型功率MOSFET發展起來;20世紀80年代後期，溝槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，分立器件正式進入了電子應用時代;20世紀90年代，超結MOSFET逐步出現，打破傳統「硅限」以滿足大功率和高頻化的應用需求;2008年，英飛凌(Infineon)率先推出屏蔽柵功率MOSFET，分立器件的性能得到進一步提升。

註：不包括光電子器件和感測器。

以上數據參考前瞻產業研究院《中國半導體分立器件製造行業市場前瞻與投資戰略規劃分析報告》。

❸ 存儲器的存儲介質是半導體嗎

存儲器的存儲介質是半導體，一般稱為半導體存儲器，由大量相同的存儲單元和輸入、輸出電路等構成。每個存儲單元有兩個不同的表徵態0和1，用以存儲不同的信息。半導體存儲器是構成計算機的重要部件。同磁性存儲器相比，半導體存儲器具有存取速度快、存儲容量大、體積小等優點，並且存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路兼容，可製作在同一晶元上，使輸入輸出介面大為簡化。

半導體存儲器的分類

按功能的不同，半導體存儲器可分為隨機存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和串列存儲器三大類。隨著半導體集成電路工藝技術的發展，半導體存儲器容量增長非常快，單片存儲容量已進入兆位級水平，如16兆動態隨機存儲器（DRAM）已商品化，64兆、256兆DRAM在研製中。

❹ 半導體存儲器的分類

半導體存儲器晶元按照讀寫功能可分為只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）和隨機讀寫存儲器（Random Access Memory，RAM）兩大類。

只讀存儲器電路結構簡單，且存放的數據在斷電後不會丟失，特別適合於存儲永久性的、不變的程序代碼或數據（如常數表、函數、表格和字元等），計算機中的自檢程序就是固化在ROM中的。ROM的最大優點是具有不易失性。

不可重寫只讀存儲器

1、掩模只讀存儲器（MROM）

掩模只讀存儲器，又稱固定ROM。這種ROM在製造時，生產廠家利用掩模（Mask）技術把信息寫入存儲器中，使用時用戶無法更改，適宜大批量生產。

掩模只讀存儲器可分為二極體ROM、雙極型三極體ROM和MOS管ROM三種類型。

2、可編程只讀存儲器（PROM）

可編程只讀存儲器（Programmable ROM，簡稱PROM），是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲器，是在MROM的基礎上發展而來的。

隨機讀寫存儲器

1、靜態存儲器（SRAM）

利用雙穩態觸發器來保存信息，只要不斷電信息就不會丟失。靜態存儲器的集成度低，成本高，功耗較大，通常作為Cache的存儲體。

2、動態存儲器（DRAM）

利用MOS電容存儲電荷來保存信息，使用時需要不斷給電容充電才能保持信息。動態存儲器電路簡單，集成度高，成本低，功耗小，但需要反復進行刷新（Refresh）操作，工作速度較慢，適合作為主存儲器的主體部分。

3、增強型DRAM（EDRAM）

EDRAM晶元是在DRAM晶元上集成一個高速小容量的SRAM晶元而構成的，這個小容量的SRAM晶元起到高速緩存的作用，從而使DRAM晶元的性能得到顯著改進。

❺ 哪個公司第一個發明了第一個半導體存儲器

應該是仙童半導體公司（Fairchild Semiconctor），也譯作飛兆半導體公司。這家公司曾經是世界上最大、最富創新精神和最令人振奮的半導體生產企業，為矽谷的成長奠定了基礎。更重要的是，這家公司還為矽谷孕育了成千上萬的技術人才和管理人才，它不愧是電子、電腦業界的「西點軍校」，是名副其實的「人才搖籃」。1955年子～57年由8位年齡未滿30的年輕人組成仙童半導體公司主要研製半導體材料。早在1962年，仙童半導體公司就在緬因州建立研製和製造晶體管的生產線，主要研製和生產半導體存儲器。

❻ 存儲半導體龍頭股

1.存儲半導體龍頭股有兆易創新、斯達半導、景嘉微、匯頂科技等等。
2.兆易創新是半導體存儲龍頭股。12月7日消息，兆易創新截至收盤，該股跌0.94%，報171元；5日內股價上漲3.12%，市值為1140.87億元。 12月7日消息，兆易創新主力資金凈流出1024.38萬元，超大單資金凈流出3416.18萬元，散戶資金凈流入8127.12萬元。公司致力於各類存儲器、控制器及周邊產品的設計研發，已通過DQSIS09001及IS014001等管理體系的認證。
3.嘉興斯達半導體股份有限公司主營業務為以IGBT為主的功率半導體晶元和模塊的設計、研發、生產，並以IGBT模塊形式對外實現銷售。主要產品有600V IGBT模塊系列，1200V IGBT模塊系列，1700V IGBT模塊系列，MOSFET模塊系列，600V IPM模塊系列等；產品可用於功率范圍從0.5kW至1MW以上的不同領域，包括:變頻器_電焊機_感應加熱_激光_太陽能/風能發電裝置、高壓直流輸變電裝置、家用電器、機車牽引、UPS、醫療設備等等。
拓展資料
1.長沙景嘉微電子股份有限公司從事高可靠軍用電子產品的研發、生產和銷售，主要產品為圖形顯控、小型專用化雷達領域的核心模塊及系統級產品。公司陸續通過雙軟企業、三級保密資格單位、高新技術企業、武器裝備質量體系等一系列資格認證，取得武器裝備科研生產許可證、裝備承製單位注冊證書等業務資質證書。
2.公司自成立以來一直致力於高可靠電子產品的研究開發，目前在圖形顯控領域居於國內領先地位，已同時成功研發多款具有自主知識產權的圖形處理晶元，並實現規模化應用；在空中防撞雷達、主動防護雷達及彈載雷達微波射頻前端等小型專用化雷達領域具有先發技術優勢。深圳市匯頂科技股份有限公司主要從事智能終端、物聯網及汽車電子領域提供領先的半導體軟硬體解決方案。公司主要產品為電容觸控晶元和指紋識別晶元，除此之外為固定電話晶元產品。

❼ 半導體存儲器的特點

半導體存儲器(semi-conctor memory)是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器,內存儲器就是由稱為存儲器晶元的半導體集成電路組成。
按功能分類
按其功能可分為：隨機存取存儲器（簡稱RAM）和只讀存儲器（只讀ROM）
RAM包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用於主存（內存的主體部分），SRAM主要用於高速緩存存儲器。
ROM 主要用於BIOS存儲器。
按其製造工藝
可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。
按其存儲原理
可分為：靜態和動態兩種。

❽ 半導體存儲器有幾類，分別有什麼特點

1、隨機存儲器

對於任意一個地址，以相同速度高速地、隨機地讀出和寫入數據的存儲器（寫入速度和讀出速度可以不同）。存儲單元的內部結構一般是組成二維方矩陣形式，即一位一個地址的形式(如64k×1位)。但有時也有編排成便於多位輸出的形式（如8k×8位）。

特點：這種存儲器的特點是單元器件數量少，集成度高，應用最為廣泛（見金屬-氧化物-半導體動態隨機存儲器）。

2、只讀存儲器

用來存儲長期固定的數據或信息，如各種函數表、字元和固定程序等。其單元只有一個二極體或三極體。一般規定，當器件接通時為「1」,斷開時為「0」，反之亦可。若在設計只讀存儲器掩模版時,就將數據編寫在掩模版圖形中，光刻時便轉移到硅晶元上。

特點：其優點是適合於大量生產。但是，整機在調試階段，往往需要修改只讀存儲器的內容，比較費時、費事，很不靈活（見半導體只讀存儲器）。

3、串列存儲器

它的單元排列成一維結構，猶如磁帶。首尾部分的讀取時間相隔很長，因為要按順序通過整條磁帶。半導體串列存儲器中單元也是一維排列，數據按每列順序讀取，如移位寄存器和電荷耦合存儲器等。

特點：砷化鎵半導體存儲器如1024位靜態隨機存儲器的讀取時間已達2毫秒，預計在超高速領域將有所發展。

(8)半導體存儲業擴展閱讀：

半導體存儲器優點

1、存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路製作在同一個硅晶元上，輸出和輸入電平可以做到同片外的電路兼容和匹配。這可使計算機的運算和控制與存儲兩大部分之間的介面大為簡化。

2、數據的存入和讀取速度比磁性存儲器約快三個數量級,可大大提高計算機運算速度。

3、利用大容量半導體存儲器使存儲體的體積和成本大大縮小和下降。

❾ 半導體行業的發展現狀與前景如何

行業主要上市企業：目前國內第三代半導體行業的上市公司主要有華潤微(688396)、三安光電(600703)、士蘭微(600460)、聞泰科技(600745)、新潔能(605111)、露笑科技(002617)、斯達半導(603290)等。

本文核心數據：第三代半導體分類、SiC、GaN電子電力和GaN微波射頻產值、SiC、GaN電子電力和GaN微波射頻市場規模

行業概況

1、定義

以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AIN)為代表的寬禁帶半導體材料，被稱為第三代半導體材料，目前發展較為成熟的是碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。

與傳統材料相比，第三代半導體材料更適合製造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件，因此，其為基礎製成的第三代半導體具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的導熱頻，以及更強的抗輻射能力等諸多優勢，在高溫、高頻、強輻射等環境下被廣泛應用。

以上數據參考前瞻產業研究院《中國第三代半導體材料行業市場前瞻與投資戰略規劃分析報告》。

❿ 什麼是半導體存儲器有什麼特點

半導體存儲器(semi-conctor memory)是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器。 按其製造工藝可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。 按其存儲原理可分為：靜態和動態兩種。 其優點是：體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路介面容易。 主要用作高速緩沖存儲器、主存儲器、只讀存儲器、堆棧存儲器等。 半導體存儲器的兩個技術指標是：存儲容量和存取時間。

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